Fractilia為微影圖案化的隨機性誤差新增光學鄰近校正量測功能以提升EUV微影圖案化在先進製程量產上的管控與良率

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科技產業資訊室 - Fractilia 新聞稿發表於 2024年6月13日

圖、Fractilia為微影圖案化的隨機性誤差新增光學鄰近校正量測功能以提升EUV微影圖案化在先進製程量產上的管控與良率

致力於先進半導體製造的隨機性（stochastics）微影誤差量測與控制解決方案領導業者Fractilia，宣布推出全新FAME™ OPC套件，提供關鍵的光學鄰近校正（OPC）測量與分析功能，能夠提升在先進微影圖案化（patterning）必須使用到的OPC建模技術的精準度並大幅縮短達成結果所需時間。FAME OPC可以用在所有掃描電子顯微鏡（SEM）廠商提供的任何SEM工具、可以插入所有的OPC資料流。可以單獨購買，也可以選購方式安裝到客戶現有Fractilia框架中。

Fractilia FAME與MetroLER™產品結合Fractilia公司專利反向線掃描模型（FILM™）技術與真實運算式量測，是唯一通過認證的晶圓廠解決方案，可以針對所有主要的隨機效應提供高度精確且準確的測量值，而這也是先進節點最大的單一微影圖案化誤差來源。Fractilia目前與領先業界的晶片生廠商合作，並利用其全新FAME OPC產品測量與分析廠商的OPC資料，展現優異之成效。

臨界尺寸的測量值已不敷OPC模型驗證需求
OPC是半導體製造中重要的微影圖案化增強技術，使用光罩上的微小邊緣偏差與次解析度輔助功能（SRAF）來提升晶圓上所需晶片圖案的可印製性。每個OPC模型會使用多達數萬個稱為量規（gauge）的量測點圖形進行校正，這些圖形倘若沒有精確且準確的測量，會對製程容錯範圍與良率帶來負面的衝擊。晶片製造商為了校正OPC模型，會從測試光罩印製晶圓，然後測量量規印製情況與設計之間的差異。在過去，客戶只能測量臨界尺寸（CD）然後把這些測量值加入OPC模型，以便進行模型的校正。

然而，隨著晶片圖形的尺寸持續縮小，隨機變異性也跟著極紫外光（EUV）微影圖案化技術的採用與日俱增，CD測量值對於OPC模型的校正與驗證已經不敷使用。線邊粗糙度/線寬粗糙度（LER/LWR）、局部邊緣圖案置放誤差（LEPE）、局部線寬均勻度（LCDU）與CD測量值都必需列入考量。隨著業界將邁向2奈米或更先進節點上高數值孔徑的EUV（0.55 NA EUV）微影，隨機變異性的風險預計只會越來越高。

Fractilia執行長暨總裁Edward Charrier表示：「多年來，領先業界的晶片製造商持續使用我們的MetroLER產品來支援他們的OPC模型的開發與驗證。這雖然提供他們改善OPC模型所需的必要資訊，但使用者還是需要以手動方式執行設定、測量與分析，而這些程序可能需要花上數天才能完成。Fractilia根據客戶的要求開發了FAME OPC，可以讓OPC測量與分析過程完全自動化。這讓我們的客戶得以在短至一小時內，就可以測量CD與其它的尺寸相關測量值。從數千個不同的量規測量，為每個量規提供數百種隨機測量值，大幅提升他們OPC模型的精準度並縮短達成結果所需時間。

「無偏差」的測量值針對晶圓實際情況提供更精準的描述
Fractilia FAME解決方案組合使用專有且獨特的物理架構SEM建模與資料分析方式，可測量並減去來自SEM影像的隨機與系統化誤差，以提供實際晶圓上、而非影像上的測量值。FAME可以同時測量所有主要的隨機效應，包括LER、LWR、 LCDU、LEPE以及隨機缺陷，並提供CD與其它尺寸相關測量值。它可以提供業界最高訊噪比的邊緣偵測（與其它解決方案相比訊噪比最高高出5倍），並可從每張SEM影像擷取超過30倍的額外資料。FAME可以使用在來自所有SEM廠商的SEM機台的SEM影像。

Fractilia藉由FAME OPC把高度精確的測量與分析能力帶進OPC建模。使用者首先建立包含所有測量到的量規的「總試算表」，然後把所有的SEM影像與諸如GDS/OASIS檔案的設計圖案，一併提交給FAME OPC。FAME OPC會自動校正CD測量值、產出每個Fractilia recipe檔案、為每個量規測量適當的SEM圖形，然後結合精準的測量值加速分析。由於整個過程完全自動化，FAME OPC顯著降低工程方面的工作負載，並大幅度地縮短確定優化OPC處置所需的時間。

Fractilia的產品已經獲得整個產業的數十家企業採用，包括領先的半導體製造商、設備公司、材料供應商與研究單位。可提供更佳的微影、蝕刻與SEM工具匹配、製程產出量、整體設備效率、製程容錯範圍的優化、更低的擁有成本與設備支出，都是客戶使用Fractilia的FAME與MetroLER產品可望達成的主要效益。(1492字；圖1)

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