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美上訴法院駁回Semcon半導體晶圓研磨製程專利無效判決:Semcon v. Micron

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科技產業資訊室 (iKnow) - 朱子亮 發表於 2016年11月2日

圖、美上訴法院駁回Semcon半導體晶圓研磨製程專利無效判決:Semcon v. Micron
 
2016年8月19日,美國聯邦巡迴上訴法院(CAFC)合議庭判決(Semcon Tech, LLC v. Micron Technology, Inc., 2015-1936),以仍存在重大事實爭議問題(genuine issue of material fact)為由,撤銷一審專利無效簡易判決命令,並將本案發回地院重審。一審中,地院僅依據被告聲請及專家證人證詞之裁量結果,來做出系爭專利受占先而無效之簡易判決,並未檢視及討論原告專利權人主張。本案特點在於CAFC二審判決並未嘗試就案件實體爭議做出討論及裁決,而僅以程序瑕疵為由將本案發回地院,多少反映美國聯邦最高法院要求CAFC尊重下級法院裁量結果及僅需確認前者是否有誤之趨勢。
 
一、本案背景

本案為美國德州一家專利授權公司Semcon Tech LLC,2012年4月27日向德拉瓦州聯邦地院控告英特爾(Intel)、IBM、三星(Samsung)、德州儀器(Texas Instruments)、美光科技(Micron Technology Inc.)、富士電子材料(Fujifilm Electronic Materials U.S.A. Inc.)、格羅方德(GlobalFoundries)以及台積電(TSMC)等晶圓代工大廠,侵害其所持有、與半導體晶圓化學機械研磨(chemical-mechanical polishing,CMP)製程技術相關專利。Semcon所發起訴訟資訊,可參考本網站科技產業資訊室報導 「晶圓 CMP 製程專利侵權,Semcon Tech控告Intel、IBM、Micron、三星等公司」

本案專利為美國專利編號7,156,717,名稱「原位晶圓研磨控制」([In] situ finishing aid control),2007年獲得核准,優先權日為2001年9月20日,發明人為Charles J. Monlar,後於2011年11月移轉給Semcon。717專利主張一種利用電腦來控制半導體晶圓研磨加工過程來降低晶圓厚度之方法,其中並使用感測器來監測晶圓厚度等資訊,並據以調節控制參數。
 
二、一審判決專利無效 

被告美光科技在其侵權訴訟(Semcon Tech LLC v. Micron Technology Inc. 1:12-cv-00532)中主張717專利受到美國專利編號6,010,538所占先。538專利名稱為「透過輻射通訊鏈路來監測和控制化學機械研磨過程的原位技術」(In situ technique for monitoring and controlling a process of chemical-mechanical-polishing via a radiative communication link),優先權日為1996年1月11日,主張發明亦為一種利用感測器所測得數據來調控半導體晶圓研磨過程之方法,故對717專利構成占先之可能性極高。一審中,717專利是否受到占先之主要爭議問題,在於717專利請求項1要件「一處理器用於測量原位製程資訊軌道資訊…並依據前述所感應資訊,來調節多項控制參數」(”a processor to evaluate the in situ process information and the tracked information… changing a plurality of control parameters in response to an evaluation of both the in situ process information… and the tracked information . . . during at least a portion of the finishing cycle time”)是否受到538專利所占先。其中,承審法官將「軌道資訊」解釋為「半導體晶圓在進行研磨以前之相關資訊」(“pre-polishing information about the wafer being polished that is associated with the wafer”),其中包括該晶圓初始厚度;「原位製程資訊」則被解釋為「正進行化學機械研磨過程半導體晶圓之相關資訊」(“information that is sensed from the wafer currently undergoing CMP [chemical-mechanical polishing]”)。地院最終採用被告美光之專家證人證詞,裁定717專利受538專利占先而無效。原告提出上訴,主張地院在前述爭議判斷上有誤,其中特別是在「原位製程資訊」與「軌道資訊」此兩項敘述部分。
 
三、二審判決:發回地院重審 

二審合議庭認為,538專利內容並未明確敘述電腦參考「軌道資訊」(未研磨晶圓之初始厚度)來監控調整研磨速率,538專利說明書解釋該研磨速率乃透過感測器測量固定時間內研磨除去之材料量而得出,此些證據,或可能得出538專利並未同時揭露前述兩項資訊之有利原告結論,且對此被告專家證人證詞存在自相矛盾之處(被告專家證人一方面承認538專利說明電腦無需參考晶圓初步厚度資訊來計算研磨速率,然又宣稱538專利揭示研磨速率乃依據晶圓初步厚度來計算);另一方面,儘管原告Semcon僅就被告專家證人分析提出反駁主張,並未出示任何專家證人證詞來主張717專利未受到占先,然此一情形仍不足以構成發佈專利無效簡易判決之充分理由。依據前述,合議庭認為本案仍存有重大事實爭議問題,需地院重新考慮。
 
四、評析

本案上訴結果,使專利流氓Semcon於2012至2013年所發起之多件訴訟重獲機會。二審合議庭處理本案之方式,頗類似10月7日Apple v. Samsung(2015-1171, 2015-1195, 2015-1994)一案聯席判決情形,皆顯示CAFC傾向於遵循聯邦最高法院2015年Teva Pharms., Inc. v. Sandoz, Inc.(135 S. Ct. 831)一案所述原則,一改過去逕自討論並決定案件實體爭議之全面重審de novo做法,僅確認一審證據紀錄及法官或陪審團事實發現是否支持其法律結論,以及適當尊重下級法院裁量權,亦即確實扮演上訴法院角色及職能。(1486字;圖1)
 
參考資料: 
  1. Semcon Tech, LLC v. Micron Technology, Inc. 2015-1936, Appeal from the United States District Court for the District of Delaware in No. 1:12-cv-00532-RGA, decided August 19, 2016:http://www.cafc.uscourts.gov/sites/default/files/opinions-orders/15-1936.Opinion.8-17-2016.1.PDF


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