晶圓薄化專利於二審續判無效，昇陽半導體與宜特科技轉戰營業秘密侵害

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科技產業資訊室 (iKnow) - Bond 發表於 2021年6月15日

圖、晶圓薄化專利於二審續判無效，昇陽半導體與宜特科技轉戰營業秘密侵害

針對昇陽國際半導體公司（下稱昇陽）控告宜特科技（下稱宜特）侵害昇陽擁有的中華民國I588880號「晶圓薄化製程」發明專利權一案，智慧財產法院曾於民國109年6月23日作出一審判決，判決該I588880號專利無效；昇陽對該判決不服而提起上訴，並續行主張宜特侵害該 '880號專利權。

智慧財產法院於今年(2021) 6 月 4 日作出二審判決，依舊認為昇陽專利所擁有的該 '880號專利權，屬於通常知識之輕易組合，故不具備進步性，因此判決再次認定該 '880號「晶圓薄化製程」專利無效。

惟昇陽與宜特之間的智財權攻防，除了專利侵害訴訟之外，自今年2月起，亦展開營業秘密侵害相關訴訟。宜特及其兩位員工因涉嫌侵害昇陽半導體營業秘密，於今年2月遭新竹地檢署起訴；昇陽稍後於今年3月向新竹地方法院提起刑事附帶民事訴訟，請求宜特及相關人等賠償。因宜特涉案的兩位員工曾是世界先進員工，昇陽半導體一併對世界先進提起刑事附帶民事訴訟，請求連帶賠償損失及所失利益；如此原本是晶圓封裝廠間，針對晶圓薄化技術相關智財權攻防戰火，進一步擴大到上游晶圓代工廠牽扯其中。

中華民國I588880晶圓薄化製程發明技術內容及家族專利範圍

中華民國發明專利TW- I588880，專利名稱：晶圓薄化製程，申請日為2016年6月28日，並未引用其他更早的優先權日，更正後請求項1及2，表格整理如下。說明書圖示2~3分別對第1圖晶圓薄化製程之步驟1、2進一步舉例說明詳細製程步驟。

表一、更正後請求項與對應說明書圖示

gn-I588880 更正後請求項：	gn-I588880 圖示
1.一種晶圓薄化製程，其步驟包含有：
A）研磨晶圓，研磨一晶圓的一面，以使該晶圓被研磨至一第一預定厚度，該研磨晶圓之步驟 A）包含有：
1）一進料檢驗、
2）一晶圓貼膜與
3）一晶圓研磨之步驟；於該進料檢驗之步驟中，對一即將進行研磨之晶圓進行一檢驗程序；於該晶圓貼膜之步驟中，將該即將進行研磨之晶圓貼附於一膜體；於該晶圓研磨之步驟中，對該晶圓之未貼附有該膜體的一面進行研磨，直至該晶圓達到該第一預定厚度，該晶圓之外周部係保留數 mm 未被研磨；以及
B）蝕刻晶圓，對具有該第一預定厚度之該晶圓的被研磨面進行蝕刻，以使該晶圓被蝕刻至一第二預定厚度，其中該蝕刻的步驟 B）具有：
1）一化學濕式蝕刻，其係使用蝕刻液對已研磨至該第一預定厚度之晶圓的一面進行一濕式蝕刻，以使該晶圓被蝕刻至該第二預定厚度；
2）一第一次清洗晶圓，其對該晶圓進行一清洗；
3）一第一次乾燥晶圓，其係對該晶圓進行乾燥；
4）一表面粗度蝕刻，其係對該晶圓再次進行濕式蝕刻，以使該晶圓的被蝕刻面之粗度增加；
5）一第二次清洗晶圓，其對該晶圓進行一清洗；
6）一第二次乾燥晶圓，其係對該晶圓進行乾燥；
7）一酸洗晶圓，以一酸液對該晶圓進行清洗；
8）一第三次清洗晶圓，其對該晶圓進行一清洗；以及
9）一第三次乾燥晶圓、其係對該晶圓進行乾燥，其中該酸液為氫氟酸；該第一次清洗晶圓、該第二次清洗晶圓與該第三次清洗晶圓之步驟係使用純水清洗方式；該第一次乾燥晶圓、該第二次乾燥晶圓與該第三次乾燥晶圓之步驟係使用離心脫水方式，其中該晶圓薄化製程依據上述字母排列及數字排列的順序進行。

