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中芯國際2020年底將試產7奈米不用EUV

關鍵字:中芯國際(SMIC);7奈米EUV
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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2020年3月12日

圖、中芯國際將2020年底試產7奈米不用EUV
 
據陸媒報導,中芯國際表示今年(2020)將試產的7奈米,將不採用EUV技術,預計明年(2021)才能正式量產。其實,中芯國際已投資1.2億美金向荷蘭ASML半導體設備廠訂購一台EUV極紫光機,卻因受制於「瓦聖納協定」出口管制高科技設備,至今仍無法交付。中芯預計N+2 才會啟用EUV 製程。
 
根據中芯國際共同執行長梁孟松,已經規劃了N+1、N+2製程工藝。新製程工藝N+1作為14奈米的後繼者,而且性能相比14奈米性能提高了近20%,也被稱為7奈米製程的開始。而且N+2製程工藝被稱為第二代7nm。
 
由於,第二代FinFET技術中芯國際一直沒有明確定義在7nm 或8nm,僅對外表示是N+1,推測可能是14nm功能加強版。梁孟松分析,N+1與中芯14nm製程比較,效能增加20%、功耗減少57%、邏輯面積減少63%、SoC 面積減少55%。若相較於台積電7nm,則中芯N+1 的效能還追不上台積電7nm。所以,中芯N+1 製程瞄準的應用是低成本產品。
 
至於第一代FinFET 製程14奈米,中芯國際表示將於今年(2020)第四季正式規模量產,分三個時程:2020 年3 月擴產到4000 片、7 月到9000 片、12 月朝15000 片邁進。主要的應用包含高端消費電子產品、高速運算,低階AP 和基頻、AI、汽車應用等。
 
在第二代FinFET 製程N+1方面,2019 年第四季進入NTO(New Tape-out)階段,目前正處於客戶產品認證期,預計2020 年第四季可以看到小量產出。
 
梁孟松強調,FinFET 製程的產能非常昂貴,平均每擴充1000 片需要投資1 億至2 億美元,所以擴充前會全面評估客戶需求、預算及毛利率,才會投資先進製程。
 
中芯12nm製程是14nm的微縮版本
 
中芯計畫在14nm 和N+1 兩代FinFET 製程之間,會有一個12nm,也是14nm 技術的微縮版本,目前12nm 已有些NTO(New Tape Out,新產品流片),該製程主要是瞄準低階AP 處理器等。(622字;圖1)
 
 
參考資料:
國產晶片龍頭18年追趕之路,中芯國際將年底試產7奈米,稱不用EUV。搜狐,2020/03/11。
中芯國際14nm第二代FinFET批量須等到2020年第四季、2020年資本支出31億美元。科技產業資訊室 (iKnow),2020/02/17。


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