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南韓政府10年投資22億美金啟動先進功率半導體計畫

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科技產業資訊室 (iKnow) - Lisa & May 發佈於 2021年4月6日

圖、南韓政府10年投資22億美金啟動先進功率半導體計畫
 
南韓政府2021年4月1日發佈了先進功率半導體(advanced power semiconductor)研發和產能提升計畫,用於人工智慧系統、電動汽車等的功率轉換、穩定、控制等,以及5G通訊系統和可再生能源發電的逆變器(inverter)中。韓國國內市場規模約為20億美元,然而由於缺乏專利和技術,90%以上需求仰賴進口。
 
韓國政府計畫到2025年提升本土競爭力到全球水準,到時韓國將至少有5種先進功率半導體商業產品。韓國政府將專注於SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)和Ga2O3(氧化鎵)三種材料的應用技術,以克服矽材料的限制,並協助企業在材料和晶圓方面的研發工作。
 
尤其,隨著透明的導電氧化物──氧化鎵(Ga2O3)出現,還有一個不錯的特性,藉由摻雜(Doping)流程可以向其添加電荷載流子,增加其導電性。氧化鎵可以採用現存已建立的商業微影機和加工技術,以離子注入的標準製程,以及在外延生長過程中沉積的雜質來添加摻雜劑。氧化鎵的另一個優點,就是在大型晶圓之結晶的氧化鎵實際上非常容易製造。
 
韓國政府還計畫協助功率IC設計,開發高密度、高性能的先進功率半導體產品,同時與晶圓廠一起設立6至8吋的製程,擴大相關的晶圓服務。
 
其實,2021年2月1日韓國政府就宣佈,2021年將投資2500億韓元(約2.2億美元),未來10年將投資2.5兆韓元(約22億美元),加快功率半導體、先進感測器和AI晶片技術等系統級晶片技術的研發。
 
首先,在今年(2021)將選擇4家無晶圓廠公司(fabless),目標達到1000億韓元(約8900萬美元)的銷售額,並在評估後再進一步協助公司開發有潛力的產品。
 
功率半導體技術相關的研發方面,將集中在SiC和GaN半導體上,其特點是比現有的矽晶片更加耐用和高效。在感測器研發、製造和建立測試平台方面,政府將投入5000億韓元(約4.4億美元)進行初步可行性調查。
 
在AI晶片研發方面,下世代AI半導體技術研發的年度預算從831億韓元(約7400萬美元)增加到1223億韓元(約1億美元)。正在進行的可行性研究完成後,將啟動記憶體處理器(Processor-in-Memory,PIM)晶片研發專案。(710字;圖1)
 
 
參考資料:
Budget Earmarked for System on Chip R&D. Business Korea, 2021/2/2.
South Korea to Accelerate Advanced Power Semiconductor R&D. Business Korea, 2021/4/2. 


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