如表二所示，比較得知，推論昇陽訴訟過程中企圖維護該 '880專利有效性策略，係把該中華民國 '880專利更正後請求項調整修改為與對應美國專利US10026603B2或歐盟專利EP3264449B1專利範圍第1項一致。昇陽可能評估既然如此專利範圍能通過美國與歐洲專利局審查而核准為有效專利範圍，應該有合理基礎應該也能通過智慧財產法院的有效性判斷。

表二、更正後請求項與對應美國專利claim 1對照表

gn-I588880 更正後請求項：	US10026603B2
1.一種晶圓薄化製程，其步驟包含有：	1. A manufacturing process of wafer thinning, comprising the steps of:
A）研磨晶圓，研磨一晶圓的一面，以使該晶圓被研磨至一第一預定厚度，該研磨晶圓之步驟 A）包含有：	A) grinding one of the two faces of a wafer so as to make the wafer to have a first predetermined thickness; wherein A) includes following steps:
1）一進料檢驗、	1) a step to inspect the wafer prior to the wafer-grinding;
2）一晶圓貼膜與	2) a step of a wafer-taping process to adhere a film onto a first face of the wafer; and
3）一晶圓研磨之步驟；於該進料檢驗之步驟中，對一即將進行研磨之晶圓進行一檢驗程序；於該晶圓貼膜之步驟中，將該即將進行研磨之晶圓貼附於一膜體；於該晶圓研磨之步驟中，對該晶圓之未貼附有該膜體的一面進行研磨，直至該晶圓達到該第一預定厚度，該晶圓之外周部係保留數 mm 未被研磨；以及	3) a step to grind a second face of the wafer that does not have the film till the wafer achieves the first predetermined thickness, grinding is only applied to a central portion of the second face of the wafer with a several mm un-ground margin at a peripheral portion around the wafer; and
B）蝕刻晶圓，對具有該第一預定厚度之該晶圓的被研磨面進行蝕刻，以使該晶圓被蝕刻至一第二預定厚度，其中該蝕刻的步驟 B）具有：	B) etching the second face of the wafer so as to make the wafer to have a second predetermined thickness; wherein the wafer etching B) includes following steps:
1）一化學濕式蝕刻，其係使用蝕刻液對已研磨至該第一預定厚度之晶圓的一面進行一濕式蝕刻，以使該晶圓被蝕刻至該第二預定厚度；	1) a step of a chemical wet etching process to apply an etching solution to wet-etch the second face of the wafer so as to further reduce a thickness of the wafer to the second predetermined thickness;
2）一第一次清洗晶圓，其對該晶圓進行一清洗；	2) a step of a first-time wafer cleaning process to clean the wafer;
3）一第一次乾燥晶圓，其係對該晶圓進行乾燥；	3) a step of a first-time wafer drying process to dry the wafer;
4）一表面粗度蝕刻，其係對該晶圓再次進行濕式蝕刻，以使該晶圓的被蝕刻面之粗度增加；	4) a step of an etching process to achieve predetermined surface roughness so as to increase surface roughness of the second face of the wafer;
5）一第二次清洗晶圓，其對該晶圓進行一清洗；	5) a step of a second-time wafer cleaning process to clean the wafer; and
6）一第二次乾燥晶圓，其係對該晶圓進行乾燥；	6) a step of a second-time wafer drying process to dry the wafer;
7）一酸洗晶圓，以一酸液對該晶圓進行清洗；	7) a step of a wafer-pickling process to clean the wafer using an acidic cleaner;
8）一第三次清洗晶圓，其對該晶圓進行一清洗；以及	8) a step of a third-time wafer cleaning process to clean the wafer; and
9）一第三次乾燥晶圓、其係對該晶圓進行乾燥，其中該酸液為氫氟酸；該第一次清洗晶圓、該第二次清洗晶圓與該第三次清洗晶圓之步驟係使用純水清洗方式；該第一次乾燥晶圓、該第二次乾燥晶圓與該第三次乾燥晶圓之步驟係使用離心脫水方式，其中該晶圓薄化製程依據上述字母排列及數字排列的順序進行。	9) a step of a third-time wafer drying process to dry the wafer; wherein the acidic cleaner is a dilute hydrofluoric acid, all of the first-time wafer cleaning process, the second-time wafer cleaning process and the third-time wafer cleaning process are horizontal deionized water rinsing processes, and all of the first-time wafer drying process, the second-time wafer drying process and the third-time wafer drying process are spin-drying processes; and wherein the manufacturing process of wafer thinning follows a sequence of the above alphabetic order and the above numeric order.

