長江存儲暗示2019年底大規模量產64層3D NAND
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2019年4月16日
圖、長江存儲所採用的Xtacking技術
中國長江存儲(YMTC)首席技術官陳偉華表示，該公司大規模生產NAND閃存的計劃正在順利進行，暗示估計今(2019)年底前可大規模生產64層3D NAND閃存。
在中國政府的「大基金」支持下，目前YMTC正在武漢建設一個價值240億美元的半導體工廠，該工廠將批量生產64層NAND閃存。
中國眾多家記憶體業者中，長江存儲的製造技術根基或許最穩固，如果該公司 64 層 3D NAND 如期在 2019 下半年量產，則長江存儲與國外領導廠商的技術差距，可望從落後 3、4 年，縮小至落後 2 年。然而，市場持懷疑態度，因為中國晶片製造商現在還無法大規模生產32層產品，更不用說是大批生產64層NAND閃存。
目前，三星電子和SK海力士正在應用90層工藝生產3D NAND閃存。去年(2018)完成開發後，SK海力士開始大規模生產96層NAND閃存。三星計劃在今年下半年推出100層NAND閃存。
更令市場頭痛的是，擔心YMTC進入NAND閃存領域的影響，因為NAND價格通常比DRAM價格下跌幅度更大。
但總體而言，與DRAM領域不同，YMTC似乎正在NAND領域取得進展。如果YMTC在今年下半年向市場提供64層NAND閃存，中國政府可能會要求中國的智慧手機和PC製造商必須採用中國製造的NAND閃存。如果發生這種情況，將嚴重影響NAND閃存其他家業務的盈利能力。也就是說，三星、東芝、美光、海力士以及其他NAND閃存製造商，所擔心的價格崩盤問題將可能發生。
由於，中國一直企圖提高IC自給率以減少對IC進口依賴，然而，鑑於中美貿易戰及外國政府對於中國的野心而產生戒心。中國目前的IC產業戰略將遠遠落後於中國政府“中國製造2025”計劃的目標（即到2020年實現40％的自給率，到2025年實現70％），因此市場上預估，到2023年，中國IC自產率可能只佔全球IC市場的8%~10％左右。(622字；圖1)
參考資料：
YMTC Hints at Mass-Production of 64-Layer 3D NAND Flashes in 2019. Business Korea, 2019/4/15.
中國IC自產率預估至2023年僅達8%~10％。科技產業資訊室(iKnow)，2019/2/14。
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