2017年3月7日，台灣記憶體製造大廠旺宏電子（Macronix）及其美國子公司Macronix America，向美國國際貿易委員會（USITC）遞交違反美國關稅法337條訴狀書，控告日本半導體大廠東芝（Toshiba）及其子公司等5家，所進口至美國境內供應販售之多款非揮發性記憶體（non-volatile memory，NVRAM）產品，以快閃記憶體產品（flash memory）為主，惡意侵害其3項記憶體技術相關美國專利，並構成美國關稅法337條所述之不公平貿易競爭行為。據此，旺宏電子要求ITC發佈排除命令，禁止侵權產品進口，並就已在美國境內之侵權產品，發佈停止暨禁止命令，以阻止其供應販售。
同日，旺宏電子也於美國加州南區聯邦地方法院，對東芝提起相同惡意侵權指控（Macronix International Co., Ltd. v. Toshiba Corporation et al, 3:17-cv-00462），並要求法院給予專利法284條加重三倍侵權賠償、專利法285條合理律師費等法律救濟。
一、系爭專利及產品
本案系爭專利為美國專利編號6,552,360、6,788,602以及8,035,417皆屬旺宏電子自行研發技術，專利發明主要涉及唯讀記憶體（ROM）、快閃記憶體等產品之半導體電路組件等技術：
- 360專利發明主張一種適用於CMP工藝之半導體晶片襯底電路佈局，
- 602專利發明主張一種防止虛設單元（dummy cell）受到過度抹除之半導體存儲元件及其操作方法，
- 417專利發明則主張一種可依據用途、電源電壓和電負載等特性來設置適當驅動強度之輸出緩衝電路。
360及602專利皆有對應之台灣及中國大陸專利。且有授權多家半導體廠商使用之紀錄。本案為360專利第二次使用在關稅法337條訴訟，其餘專利則為首次使用。專利資料、原告所主張之侵權產品及受侵害請求項等資訊，詳見下表一整理。
本案系爭產品，以東芝生產販售之快閃記憶體產品為主（屬於NVRAM產品分類），快閃記憶體主要使用在記憶卡、固態存儲硬碟、可穿戴式電子消費產品如影音或攝像儀器等。原告雖列舉部分記憶體型號及其美國進口商，然特別說明，鑒於東芝方面不對外公開所有NVRAM產品型錄，故須仰賴後續事實調查程序來確定所有侵權產品。
二、關於旺宏電子
旺宏電子位於新竹科學園區，為NVRAM世界級研發製造大廠，產品以ROM（唯讀記憶體）、 NOR快閃記憶體)與 NAND快閃記憶體為主。目前ROM記憶體市占率為世界第一，NOR快閃記憶體市占則為全球第二。因前述Spansion公司為其主要市場競爭對手，故自2000年到2014年期間，雙方曾爆發激烈專利戰爭，在美國聯邦法院及ITC相互提告（相關資訊可參考「旺宏與Spansion互告侵權案件觀察」介紹Read.aspx?PostID=9849），這些侵權官司，至2015年年初已陸續雙方達成和解而撤銷。
旺宏電子自稱持有約5000件各國專利，以及約2000件美國專利，智財實力擠進全球半導體廠商前二十強。專利資料庫查詢顯示，目前旺宏電子持有3,930件美國專利及申請件，較2014年約2,800件已有大幅成長。
三、結語
當公司進行出售或上市前也是遭遇訴訟亂流最多之時，旺宏趁東芝將出售金雞母晶片事業部門忙亂之際，打亂東芝晶片部門出售價格，也示警接手的業者，更是搶東芝的晶片下游客戶。旺宏趁虛而入搶單，一舉多得。(822字；表4；圖1)
表一、本案系爭專利資訊
| 專利名稱 |
Method and circuit layout for reducing post chemical mechanical polishing defect count
減少化學機械研磨工藝缺陷的電路佈局及其製造方法 |
| 公告號 |
US 6,552,360 B1
對應台灣專利TW531800B（2003/5/11核准）
對應中國大陸專利CN1228846C（2005/11/23核准） |
| 優先權日 |
2002年1月25日 |
| 獲證日 |
2003年4月22日 |
| 過去訴訟紀錄 |
2013年12月27日，旺宏電子曾以360專利向ITC控告飛索半導體
（Spansion LLC）等美英多家半導體暨電子產品廠商侵權（Certain Non-Volatile Memory Devices And Products Containing Same，Inv. No. 337-TA-909），該案最終以和解收場而未發佈調查結果。
2014年7月21日，Spansion LLC曾向美國專利商標局提交360專利多方複審申請，試圖主張專利無效，最終為PTAB拒絕立案複審。 |
| 侵權產品及系爭請求項 |
原告主張，以快閃記憶體產品為主之東芝NVRAM產品，型號包含但不限於：TC58NVGlS3HTA00、TC58NVG3S0FTA00（Digi-Key Corporation進口）；TH58TEG7DCJTA20（Advance Modular Technology Inc.進口）；
TC58TEG6DDKTA00、 TH58TEG8DDKTA20（Vyrian Inc.進口）；
至少侵害請求項1-12, 16。 |
Source：科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2017/3
表二、本案系爭專利資訊
| 專利名稱 |
Memory device and operation thereof
半導體存儲元件及其操作方法，以及半導體存儲陣列 |
| 公告號 |
US 6,788,602 B2
對應台灣專利TW594741B（2004/6/21核准）
對應中國大陸專利CN1474455B（2012/12/26核准） |
| 優先權日 |
2002年8月9日 |
| 獲證日 |
2004年9月7日 |
| 過去訴訟紀錄 |
本案為首宗侵權訴訟 |
| 侵權產品及系爭請求項 |
原告主張，以快閃記憶體產品為主之東芝NVRAM產品（型號見前述），至少侵害請求項1-8。 |
Source：科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2017/3
表三、本案系爭專利資訊
| 專利名稱 |
Output buffer circuit with variable drive strength
具有可調式驅動強度的輸出緩衝電路 |
| 公告號 |
US 8,035,417 B1 |
| 優先權日 |
2010年7月26日 |
| 獲證日 |
2011年10月11日 |
| 過去訴訟紀錄 |
本案為首宗侵權訴訟 |
| 侵權產品及系爭請求項 |
原告主張，以快閃記憶體產品為主之東芝NVRAM產品（型號見前述），至少侵害請求項1-7, 11-15, 16, 18。 |
Source：科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2017/3
表四、專利訴訟案件基本資訊
| 訴訟名稱 |
Certain Non-Volatile Memory Devices |
| 提告日期 |
2017年3月7日 |
| 原告 |
Macronix International Co., Ltd.（旺宏電子）
Macronix America, Inc. |
| 被告 |
Toshiba Corporation
Toshiba Information Equipment, Inc.
Toshiba America, Inc.
Toshiba America Electronic Components, Inc.
Toshiba America Information Systems, Inc. |
| 訴訟案號 |
337-TA- （尚未立案） |
| 訴訟法院 |
美國國際貿易委員會 |
| 爭議專利 |
US 6,552,360 B1
US 6,788,602 B2
US 8,035,417 B1 |
| 爭議產品 |
東芝進口美國供應販售之非揮發性記憶體產品（NVRAM），以快閃記憶體產品為主，型號包含但不限於：TC58NVGlS3HTA00、TC58NVG3S0FTA00、TH58TEG7DCJTA20、TC58TEG6DDKTA00、 TH58TEG8DDKTA20 |
| 訴狀下載 |
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Source：科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2017/3
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連同上週雙方達成「美國以外」地區四千萬美金之和解金，本案件，旺宏總共取得8000萬美金的和解金。
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