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億光將外購專利價值極大化,控告亞馬遜販售的LED燈泡侵權

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科技產業資訊室 (iKnow) - Bond 發表於 2021年9月13日

圖、億光將外購專利價值極大化,控告亞馬遜販售的LED燈泡侵權

億光電子(Everlight Electronics)於2021年8月31日向德州西區聯邦法院提出訴訟6:21-cv-00906,主張亞馬遜於網路平台上所販售的LED照明裝置,包括:汽車大燈LED燈泡(headlight LED blub)、仿燈絲LED燈泡(filament LED bulb)、紫外線LED照明(ultraviolet-C LED Products)侵害億光所擁有的USP# 7554126美國專利。亞馬遜販售的被控產品包含若干大廠產品,例如:飛利浦551770(A19)燈絲燈泡,與奇異照明的36488(蠟燭造型)燈絲燈泡。
 
本案系爭專利 '126係松下株式會社(Panasonic Corp.)於2014年8月移轉給億光,先前並未有任何法院訴訟紀錄;加計審查延誤延長的專利效期291天,'126專利預計在2026年7月10日屆滿失效。
 
Case
Number
Filing Date Court Plaintiff Defendant Cause of Action Asserted Patent
6:21-cv-00906 2021/8/31 Texas Western
District Court
Everlight
Electronics
Co., Ltd.
Amazon.com, Inc. Patent
Infringement
US7554126

USP# 7554126專利範圍
 
將訴狀所描述 '126專利claim 1 和被控產品侵害比對圖示,表格整理為侵害比對表形式如下:
 
US7554126 claim 1 翻譯 Beamtech–9007 LED Headlight Bulb Product
1. A semiconductor light-emitting element comprising: 1. 一種半導體發光元件,包括:  
a light-transmitting element substrate; 一透光元件基板;  
an n-type semiconductor layer formed on the element substrate so as to cover the element substrate; 一 n 型半導體層形成在該元件基板上以覆蓋元件基板;
a p-type semiconductor layer formed so as to cover an area on the n-type semiconductor layer from which an area for an n-electrode on the n-type semiconductor layer is excluded, for emitting light in cooperation with the n-type semiconductor layer; 一 p 型半導體層形成為覆蓋該 n 型半導體層上,但排除該 n 型半導體層上的一 n 電極區域之外的區域,用於與該 n 型半導體協同發光;
a first n-electrode that is a thin film formed on the area for the n-electrode of the n-type semiconductor layer; 一第一 n 電極是形成在該 n 型半導體層的 n 電極對應區域上的薄膜;  
a first p-electrode that is a thin film formed on the p-type semiconductor layer; 一第一 p 電極是形成在該 p 型半導體層上的薄膜;
a first insulating layer that is formed so as to insulate the first n-electrode and the first p-electrode from each other; 一第一絕緣層形成以將該第一 n 電極和該第一 p 電極彼此絕緣;
a second n-electrode formed on the first n-electrode and the first insulating layer as a thin film having an area larger than a joined face between the n-type semiconductor and the first n-electrode so that the second n-electrode is electrically connected to the first n-electrode, the second n-electrode being insulated from the first p-electrode by the first insulating layer; and 一第二 n 電極形成在第一 n 電極和第一絕緣層上,該第二 n 電極為一薄膜,該薄膜第二 n 電極薄膜面積(左方圖案棗紅色區域)大於該 n 型半導體和該第一 n 電極之間的接合面(右方圖案,複數個紫藍色圓點區域總和),使得第二n電極電連接第一n電極,第二n電極通過第一絕緣層與第一p電極絕緣,和  
a second p-electrode formed as a thin film having an area smaller than a joined face between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, the second p-electrode being electrically connected to the first p-electrode. 一第二p電極為一薄膜,該第二p電極薄膜面積(左方圖案棗紅色區域總和)小於n型半導體層和p型半導體層之間的接合面(右方圖案,扣除複數個白色圓點後剩下紫色區域),第二p電極電連接到第一p電極。  

配合專利實施例圖示對照說明,'126專利範圍第一項的主要技術特徵為:
1. "第二n電極17 (橘區)面積"大於”n型半導體層12與第一n電極14間接合面12a (紅線)",且
2. "第二P電極18 (紫區)面積”小於"n型半導體層12與p型半導體層13間接合面12b (藍線)"。
 
運用 ‘126專利技術,可加大n型半導體層12的電極焊接面積,從原本第一n電極14 (紅線) 放大為第二n電極17尺寸 (橘區),提供較大的焊墊區域;使LED的第二n電極17與第二P電極18尺寸可實質上相同,有助於將LED晶片焊接安裝到電路板上。

結語
 
億光早於七年前就進行LED專利佈局,從松下株式會社取得 '126專利,推測先前相關運用可能僅限於非訴訟的交互授權談判場合;如今在防禦日亞化侵權訴訟告一段落後,更進一步積極運用將該專利價值極大化,利用合法專利侵權訴訟來回收投資。從此案被控侵權產品包含歐美大廠的LED燈泡產品,顯現億光轉變為積極運用專利權,追求權利金或專利產品市場的決心,值得其他台灣廠商學習。(2880字;圖5)
 
 
參考資料:
New LED Lighting Case Flickers On a Few Months After the End of “Long-running, Acrimonious” Litigation in the Same Space, RPX Insight, Sep. 10, 2021


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