三星電子投資第二條西安產線、南韓興建先進晶片封裝廠
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2018年3月30日
圖、三星電子投資第二條西安產線、南韓興建先進晶片封裝廠
西安第二條生產線每月產能10萬片晶片，而第一條生產線每月可生產12萬片矽片。第一條晶片內存晶片生產線已於2014年建成並達到全部運營能力。
根據IHS Markit預測，全球NAND快閃市場規模將增至創紀錄的592億美元。內存晶片市場的需求一直在增長，這要歸功於包括數據伺服器、物聯網和下一代電信技術在內的各個領域，都須要使用晶片。
據韓聯社2017年12月20日報導，三星開發出全球最小DRAM記憶體晶片8Gb DDR4。三星電子已開始第二代10奈米級製程工藝量產DRAM記憶體晶片，並生產出了8Gb DDR4晶片。至於，第一代10奈米級於2016年2月生產了8Gb DDR4晶片。
相較於第一代10奈米級，第二代產能提高30%、速度快10%，功耗降低15%。若與2012年20奈米生產的4Gb DDR3晶片相比，新二代的8Gb DDR4晶片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。
為因應市場需求，三星在2018年將現多數DRAM晶片產能轉移到10奈米級晶片上。
同時，三星電子也在南韓興建一座新的先進的晶片封裝廠，以擴大對先進晶片封裝技術的投資。新建工廠將在忠清南道天安市使用三星顯示器的液晶面板生產工廠，採用先進的晶片封裝技術，如寬頻存儲器和晶圓級封裝，還有因應未來將AI技術整合放入高頻寬記憶體(HBM)的需求提升，晶片集成到更小的移動裝置、可穿戴或車輛等方面，先進的晶片封裝將發揮關鍵作用。
結語
隨著新興產品不斷推出及對新晶片的需求，三星看準市場也為維持全球晶片領先地位，不惜加碼投資自己，在中國及南韓興建先進生 產線。然而，美中貿易大戰，其中要求中國擴大對美國採購半導體，因此可能將削減對台灣與南韓半導體採購訂單。當半導體廠擴建新產線時，仍須時時留意大國之間貿易紛爭及動態。 (626字；圖1)
參考資料：
Samsung breaks ground for US$7b chip plant in China. The Investors, 2018/3/28.
Samsung building advanced chip-packaging facilities. The Investors, 2018/3/28.
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