記憶體專利訴訟 茂德控告韓國三星

茂德科技股份有限公司 (ProMOS)於2015年10月8日向美國德拉瓦州聯邦地方法院控告韓國三星(Samsung)及其子公司侵害其六件專利。本案原告主張被告之產品侵權，並請求法院命被告支付三倍懲罰性賠償金等。

原告ProMOS為動態隨機存取記憶體 (DRAM)設計、研發、製造及行銷公司， 2012年因虧損嚴重，無法依約如期償付各項債務本息，而經主要債權銀行向新竹地院聲請茂德重整，並於今年初經新竹地院裁定認可。

被告Samsung是一家總部設在韓國的集團公司，涉足電子、金融業、保險、建設、化工業等產業。

圖一、記憶體專利訴訟 茂德控告韓國三星

原告所主張受侵害之系爭六件專利(參照表一)：

• US 6,088,270，專利名稱為「具局部寫入驅動器之感測放大器(Sense amplifier with local write drivers)」，於2000年7月11日通過審查並公告，共有39個權利項，其中第1、10和14項為獨立項，其餘為附屬項，且皆為裝置請求項；本件專利有減少型樣敏感度(pattern sensitivity)及延遲、提供驅動電晶體和列讀出放大器之優點。
• US 6,195,302，專利名稱為「雙斜率之感測時脈產生器(Dual slope sense clock generator)」，於2001年2月27日通過審查並公告，共有18個權利項，其中第1、11和30項為獨立項，其餘為附屬項；本件專利有感測放大器設計和提供型樣敏感度(pattern sensitivity)之大型可分享驅動器設計和局部驅動器設計相容、此設計以作為高容量記憶體設計之簡單而緊密的電路來實現之優點，使用於大型記憶體裝置中的高速感測放大器。
• US 5,761,112，專利名稱為「於動態隨機存取記憶體中用於感測操作之電荷儲存(Charge storage for sensing operations in a DRAM)」，於1998年6月2日通過審查並公告，共有11個權利項，其中第1和6項為獨立項，其餘為附屬項；本件專利有在不增加晶片面積下防止因連接線所造成的電容阻抗、減少造成感測放大器的雜訊和慢充電之電源降低因而減少感測時間和雜訊之優點。
• US 6,020,259，專利名稱為「於半導體裝置中形成鎢插栓接觸的方法(Method of forming a tungsten-plug contact for a semiconductor device)」，於2000年2月1日通過審查並公告，共有10個權利項，其中第1和4項為獨立項，其餘為附屬項，且皆為方法請求項；本件專利有用較薄的氮化鈦層來減少化學機械研磨蝕刻所需時間因此增加了產量、減少了因長時間研磨而造成侵蝕之優點，使用於積體電路中的鎢插栓接觸。
• US 6,699,789，專利名稱為「減少鋁銅層和氮化鈦層間應力之金屬化製程(Metallization process to reduce stress between Al-Cu layer and titanium nitride layer)」，於2004年3月2日通過審查並公告，共有20個權利項，其中第1、10和18項為獨立項，其餘為附屬項，且皆為方法請求項；本件專利有以此金屬化製程減少鋁銅層和氮化鈦層間熱應力來防止當晶片冷卻時氮化鈦層中裂縫的形成、且因而解決電流的問題來確保傳輸線的品質之優點。
• US 6,849,897，專利名稱為「包含氮氧化矽緩衝層之電晶體(Transistor including SiON buffer layer)」，於2005年2月1日通過審查並公告，共有7個權利項，其中第1和7項為獨立項，其餘為附屬項，且皆為裝置請求項；本件專利有於氧化物-氮化物-氧化物堆疊的高溫氧化物形成時期內，緩衝層保護多晶矽表面免於原子氯的侵襲之優點，使用於閘極分離記憶體或其他快閃和非快閃浮閘記憶體。

