GAA相關專利數量快速增長 台積電以31.4%居第一
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2021年7月19日
圖、GAA相關專利數量快速增長 台積電以31.4%居第一
GAA 作為 FinFET 的改進而出現。韓國智財權局（KIPO）於 7 月 18 日宣布，近來與下世代半導體製程技術 GAA（gate-all-around）技術相關的專利數量，正在快速增加。
在半導體行業，GAA 被認為是對 FinFET 改進的全環柵技術。兩者的區別在 FinFET 在三個表面上有電流通道，而 GAA 在四個表面上有電流通道。
FinFET 相關專利數量在 2017 年達到 1,936 件，去年(2020)下降到 1,508，而在此期間，GAA 相關專利數量從 173 件增加到 381 件。
目前，台積電佔 GAA 相關專利申請的 31.4%，其次是三星電子（20.6%）、IBM（10.2%）和 GlobalFoundries（5.5%）。
台積電和三星電子之間的競爭可能會繼續升溫。三星電子計劃從明年(2022)開始將 GAA 應用於其 3 奈米製程。台積電方面，計畫預計 2023 年開始從 2 奈米採用 GAA 技術。
然而，良率可能還是問題關鍵。根據韓媒報導(2021.7.4)，三星電子在華城園區廠最先進的 V1 線，仍存在良率難解問題，5 奈米產品的良率仍低於 50%。這可能與日本化學輔料有關，由於日本對韓國實施半導體三項關鍵原料管制，造成三星在先進奈米製程的良率無法提升。
對於半導體大廠而言，製程是技術，但良率才是其中的關鍵，初期能將良率維持在八成左右已是非常困難的事情，而台積電的製程良率可以達到九成五以上，可見台灣在先進製程技術水準在三星之上，而且良率高也代表創造獲利及現金流。(635字；圖1)
參考資料：
GAA Emerging as Improvement on FinFET. Business Korea, 2021/7/19.
三星華城V1生產線 部分5奈米代工良率低於50%。科技產業資訊室(iKnow)，2021/7/5。
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