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DRAM製程專利訴訟 MIT控告Micron、Apple侵權

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科技產業資訊室 (iKnow) - SYL 發表於 2015年3月26日

2015年2月12日,美國知名私立研究型大學麻省理工學院(Massachusetts Institute of Technology,下稱MIT),向美國麻州聯邦地院提起專利侵權告訴,控告美國記憶體半導體大廠Micron Technology, Inc.(下稱Micron)、被Micron併購且更名為Micron Memory Japan, Inc.之Elpida Memory, Inc. (下稱Micron Japan)、Micron Japan之全資子公司Elpida Memory USA, Inc.以及Apple, Inc.(下稱Apple)等,直接與間接侵害了MIT所擁有、與半導體製程相關之雷射切割方法專利。

MIT在訴狀中主張,Micron進口至美國並販賣、由其子公司Micron Japan、Micron Akita, Inc.、Micron Memory Taiwan Co. Ltd.等所製造的動態隨機存取記憶體 (DRAM)裝置產品,其製程使用到系爭專利所描述之方法發明,是故構成對系爭專利權利之直接侵權;Micron誘使其客戶Apple等公司,將Micron之DRAM產品裝設在其行動裝置或電腦產品中,並進口至美國販賣,是故亦構成間接侵權。MIT同時主張,Apple製造並進口至美國境內販賣、內建有前述DRAM產品之iPhone、iPad、iPod Touch等產品的行為,亦直接與間接侵害了系爭專利權利。

本案系爭專利為美國專利編號US 6,057,221,名稱為「金屬互連之雷射誘導切割(Laser-induced cutting of metal interconnect)」,申請日為1997年4月3日,公告日為2000年5月2日,共同發明人為現任以色列巴伊蘭大學(Bar Ilan University)電機工程學教授的Joseph B. Bernstein以及Zhihui Duan,原始權利人則是MIT與美國馬里蘭大學(University of Maryland)。Joseph B. Bernstein現任以色列巴伊蘭大學電機工程學教授,其曾任教於馬里蘭大學學院市分校,並在MIT取得電機工程學博士。根據美國專利商標局(USPTO)之轉讓資料,馬里蘭大學在2015年1 月將所擁有之系爭專利權利移轉給MIT。

系爭專利在2011年3月30日被申請進行單方複審(Ex Parte Reexamination),而單方複審證書(Ex Parte Reexamination Certificate)則於2012年9月11日核發,其中將2000年所公告版本請求項1、2、5、9-12以及20刪除,並修改請求項3、6-8、13、15、17與21,所以原本為附屬項之請求項3與17,在經複審後之版本(US 6,057,221 C1)變成獨立項,而MIT主張Micron與Apple是就經複審後之請求項3與17構成侵權。(914字;表2)

表一、請求項解析

US 6,057,221 C1 請求項3(為經單方複審(Ex Parte Reexamination)後、在2011年9月11日所公告之版本)
3. A method for cutting a link between interconnected circuits, comprising the following steps:
一種用來切割互連電路間連接之方法,包括以下步驟
directing a laser upon an electrically-conductive cutlink pad (FIG.10 - 20) conductively bonded between a first electrically-conductive line (FIG.10 – 21a) and a second electrically-conductive line (FIG.10 – 22a) on a substrate, the cut-link pad having substantially less thermal resistance per unit length than each of the first and second lines, wherein the width of the cut-link pad is at least ten percent greater than the width of each of the first and second electrically-conductive lines; and
將一雷射光束指向一位在一基板上、被傳導接合於第一導電線路與第二導電線路間的導電切割連接襯墊上,該切割連接襯墊每單位長度之熱阻性顯著低於第一與第二線路,其中切割連接襯墊之寬度至少較第一與第二線路之個別寬度多出百分之十
maintaining the laser upon the cut-link pad until the laser infuses sufficient energy into the cut-link pad to break the conductive link across the cut-link pad between the pair of electrically-conductive lines, wherein the electrically –conducitve cut-link pad has an inner surface (FIG.10 - 52) facing the substrate and an opposing outer surface facing away from the substrate, the first and second electrically-conductive lines extending from the inner surface into the substrate.
將雷射光束維持在切割連接襯墊上,直到該雷射光束注入足夠能量到切割連接襯墊上,切斷在前述一對導電線路間、經由切割連接襯墊之導電連接,其中導電切割連接襯墊具備一面向基板之內部表面以及一反向背對基板之外部表面,而前述第一與第二導電線路從內部表面延伸進入基板
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2015/03
 
表二、專利訴訟案件基本資料:MIT控告Micron與Apple
訴訟名稱 Massachusetts Institute of Technology v. Micron Technology, Inc. et al
提告日期 2015年2月12日
原告 Massachusetts Institute of Technology
被告 Micron Technology, Inc.Apple Inc. Elpida Memory, Inc.Micron Memory Japan, Inc.Elpida Memory USA, Inc.
案號 1:15-cv-10374-DLC
訴訟法院 the U.S. District Court for the District of Massachusetts
系爭專利 US 6,057,221 C1
系爭產品 Micron所製造販賣、其製程使用到系爭專利方法發明的DRAM半導體裝置產品,http://www.micron.com/products/dram;Apple所製造販賣、內建前述Micron之DRAM裝置的產品,例如IPhone、iPad、iPod Touch等產品,https://www.apple.com/tw/iphone/https://www.apple.com/tw/ipad/https://www.apple.com/tw/ipod-touch/ (最後瀏覽日:2015/03/25)
訴狀下載  download.gif
Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2015/03
 
 
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