原告2003年取得茂矽美國子公司UMI（United Memories Inc）100%股權、MVC（Mosel Vitelic Corporation）50%股權、茂矽全球記憶體專利權、DRAM產品權利以及茂矽在美國中央實驗室（Central Lab）所開發之Flash製程技術暨相關智慧財產權[註]，原告因此受讓取得系爭專利US 6,088,270、US 5,761,112、US 5,761,112、US 6,020,259和US 6,699,789。

茂德依重整計畫而進行處分資產並轉型成為研發為主之專業IC設計公司，以期引進策略投資人；同時欲藉先前本身研發而獲得之專利，將無形資產轉化成現金。能否取得實質效益，也將影響其成功重整之關鍵。(1370字；表3)

系爭專利1
專利名稱	Sense amplifier with local write drivers
公開號	US6088270
公告類型	A
申請號	US 08/284,183
公告日	2000年07月11日
申請日	1994年08月02日
優先權日	1992年11月12日
發明人	Kim C. Hardee
原專利 權人	United Memories, Inc., Nippon Steel Semiconductor Corporation
目前專 利權人	ProMOS Technologies, Inc.
專利家族	DE69322237D1 DE69322237T2 DE69333909D1 DE69333909T2 EP0597231A2 EP0597231A3 EP0597231B1 EP0852381A2 EP0852381A3 EP0852381B1 US6208574 US6249469 US6275432
系爭專利2
專利名稱	Dual slope sense clock generator
公開號	US6195302
公告類型	B1
申請號	US 09/492,726
公告日	2001年02月27日
申請日	2000年01月27日
優先權日	1999年02月05日
發明人	Kim C. Hardee
原專利 權人	United Memories, Inc.
目前專 利權人	ProMOS Technologies, Inc.
專利家族	EP1026693A1
系爭專利3
專利名稱	Charge storage for sensing operations in a DRAM
公開號	US5761112
公告類型	A
申請號	US 08/717,031
公告日	1998年06月02日
申請日	1996年09月20日
發明人	Michael A. Murray Lawrence C. Liu Li-Chun Li
原專利 權人	Mosel Vitelic Corporation
目前專 利權人	ProMOS Technologies, Inc.
系爭專利4
專利名稱	Method of forming a tungsten-plug contact for a semiconductor device
公開號	US6020259
公告類型	A
申請號	US 08/846,471
公告日	2000年02月01日
申請日	1997年05月01日
發明人	Hsi-Chieh Chen Guan-Jiun Yi Wen-Cheng Tu Kuo-Lun Tseng
原專利 權人	Mosel Vitelic Corporation
目前專 利權人	ProMOS Technologies, Inc.
系爭專利5
專利名稱	Metallization process to reduce stress between Al-Cu layer and titanium nitride layer
公開號	US6699789
公告類型	B2
申請號	US 10/113,705
公告日	2004年03月02日
申請日	2002年03月27日
優先權日	2001年04月03日
發明人	Zhih-Sheng Yang Chung-Yan Cheng Ying-Yan Huang Jason C. S. Chu
原專利 權人	Mosel Vitelic Corporation
目前專 利權人	ProMOS Technologies, Inc.
專利家族	US20020142573
系爭專利6
專利名稱	Transistor including SiON buffer layer
公開號	US6849897
公告類型	B2
申請號	US 10/423,162
公告日	2005年02月01日
申請日	2003年04月24日
優先權日	2002年09月12日
發明人	Zhong Dong Chuck Jang
原專利 權人	ProMOS Technologies, Inc.
目前專 利權人	ProMOS Technologies, Inc.
專利家族	US6893920 US20040051135 US20040053468

訟案名稱	ProMOS Technologies, Inc. v. Samsung Electronics Co., Ltd. et al
提告日期	2015/10/8
原告	ProMOS Technologies, Inc.
被告	Samsung Electronics Co., Ltd. et al
案號	1:15-cv-00898
訴訟法院	District of Delaware
系爭專利	US6,088,270 US6,195,302 US5,761,112 US6,020,259 US6,699,789 US6,849,897
系爭產品	•desktop PCs •monitors •notebook PCs •PCs •smartphones •smart TVs •Stand-alone flash devices
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