德州儀器將投資300億美元於2022年開始興建四座12吋晶圓廠

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2021年11月18日

圖、德州儀器將投資300億美元於2022年開始興建四座12吋晶圓廠

德州儀器 (TI) 於 2021 年 11 月18 日宣佈，將於明年 (2022) 在美國德州 Sherman 啟動新 12 吋 (300 mm)半導體晶圓製造基地興建工程。由於電子產品，尤其是工業和車用市場對半導體的需求預計在未來持續成長，這個位於北德州的製造基地最多可興建四座晶圓廠以滿足市場對半導體的強勁需求。目前第一座和第二座晶圓廠的興建工程將於 2022 年開始動工。

第一座晶圓廠預計於 2025 年開始投產。該基地的四座晶圓廠全數完成興建，總投資金額將達約 300 億美元，並為當地提供 3,000 個工作機會。

新的晶圓廠將加入德州儀器現有的 12 吋晶圓廠陣營，包括位於德州達拉斯 (Dallas) 的 DMOS6、位於德州 Richardson 的 RFAB1 和即將完工並預計於 2022 年下半年開始投產的 RFAB2、以及德州儀器近期收購位於猶他州 Lehi 且預計於 2023 年初投產的LFAB。

據知德州儀器主要專精於類比 IC，像是純放大器或是馬達驅動這類的晶片，而這類通常不會迫切需要先進製程。反而，數位電路產品通常都是以新先進製程為第一優先需求，由於數位 IC 需要大量電晶體組合邏輯，但是隨著導入 AI 演算等新功能，類比電路也是可以用較新的製程去量產，尤其舊製程的晶圓面積較小，如果能上 12 吋晶圓產能會提高。然而，目前10奈米以下先進製程的技術，也僅有台積電及三星有能力量產。所以，推測德州儀器要自建 12 吋半導體晶圓廠，應該以成熟製程（28 奈米以上）進行自行量產。(357字；圖1)

參考資料：
德州儀器(TI)將於明年開始建造新的12英寸半導體晶圓製造廠。德州儀器，2021/11/18。

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