880號「晶圓薄化製程」專利二審續判無效

雖然昇陽把該中華民國 '880專利更正後請求項1修改為與對應美國 '603專利或歐盟 '449 專利範圍第1項實質一致，但是當面對宜特於訴訟過程中所引用的多項前案證據攻擊下，更正後請求項1並未獲得技審官認同具有進步性，最後仍被判定為無效。智慧財產法院判定更正後請求項1、2無效所依據的五種前案證據組合如表三所示。表四僅以表格方式說明智慧財產法院所依據的(一)乙證14及24組合，與 (二)乙證14、24及25組合之無效比對。

具體相關先前技術證據專利號資訊為：
乙證14為美國第2008/0045015號「蝕刻晶圓之方法」專利案
乙證23為美國第2002/0106518號「氟化樹脂塗覆之石英玻璃夾具及其製法」
乙證24為WO 2005/036629號「晶圓粗化表面的製程」專利案
乙證25為美國第5899731號「半導體晶圓之製法」專利案
乙證26為美國第4294651號「表面處理半導體基板之方法」專利案
乙證27為美國第6169038號「粗化蝕刻半導體表面之方法」專利案

表三、智慧財產法院判定更正後請求項1、2無效所依據的前案證據組合

有效性證據組合如下	更正後請求項1	更正後請求項2
(一) 乙證14及24之組合	足以證明更正後請求項1 不具進步性	足以證明更正後請求項2 不具進步性
(二) 乙證14、24及25之組合	足以證明更正後請求項1 不具進步性	足以證明更正後請求項2 不具進步性
(三) 乙證14及26之組合	足以證明更正後請求項1 不具進步性	足以證明更正後請求項2 不具進步性
(四) 乙證1 、23及24之組合	足以證明更正後請求項1 不具進步性	足以證明更正後請求項2 不具進步性
(五) 乙證1 、26及27之組合	足以證明更正後請求項1 不具進步性	足以證明更正後請求項2 不具進步性

