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南韓KAIST啟動FinFET專利戰 要求三星、高通支付授權金

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2016年12月2日

圖、南韓KAIST啟動FinFET專利戰
Source: KAIST FinFET

南韓科學技術研究院(KAIST)專利智財管理子公司KAIST IP於2016年11月29日,向美國東德州聯邦地方法院提起專利侵權訴訟,控告三星(Samsung)、高通(Qualcomm)以及格羅方德(GlobalFoundries)侵犯一項技術專利,有關於鰭式場效電晶體(FinFET)技術,要求支付專利使用費,可能下一波訴訟對象是台積電、聯電等代工廠,或是終端應用商蘋果等。
 
南韓專利智財管理公司KAIST IP US是KAIST IP在美國設立之子公司,該公司隸屬於韓國科學技術研究院(KAIST)是為促進所開發的知識產權和技術而成立。KAIST成立於1971年由南韓政府設立,是韓國第一個研究型科學與工程機構,目前擁有超過9000名學生和1100名教授研究員,在全球擁有超過3,300項註冊專利。同時,KAIST是南韓的研究型大學,與首爾國立大學、高麗大學、延世大學和成均館大學,並列為南韓前五大大學。
 
本案系爭專利US6885055 (Double-gate FinFET device and fabricating method thereof),有關於鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術。原專利權人Lee Jong-Ho是首爾國立大學電子工程系教授,後於2016.07.20將專利權轉移給KAIST IP CO., LTD,後又於2016.08.10轉給旗下美國子公司KAIST IP US LLC,以便在美國法院主張專利權進行訴訟。


公開號    US6885055 B2
申請書編號    US 10/358,981
發佈日期        2005年4月26日
申請日期        2003年2月4日
優先權日期    2003年2月4日
其他公開專利號    US20040150029
發明人    Jong-ho Lee (李鍾浩)
原專利權人    Lee Jong-Ho
目前專利權人 KAIST IP US LLC
  
近2年來,半導體最熱門的討論就是「FinFET」技術,被認為是目前高性能手機中重要的核心技術之一,且已被多家廠商採用,例如:iPhone 6s內新一代A9應用處理器採用新電晶體架構很可能為鰭式電晶體(FinFET),還有三星電子Galaxy系列在內的10多款手機都使用了FinFET。代表FinFET開始全面攻佔手機處理器、三星與台積電較勁,將10 奈米 FinFET 正式納入開發藍圖 、聯電攜 ARM完成 14 奈米 FinFET 製程測試。
 
更先進3D FinFET由美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor 等三位教授發明了「鰭式場效電晶體(Fin Field Effect Transistor,FinFET)」,把原本 2D 構造的 MOSFET 改為 3D 的 FinFET,因為構造很像魚鰭 ,因此稱為「鰭式(Fin)」。
 
值得一提的是,這個技術的發明人胡正明教授,就是梁孟松的博士論文指導教授,換句話說,梁孟松是這個技術的核心人物之一,台積電沒有重用梁孟松來研發這個技術,致使他跳糟到三星電子,讓三星電子的 FinFET 製程技術在短短數年間突飛猛進趕上台灣,這才是台灣半導體晶圓代工產業最大的危機。
 
KAIST IP聲稱,其FinFET專利技術已獲英特爾(Intel)採用。該技術發明人李鍾浩說:三星曾與他討論過該FinFET技術,之後就盜用該技術。所以主張,三星及格羅方德侵犯該公司的「FinFET」專利技術,之後三星、格羅方格以14奈米FinFET製程技術供應晶片給高通,因此高通成為被告。
 
台積電則以16奈米FinFET製程幫蘋果生產iPhone用晶片。據韓媒報導,KAIST已經計畫在蒐集證據後,準備向台積電提起訴訟。台積電內部認為,三大半導體都拒絕支付專利費用給KAIST,顯見三家半導體廠都具備自主研發的FinFET技術。
 
「FinFET」專利技術將是半導體廠必爭之地。從半導體製程、晶片、封裝到終端應用等廠商將群起圍攻,KAIST將面臨一場長期性硬仗。KAIST能否求償授權金成功?還很難說。(906字;圖1;表1)
 
表一、專利訴訟案件基本資料:
訴訟名稱 KAIST IP US LLC v. Samsung Electronics Co., LTD., et al
提告日期 2016.11.29
原告 KAIST IP US LLC
被告 GlobalFoundries U.S., Inc.
Qualcomm Incorporated
Samsung Austin Semiconductor, LLC
Samsung Electronics America, Inc.
Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Semiconductor, Inc.
案號 2:16-cv-01314
訴訟法院 E.D.Tex.
系爭專利  US6,885,055
系爭產品  
訴狀下載  download.gif
Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室(iKnow)整理,2016/12
 
 
參考資料:
1. FinFET 全面攻佔 iPhone!五分鐘讓你看懂 FinFET。科技新報,2015/9/15。
2. KAIST, 삼성전자 상대 특허 소송…핀펫 공정 특허 침해。Imagination Factory,2016/12/1



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2018

06-19南韓KAIST之FinFET勝訴 三星判罰4億美元

原告: KAIST v. Samsung Electronics et al.

關於FinFET 製程專利糾紛,南韓科學技術院KAIST指控三星、Global Foundries、高通等三家被告專利侵權案,於2018年6月15日美國德州東區法院陪審團評決侵權成立,侵犯其中一件專利US6,885,055,並對三星需判賠 4 億美元。陪審團評決內容:
(1) 三家被告皆侵犯專利US6,885,055 之Claims 1-6, 11-13, and 15-17
(2) 爭專專利US6,885,055並未無效。
(3) 三星被評決惡意侵權'055專利。
(4) 以優勢證據而評決公正合理地賠償KAIST損失,陪審團判賠三星需支付4 億美元,而另兩家被告Global Foundries、高通則賠償金0元。 

因目前,三星被評決惡意侵權成立,法官是否會再判三倍賠償可能高達12億美元?仍待觀察。

對本案陪審團評決後,iKnow之觀點:
本案後續是否將擴大影響到台積電(TSMC),還要觀察。現在,KAIST已取得法院背書,證明專利有效性,同時,競爭對手Intel也取得KAIST授權使用FinFET製造晶片,證明該技術在美國具有產業要件。而另兩家被告Global Foundries、高通,雖侵權卻被判0元賠償金,很可能與原告KAIST達成某種協議。KAIST IP具官方色彩,他的下一步棋如何走,很是關鍵。

 



 
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