︿
Top

台積電N12e技術:採用16/12奈米FinFET技術導入物聯網邊緣裝置

瀏覽次數:10002| 歡迎推文: facebook twitter wechat twitter twitter

科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2020年9月3日

圖、 台積電N12e技術:採用16/12奈米FinFET技術導入物聯網領域

 
根據台積公司部落格報導,台積電N12e技術驅動下一世代支援人工智慧及5G物聯網的邊緣裝置。
 
邁入AI人工智慧及5G物聯網時代,目前市場上首波物聯網裝置獲得廣泛地採用,其中包括連結式喇叭、智慧門鈴、連結式安全監控攝影機、智慧手錶、穿戴式裝置等,這些裝置擁有創新性且突破了技術的界限,但是仍然存在些許限制,就物聯網裝置而言,主要的設計考量包括尺寸外觀、功耗效率、電池壽命、效能、以及連結性。
 
未來,下一世代的人工智慧及5G物聯網裝置將在邊緣端提供嶄新層次的智慧化、功能性、連結性、可靠性、以及更具效能,更強大、更複雜的人工智慧神經網路更能夠模擬人類的大腦,深層神經網路(Deep Neural Network, DNN)與卷積神經網路(Convolutional neural network, CNN)能夠提供邊緣裝置能力,遠勝現今的物聯網裝置。
 
台積電新開發N12e技術特點:
  • 特別針對支援人工智慧化的物聯網裝置及其他高效率、高效能的邊緣裝置。
  • N12e採用台積電16奈米FinFET電晶體技術並帶入物聯網領域。
  • N12e奠基於台積電的12FFC+超低漏電技術。
相較於台積電22ULL技術,N12e技術提供:
  • 邏輯密度提升76% - 實現更小更具成本效益的設計,在相同特定面積上容納更多電晶體以增加運算核心與記憶容量。
  • 在特定功耗下速度增快49% - 在任何特定功耗水平上對於物聯網裝置都是一大躍進。相較於平面式技術,N12e技術具備更大的運算效能,能夠支援更優異的產品功能。
  • 在特定速度下功耗改善55% - N12e技術廣泛提供各種高效能與低功耗的選擇來支援多樣的產品設計。
  • SRAM漏電流降低超過50% - 對於延長電池壽命而言至為關鍵,同時能夠降低熱能產生與散熱。
  • 低Vdd設計生態系統解決方案 – 降低主動功耗與漏電功耗支援電池供電產品延長電池壽命。
總而言之,台積電16/12奈米超高效能FinFET技術,支援物聯網產品,同時透過嚴密的參數調整更進一步提升功耗效率及降低漏電,尤其更大幅改善關閉狀態漏電特性。而事實上,台積電16/12奈米技術家族已應用於現今的超級電腦、以及繪圖處理器與網路處理器等高效能運算裝置,以及現在將N12e技術更推廣應用於新世代物聯網領域。(727字;圖1)


參考資料:
台積公司N12e技術:驅動下一世代支援人工智慧及5G物聯網的邊緣裝置。台積公司部落格,2020/8/24。  


相關文章:
1. 
台積電率先推出7奈米汽車設計實現平台​
2. 台積電拿下MPW代工Akida神經網路晶片​
3. 博通聯手台積電強化CoWoS平台 運用3D堆疊提高運算力​
4. 台積電與意法半導體合作加速市場採用GaN氮化鎵產品​
5. 台積電2020技術論壇:揭露先進製程最新時程表、2奈米將落腳新竹廠​

 
歡迎來粉絲團按讚!
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1.科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述,僅為提供更多訊息,也不構成任何投資建議。
2.著作權所有,非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載,本中心保留一切法律追訴權利。