表四、智慧財產法院依據乙證14、24及25組合判定更正後請求項1、2無效比對

gn-I588880 更正後請求項：
1.一種晶圓薄化製程，其步驟包含有：
A）研磨晶圓，研磨一晶圓的一面，以使該晶圓被研磨至一第一預定厚度，該研磨晶圓之步驟 A）包含有：	乙證14圖1A、1B及第〔0027〕、〔0028〕段
1）一進料檢驗、
2）一晶圓貼膜與
3）一晶圓研磨之步驟；於該進料檢驗之步驟中，對一即將進行研磨之晶圓進行一檢驗程序；於該晶圓貼膜之步驟中，將該即將進行研磨之晶圓貼附於一膜體；於該晶圓研磨之步驟中，對該晶圓之未貼附有該膜體的一面進行研磨，直至該晶圓達到該第一預定厚度，該晶圓之外周部係保留數 mm 未被研磨；以及	乙證14圖1A、1B及第〔0027〕、〔0028〕段乙證14圖3B及第〔0034〕段
B）蝕刻晶圓，對具有該第一預定厚度之該晶圓的被研磨面進行蝕刻，以使該晶圓被蝕刻至一第二預定厚度，其中該蝕刻的步驟 B）具有：	乙證14第〔0009〕+第〔0036〕段
1）一化學濕式蝕刻，其係使用蝕刻液對已研磨至該第一預定厚度之晶圓的一面進行一濕式蝕刻，以使該晶圓被蝕刻至該第二預定厚度；	乙證14第〔0009〕+第〔0036〕段
2）一第一次清洗晶圓，其對該晶圓進行一清洗；	乙證14第〔0010〕段
3）一第一次乾燥晶圓，其係對該晶圓進行乾燥；	乙證14第〔0010〕段
4）一表面粗度蝕刻，其係對該晶圓再次進行濕式蝕刻，以使該晶圓的被蝕刻面之粗度增加；	乙證14第〔0045〕段或乙證24說明書第6頁第25行至第7頁第20行
5）一第二次清洗晶圓，其對該晶圓進行一清洗；	乙證24說明書第6頁第25行至第7頁第20行
6）一第二次乾燥晶圓，其係對該晶圓進行乾燥；	乙證24說明書第6頁第25行至第7頁第20行
7）一酸洗晶圓，以一酸液對該晶圓進行清洗；	乙證14、乙證24雖未揭示以氫氟酸酸洗晶圓及表面粗糙度蝕刻與酸洗晶圓後之清洗及乾燥步驟係使用純水清洗及離心脫水方式乾燥，惟此係半導體製程領域習知技術，如所屬技術領域中具通常知識者常以稀釋後之氫氟酸（DHF）清洗晶圓，去除晶圓表面之原生氧化物及金屬（非銅），且清洗後採用純水清洗晶圓表面並旋轉乾燥。且如前述第3 點，乙證14已揭示使用純水清洗及離心脫水方式乾燥晶圓，故更正後請求項1 所載表面粗糙度蝕刻與酸洗晶圓後之第二、三次清洗及乾燥步驟係使用純水清洗及離心脫水方式乾燥應屬習知技術之簡單改變。乙證25說明書第 2 欄第1至2段揭示... 可知稀釋後之HF溶液可作為酸洗溶液。
8）一第三次清洗晶圓，其對該晶圓進行一清洗；以及
9）一第三次乾燥晶圓、其係對該晶圓進行乾燥，其中該酸液為氫氟酸；該第一次清洗晶圓、該第二次清洗晶圓與該第三次清洗晶圓之步驟係使用純水清洗方式；該第一次乾燥晶圓、該第二次乾燥晶圓與該第三次乾燥晶圓之步驟係使用離心脫水方式，其中該晶圓薄化製程依據上述字母排列及數字排列的順序進行。
2. 如申請專利範圍第1 項所述之晶圓薄化製程，其中於該研磨晶圓之步驟中，對該晶圓一面之外周部保留數mm而僅研磨該晶圓的中央部分；或者將該晶圓黏置於一晶圓環，並對該晶圓進行研磨製程。	乙證14圖2B、3B已揭示僅研磨晶圓之中央部分，於裝置形成區域 4 之背部對應區域形成凹陷部1A，周緣殘留區域5則形成保留原本厚度之環狀突起部5A

結語

(1) 扮演攻擊方的昇陽半導體，主動發起第二波出擊以展現其強盛企圖心，推論當智慧財產法院於去年6月作出不利昇陽的一審判決後，昇陽內部可能就設定期限，開始積極為今年2月的營業秘密訴訟積極進行準備。倘若此次營業秘密訴訟未能獲致昇陽內部設定的預期目標成果，不知道是否會繼續將戰場轉進到美國或歐洲專利訴訟?

(2) 智慧財產法院判決附圖中，列出若干原告昇陽半導體當初委託外部事務所準備的專利侵權比對分析報告（甲證7）中主張侵權的宜特製程相關影片之截圖。從影片格式來看，推論應該是宜特科技公司上傳到Youtube的「宜特科技解你的痛系列-02揭開晶圓薄化太鼓製程神秘面紗」影片，遭到原告昇陽收集截圖作為侵害比對的依據。如此把公司內部晶圓薄化製程相關影片公開流傳於網路上，雖有助於向客戶行銷說明公司先進製程技術水準，但另一方面也可能大幅降低專利權人收集侵權證據的困難度，相關影片揭露內容尺度掌握應謹慎。(6720字；圖8)

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