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三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD

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科技產業資訊室 - May 發表於 2019年8月7日

圖、三星電子量產136層第六代V-NAND SSD
 
三星電子於2019年8月6日宣布,已開始批量生產250 GB(Gigabyte)SATA固態硬碟(SSD),該硬碟是一個三位元V-NAND,集成了該公司的第6代(1xx層)256 Gb(Gigabit)。目前,已進行SSD交付給全球PC製造商。
 
該新款SSD基於超過100層的第六代V-NAND,具有快速的數據傳輸速率。
 
該公司稱其新的V-NAND利用3D記憶體提升,突破目前的儲存單元堆疊限制(cell stacking limitations)。新產品為之前的9x層單層結構增加了大約40%的單元。該公司構建由136層組成的導電模具疊層實現了這一目標,然後從上到下垂直穿透圓柱形孔,形成均勻的3D電荷陷阱閃存(charge trap flash;CTF)單元。該公司稱這種方法為“通道孔蝕刻”(channel hole etching)技術。
 
隨著每個單元區域中的模具堆疊的高度增加,NAND閃存晶片往往更容易受到錯誤和讀取延遲的影響。三星表示,它通過採用速度優化的電路設計克服了這些限制。
 
該公司表示,這種速度優化設計使其能夠提供超過300層的下一代V-NAND解決方案,只需安裝三個電流堆即可構建,而不會影響晶片性能或可靠性。
 
利用高速和低功耗特性,三星計劃將擴大3D V-NAND版圖的範圍到下一代行動裝置和企業伺服器等領域,還可針對高可靠性的汽車市場。
 
從企業的250 GB SSD開始,三星電子計劃在今年(2019)下半年提供512 Gb三位元V-NAND SSD和eUFS。該公司還計劃從明年開始在其南韓Pyeongtaek園區擴大生產第六代V-NAND解決方案,以滿足全球客戶的需求。
 
全球963D NAND產量預計自2019第二季開始擴大
原先,全球NAND大廠包括三星、SK Hynix、美光、東芝等紛紛開出96層3D NAND產量,預計將自2019第二季開始擴大,這可能會為今年(2019) SSD市場與價格帶來更多變數,但這些大廠也紛紛宣布減產。其實,自2018年以來,NAND價格一直在下跌,主要原因是64層及72層3D晶片的供應增加,因而預估至今年底,NAND 價格甚至會跌至每GB不到0.1美元的新低價。
 
然而受貿易戰可能影響NAND市場版圖
目前,由於美中+日韓貿易戰影響,市場出現有趣變化,南韓廠因原料受控日本而順勢減產,而美日廠商(美光、Western Digital、東芝等)反而有機會撿到槍順勢接單。然而,大陸政府扶植NAND Flash廠商長江存儲,仍宣稱預計今年(2019)底前NAND將依照進程正式量產64層Xtacking 3D NAND產品,初期以供應中國境內市場為主。假如,貿易戰持續延燒,全球96層3D NAND產量預計可能如期自2019第二季開始擴大,並且出現美日大廠獨吃大單的現象。(809字;圖1)
 
 
參考資料:
Samsung Electronics Begins Volume Production of Industry’s First 6th-Generation V-NAND. Business Korea, 2019/8/7.

SK海力士將於2019第四季減產DRAM。科技產業資訊室(iKnow),2019/7/26。
全球96層3D NAND產量將自2019第二季開始擴大。科技產業資訊室(iKnow),2019/5/14。 

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