︿
Top

韓國SK海力士開發高效能HBM3E技術,推動AI技術創新

瀏覽次數:7493| 歡迎推文: facebook twitter wechat Linked

科技產業資訊室 - 瑞課 發表於 2023年8月24日
facebook twitter wechat twitter

圖、韓國SK海力士開發高效能HBM3E技術,推動AI技術創新
 
韓國SK海力士(SK Hynix)宣布成功開發了超高性能DRAM新產品HBM3E,為目前為止最高規格的AI應用DRAM,且已將樣品提供給客戶進行性能評估。這一重大突破將推動人工智慧(AI)技術的創新,並為產業帶來前所未有的性能表現。新一代HBM3E技術的開發,不僅鞏固SK海力士在AI記憶體市場的領先地位,更將成為推動 AI 技術創新的重要引擎。
 
高頻寬記憶體(High Bandwidth Memory,簡稱 HBM)在現今的 GPU 顯示記憶體中扮演著關鍵角色,特別是在資料中心的 GPU 中廣泛應用。HBM 的特點之一是相較於傳統的DDR/GDDR記憶體,有更小的尺寸和更高的效率,且能夠實現更高的資料傳輸頻寬。
 
HBM封裝內部採用3D堆疊技術,堆疊多層記憶體裸晶,並透過矽穿孔(TSV)和微凸塊銲錫(microbump)進行連接。HBM 控制器邏輯裸晶位於堆疊的下方,並透過矽中介層(silicon interposer)與 CPU/GPU 等核心元件互相連接。這種結構是透過讓CPU/GPU 和記憶體間有更多的連接接觸點,實現比傳統記憶體更大的資料傳輸頻寬。
 
HBM3E是一種高價值和高性能的記憶技術,通過垂直互連多個記憶體,增加接觸點和縮短傳輸距離,大幅提高了資料處理速度。SK海力士的HBM3E為HBM3的擴展版本,繼承了HBM、HBM2、HBM2E和HBM3等前代技術。根據官方的公告指出,SK海力士計劃從2024年上半年開始大量生產HBM3E,透過早期投入市場策略以鞏固其在AI記憶體市場的領先地位。
 
HBM3E不僅在速度方面表現出色,其資料處理速度高達1.15 TB/秒,相當於每秒處理超過230部5GB大小的Full HD的影像資料。在散熱的問題解決方案上,HBM3E採用了MR-MUF2技術,提高10%記憶體性能,而好的散熱解方案上對於高效能計算和大型資料處理至關重要。當然,HBM3E的高容量、優越的散熱能力使其成為AI應用的理想選擇。
 
MR-MUF技術(Mass Reflow Molded Underfill)技術為什麼有著更好的散熱能力呢?因為MR-MUF技術透過在晶片堆疊中填充液體材料,增加熱傳導的接觸面積以實現更好的熱傳導效能,並提供了結構的穩定性和可靠度。因為MF-MUF技術填補了晶片間的不規則形狀的空隙,同時有助於機械支撐和散熱。換言之,這一項技術有利於高效能記憶體晶片的堆疊應用。此外,HBM3E也具備向後兼容性,這意味著它可以應用於舊有HBM3系統上,無需進行設計或結構修改。
 
目前SK海力士的合作夥伴NVIDIA和HPC Computing已表示出對於與SK海力士在高頻寬記憶方面的合作有很高的期待,期待透過HBM3E推出下一代的AI運算產品。同時,SK海力士的記憶體產品計劃負責人表示,透過HBM3E的開發,也將進一步增強其在AI技術中的市場領先地位,並將透過提供高價值HBM產品的供應市佔實現業務扭轉。(1125個字;圖1)

HBM3E相關技術內容表格:
技術性能 內容
傳輸處理速度
  • 資料傳輸速度高達1.15 TB/秒
  • 每秒處理超過230部5GB大小的FullHD 影片
散熱性能 採用先進的MR-MUF2技術,散熱性能提高了10%
儲存容量 提供高容量記憶體,滿足AI記憶體產品需求
後兼容性 具備向後兼容性,可以應用於HBM3系統上,無需設計或結構修改
應用優勢 體積小、更少功率達到更高頻寬,加速AI技術創新應用
供貨時程 2024年上半年開始提供


參考資料:
SK hynix Develops World’s Best Performing HBM3E, Provides Samples to Customer for Performance Evaluation. SK Hynix, 2023/08/21.
SK Hynix Develops HBM3E For Blistering AI Memory Bandwidth And NVIDIA Is On Board. HOT Hardware, 2023/08/21.


相關文章:
1. 熱效率如何幫助資料中心加強永續運作
2. 國內半導體者法說會點出下半年景氣不慍不火的現象
3. 中國監管不同意英特爾收購Tower半導體,是美中對抗升級的前兆
4. IBM開發出一款類比AI晶片雛型,在性能上匹敵GPU,在功耗上更勝GPU
5. 英飛凌、意法半導體和Wolfspeed正在爭奪全球最大SiC晶圓廠王座之位
6. 中國半導體需承受景氣亂流 國際競爭強度上升風險

 
歡迎來粉絲團按讚!
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1.科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述,僅為提供更多訊息,也不構成任何投資建議。
2.著作權所有,非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載,本中心保留一切法律追訴權利。