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長江存儲推出128層QLC快閃X2-6070,預計2020下半年量產

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2020年4月16日

圖、 長江存儲推出128層QLC快閃X2-6070,預計2020下半年量產


2020年4月13日,中國大陸長江存儲科技(YMTC)宣布其128層QLC 3D NAND快閃晶片(型號: X2-6070)研發成功,並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。號稱業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。同時發布,128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存晶片(型號:X2-9060),以滿足不同應用場景的需求。128 層QLC 版本將率先應用於消費級SSD ,並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域,以滿足未來5G 、AI 時代多元化數據存儲需求。
 
長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND。長江存儲在短短3 年時間實現了從32 層到64 層再到128 層的跨越。
 
Xtacking ® 2.0 


圖、Xtacking產品優勢

在長江存儲128層系列產品中,Xtacking ®已全面升級至2.0,進一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的數據傳輸速率。由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造工藝,CMOS電路可選用更先進的製程,同時在晶片面積沒有增加的前提下Xtacking ® 2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。 
 
X2-6070 充分發揮QLC 技術特點
 
QLC是繼TLC(3 bit/cell)後3D NAND新的技術形態,具有大容量、高密度等特點,適合於讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存晶片擁有128層三維堆棧,共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數據,共提供1.33 Tb的存儲容量。如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”,一顆長江存儲128層QLC芯片相當於提供3,665億個房間,每個房間住4“人”,共可容納約14,660億“人”居住,是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
 
由於,QLC 降低了NAND 閃存單位字節(Byte )的成本,更適合作為大容量存儲介質。隨著主流消費類SSD 容量邁入512GB 及以上,QLC SSD 未來市場增量將非常可觀。
 
尤其,與傳統HDD 相比,QLC SSD 更具性能優勢。在企業級領域,QLC SSD 將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲,使其更適用於AI 計算,機器學習,實時分析和大數據中的讀取密集型應用。在消費類領域,QLC 將率先在大容量U盤,閃存卡和SSD 中普及。
 
結語
 
長江存儲128層QLC快閃X2-6070有望在今年(2020)下半年開始製造128層產品。三星電子和SK海力士去年(2019)也生產了第一批128層NAND快閃記憶體產品,一旦長江存儲按計劃生產其128層產品,南韓和中國公司之間的技術差距可能縮小到僅領先兩年之內。
 
中國大陸政府積極扶植半導體產業自主化,從技術門檻相對低的NAND切入,再攻DRAM技術。當長江存儲位於COVID-19疫情震央的武漢,在武漢的長江存儲工廠照常運轉。這沒有中國政府的協助是不可能的。而且,中國政府支持這些扶植企業直到它們實現規模經濟,儘管他們製造產品精度仍不如國際大廠,但仍要求中國下游業者盡量使用這些扶植公司的DRAM和NAND快閃晶片。(720字;圖)


參考資料:
長江存儲推出128層QLC閃存,單顆容量達1.33TB。長江存儲,2020/4/10。
China Becoming Increasingly Aggressive in Semiconductor Industry. Business Korea, 2020/4/16.
長江存儲啟動64層3D NAND量產。科技產業資訊室(iKnow),2019/9/3。 


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