︿
Top

影像感測器專利訴訟 Raytheon控告Samsung等多家廠商

瀏覽次數:2423| 歡迎推文: facebook twitter wechat twitter twitter

科技產業資訊室 (iKnow) - Michael 發表於 2015年3月17日
2015年3月6日,知名美國國防合約商Raytheon Company(雷神公司)向東德州聯邦地院控告Samsung(三星)所屬4家公司;同日並於同法院另案控告Apple(蘋果)、Omnivision Technologies Inc.(豪威)和Sony(索尼)所屬8家公司,共計10家公司涉嫌侵害其影像感測器領域專利。
 
原告所主張受侵害之系爭專利為方法專利,1997年1月7日公告獲准的美國第5,591,678號專利「Process of manufacturing a microelectronic device using a removable support substrate and etch-stop (利用一可移除之支撐基板及蝕刻-停止而製造一微電子裝置的製程)」,專利申請號US 08/482,172,申請日期1995年6月7日,共有18項專利請求項(其中3項為獨立項)。原始專利權人為休斯飛機公司(HUGHES AIRCRAFT COMPANY),先讓與給HE控股(HE HOLDINGS, INC.)。
 
原告於1997年12月17日因收購HE控股而取得系爭專利[註1],系爭專利領域涉及微電子裝置的製程,用於在製造的過程中將微電子裝置從支撐基板移至另一基板,並以模塊方式,利用便宜成熟的製程技術所構成之二維元件藉此來製造複雜的三維微電子裝置。
 
在這系列的案件中,原告鎖定從事影像感測器之索尼、三星和豪威及其下游之手機製造商蘋果,控告其產品直接或間接侵害其系爭專利。索尼、三星和豪威為去年全球影像感測器市占率前三名,且皆為蘋果iPhone手機的主要零件供應商。另三星、索尼本身亦為其品牌手機和相機的主要零件供應商,而蘋果和三星去年第四季於手機市場的市占率超過六成。
 
原告認為該些被告在美國境外以該專利方法所製成之產品,在未經原告許可的情況下,從美國境外的國家或地區擅自進口該物品侵害原告所擁有系爭專利的權利[註2]。在訴狀中,原告指出該些被告不願公開其製程,依法推定侵權[註3],且因同一專利產品製程於相同交易事件被控侵權者(非僅因被控侵害同一專利),故原告聲請法院就各案中的被告得併案處理[註4]。原告認為該些被告直接或間接侵害系爭專利,且其侵害為蓄意的。原告請求法院推定該些被告侵權,並給予損害賠償,及支付相關的費用。
 
結語
影像感測器是一個具高度成長的產品,尤其應用於智慧型手機和相機等,再加上未來物聯網概念發酵,更是一個快速成長的市場。雷神公司本身也是影像感測器的廠商,本次訴訟明顯是針對影像感測器的前三大廠商,是否想藉由本次訴訟擴大其市占率或打入供應鏈,值得觀察!(1083字;表3)
 
表一:系爭專利基本資料及代表圖示US5,591,678
 
無標題文件
專利名稱 Process of manufacturing a microelectric device using a removable support substrate and etch-stop
公開號 US5591678A
出版類型 授權
申請書編號 US 08/482,172
發佈日期 1997年01月07日
申請日期 1995年06月07日
優先權日期 1993年01月19日
發明人 Joseph J. Bendik, Gerard T. Malloy, Ronald M. Finnila
原專利權人 He Holdings, Inc.
目前專利權人 RAYTHEON COMPANY
圖示  pclass_10855a_20150317.gif pclass_10855b_20150317.gif
Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2015/03

表二:系爭專利US5,591,678 Claim 1請求項解析 
 
無標題文件
  • A method of fabricating a microelectronic device, comprising the steps:
  • 一種製造微電子裝置方法,包含以下步驟:

furnishing a first substrate having an etchable layer, an etch-stop layer overlying 

the etchable layer, and a wafer overlying the etch-stop layer;

提供一具一可蝕刻層之第一基板,一蝕刻停止層在該可蝕刻層上,且一晶圓在該蝕刻停止層上;

forming a microelectronic circuit element in the exposed side of the wafer of the 

first substrate opposite to the side overlying the etch-stop layer;

形成一微電子元件於該第一基板的該晶圓之露出側,其對面為於在該蝕刻停止層上之側;

attaching the wafer of the first substrate to a second substrate; and

連著該第一基板的該晶圓至一第二基板;及

etching away the etchable layer of the first substrate down to the etch-stop layer.

向下蝕刻掉該第一基板的該可蝕刻層到該蝕刻停止層。

Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2015/03

表三:專利訴訟案件基本資料:Raytheon Company v. Samsung Electronics Co., Ltd. et al
 
無標題文件
訟案名稱 Raytheon Company v. Samsung Electronics Co., Ltd. et al
提告日期 2015/3/6
原告 Raytheon Company
被告 Samsung Electronics
Samsung Electronics America
Samsung Semiconductor Inc.
Samsung Telecommunications America LLC
案號 2:15-cv-00341
訴訟法院 Eastern Texas District Court
系爭專利 US5,591,678
系爭產品 S5K2P1、S5K3H2 SMART Family (WB250 SMART Camera、WB800 SMART Camera 、FEX2F SMART Camera)Galaxy Family (Galaxy Camera Wi-Fi、GC100 Galaxy Camera AT&T、GC120 Galaxy Camera Verizon)Q20、QF30、W300、S15 32GB SSD Wi-Fi Camcorder Galaxy S III、Galaxy、Galaxy Note II
訴狀下載  download.gif
Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2015/03

圖一:雷神公司的影像感測技術運用在手機及相機上
pclass_10855_20150317.gif
 
[註2] 35 USC 271(g)
[註3] 35 USC 295
[註4] 35 USC 299
 
本網站相關連結:
 

 
歡迎來粉絲團按讚!
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1.科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述,僅為提供更多訊息,也不構成任何投資建議。
2.著作權所有,非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載,本中心保留一切法律追訴權利。