美國政府投資4億美元助環球晶圓在美建立半導體晶圓生產基地
科技產業資訊室 (iKnow) - 黃松勳 發佈於 2024年7月19日
圖、美國政府投資4億美元助環球晶圓在美建立半導體晶圓生產基地
美國政府7月17日宣布，美國商務部與環球晶圓(GlobalWafers)旗下子公司GlobalWafers America(GWA)和MEMC LLC簽署了一份非約束性的初步條款備忘錄(PMT)。根據CHIPS與科學法案，美國政府擬提供高達4億美元的直接資金，以協助將關鍵的半導體晶圓生產遷回美國，並推進美國的技術領導地位。這項投資將支持新晶圓製造設施的建設，預計創造1,700個建築工作和880個製造業工作機會。
這項擬議中的投資將支持德州和密蘇里州兩地總資本支出約40億美元的項目。美國商務部長雷蒙多(Gina Raimondo)表示，透過這項投資，環球晶圓將在強化美國半導體供應鏈中發揮關鍵作用，為先進晶片提供國內矽晶圓來源。這不僅有助於保障供應鏈安全，還將為德州和密蘇里州創造超過2,000個就業機會，最終降低成本，改善美國的經濟和國家安全。
矽晶圓是半導體生態系統中的關鍵組件，是所有晶片的基礎輸入材料。目前，包括環球晶圓在內的五家領先公司控制著全球300 mm(12吋)矽晶圓製造市場80%以上的市佔，而約90%的矽晶圓目前來自東亞。透過CHIPS投資，環球晶圓計劃在德州謝爾曼(Sherman)建立美國首座用於生產先進晶片的300 mm矽晶圓製造設施，以及在密蘇里州聖彼得斯(St. Peters)建立新的300 mm絕緣體上矽(Silicon On Insulator, SOI)晶圓生產設施。
值得注意的是，300 mm矽晶圓是晶圓廠和整合元件製造商用於製造前沿、成熟節點和記憶體晶片的關鍵投入。而SOI晶圓則能在惡劣環境中顯著提高性能，常用於國防和航空太空領域。此外，環球晶圓還計劃將其在德州謝爾曼現有的部分矽磊晶(epitaxy)晶圓製造設施轉換為碳化矽(SiC)磊晶晶圓製造，生產150 mm(6吋)和200 mm(8吋) SiC磊晶晶圓。SiC磊晶晶圓是高壓應用的關鍵組件，特別是在電動車和清潔能源基礎設施中具有重要應用。
為支持德州當地半導體勞動力的發展，環球晶圓加入了由南衛理公會大學領導的Texoma科技中心，並參與了由德州大學達拉斯分校領導的北德州半導體勞動力發展聯盟。該公司還與謝爾曼高中、丹尼森高中和格雷森學院建立了創新合作夥伴關係，在這些學校建立電子實驗室，為半導體產業新員工提供所需的技術員認證培訓。
在密蘇里州聖彼得斯，MEMC正與國家工業和職業發展研究所(NIICA)以及當地高中合作開發維護技術員學徒計劃。此外，MEMC還與聖查爾斯社區學院合作開展名為MegaTech的項目，支持同時在高中和大學就讀的學生進入涉及先進製造和自動化的職業領域。
美國政府的CHIPS與科學法案旨在重振美國半導體產業，強化國家安全和經濟實力。商務部已宣布高達301億美元的擬議資金，支持包括環球晶圓等企業在內的多個項目。環球晶圓不僅投資生產設施，還與教育機構合作培養人才。這些投資將創造就業機會，促進地方經濟發展，並有助於美國半導體產業外來減少對外國供應鏈的依賴與風險。(1047字；圖1)
參考資料：
Biden-Harris Administration Announces Preliminary Terms with GlobalWafers to Significantly Increase Production of Silicon Wafers in U.S. NIST, 2024/07/17.
Biden-Harris Administration Announces Preliminary Terms with GlobalWafers. Semiconductor Digest, 2024/07/17.
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