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DRAM半導體專利訴訟 Home Semiconductor控告Samsung

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科技產業資訊室 (iKnow) - Viola 發表於 2013年12月24日

圖一、DRAM半導體專利訴訟 Home Semiconductor控告Samsung

2013年12月16日Home Semiconductor Corporation(以下稱Home Semiconductor),於美國達拉威聯邦地方法院(United States District Court, The District Of Delaware)向Samsung Electronics Co., Ltd., Samsung Electronics America, Inc., Samsung Telecommunications America, Llc, 及Samsung Semiconductor, Inc.(以下合稱Samsung)提起專利侵權訴訟,指控Samsung所製造販賣的DRAM、NAND與CPU等產品侵害Home Semiconductor所擁有的US5,452,261(以下簡稱’261專利)、US6,030,893 (以下簡稱’893專利)、US 6,146,997 (以下簡稱’997專利)、US 6,150,244 (以下簡稱’244專利)等四項美國專利。

目前Home Semiconductor在美國並未自行申請取得任何專利,本案系爭四項專利權,原本是屬於台灣茂矽電子股份有限公司(Mosel Vitelic Corporation),茂矽電子原本為DRAM產業之半導體廠,但於2003年決定退出DRAM市場,轉型為專業之晶圓代工公司。系爭四項專利權遂轉讓至Home Semiconductor手中,Home Semiconductor極可能是無實施實體之授權公司。本案四項系爭專利:

  • ’261專利:專利名稱為「用於叢發記憶體之序列位址產生器(Serial address generator for burst memory)」,其專利技術為涉及可用於叢發型態之隨機存取記憶體之系列位址產生器之結構與方法。
  • ’893專利:專利名稱為「用於形成低壓與無間隙相連之鎢化學氣相沉積法(Chemical vapor deposition of tungsten(W-CVD) process for growing low stress and void free interconnect)」,其專利技術藉由分別在兩腔室中進行的氣相沉積製程步驟,以及製程中溫度與氣體流量的控制,可提供低應力與無間隙的鎢化學氣相沉積。
  • ’997專利:專利名稱為「自動對位接觸孔(Method for forming self-aligned contact hole)」,專利技術提供一種可形成自動對準接觸孔的製程方法。
  • ’244專利:專利名稱為「具有浮層源/汲極之MOS電晶體製造方法(Method for fabricating MOS transistor having raised source and drain)」,是涉及製造高效能堆疊式汲/源極金氧半電晶體之製程技術。

Home Semiconductor於訴狀中指控Samsung所製造、使用、提供販售、進口與銷售給製造商、經銷商或客戶的動態隨機存取記憶體(DRAMs)、NAND快閃記憶體與中央處理器,都是利用了系爭專利技術,Samsung未經授權即利用專利技術,已直接侵害Home Semiconductor專利權。

侵權產品除Samsung所製造的DRAM、NAND快閃記憶體與中央處理器之外,還包括搭載Samsung DRAM、NAND快閃記憶體與中央處理器的各種品牌智慧型手機、平板電腦、桌上型電腦、筆記型電腦、雲端裝置、智慧型店至、藍光或DVD放映機、家庭劇院系統、媒體播放棄、相機與印表機等。且Samsung提供該些產品與其用戶使用,導致其用戶也直接侵害本案系爭專利,也構成間接侵權行為。Home Semiconductor請求法院核發永久禁制令,排除Samsung之侵權行為,並要求Samsung支付專利侵害損害賠償與訴訟相關費用。

表一、系爭專利為美國專利編號US5,452,261、US 6,030,893

專利名稱 Serial address generator for burst memory Chemical vapor deposition of tungsten(W-CVD) process for growing low stress and void free interconnect
公開號 US5,452,261 US 6,030,893
出版類型 授權 授權
申請書編號 08/265,535 08/760,665
發佈日期 1995年9月19日 2000年2月29日
申請日期 1994年6月24日 1996年12月9日
優先權日期
發明人 Chung; Jinyong, Murray; Michael A. Lo; Yung-Tsun, Tsai; Cheng-Hsun, Ho; Wen-Yu, Hsieh; Sung-Chung
原專利權人 Mosel Vitelic Corporation Mosel Vitelic Corporation

表二、系爭專利為美國專利編號US 6,146,997、US 6,150,244

專利名稱 Method for forming self-aligned contact hole Method for fabricating MOS transistor having raised source and drain
公開號 US 6,146,997 6,150,244
出版類型 授權 授權
申請書編號 09/407,268 09/467,086
發佈日期 2000年11月14日 2000年11月21日
申請日期 1999年9月29日 1999年12月10日
優先權日期 1999年5月11日 1999年1月13日
發明人 Liu; Jacson, Huang; Jing-Xian Ni; Cheng-Tsung
原專利權人 Mosel Vitelic, Inc. Mosel Vitelic, Inc.

Source: 科技政策研究與資訊中心 — 科技產業資訊室整理,2013/12

表三、專利訴訟案件基本資料:

訴訟名稱 Home Semiconductor Corporation v. Samsung Electronics Co., Ltd. et al.
提告日期 2013年12月16日
原告 Home Semiconductor Corporation
被告 Samsung Electronics Co., Ltd.,
Samsung Electronics America, Inc.,
Samsung Telecommunications America, LLC,
Samsung Semiconductor, Inc.
案號 1:13-cv-02033
訴訟法院 United States District Court, The District Of Delaware
系爭專利 US5,452,261、US6,030,893、US 6,146,997、US 6,150,244
系爭產品 DRAM、NAND與CPU,以及搭載上述產品之終端產品
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Source: 科技政策研究與資訊中心— 科技產業資訊室整理,2013/12


 
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