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英特爾與美光合作以3D XPoint技術提升記憶體速度

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科技產業資訊室 - Kyle 發表於 2015年8月3日
英特爾與美光科技於2015年7月底發表25年以來第一個創新型之記憶體架構3D XPoint。採用這種技術之非揮發性記憶體不僅能夠改變任何裝置、應用、服務,且在快速存取大量資料之下,將能夠改變目前NAND型快閃記憶體的生態。

根據IM Flash公司公布,全新3D XPoint技術將能夠讓非揮發性記憶體的速度提升到NAND型快閃記憶體的1千倍。這種採用獨特的複合材料與十字交叉架構,讓新記憶體技術的密度比傳統記憶體高出十倍。這使得3D XPoint記憶體很可能攻佔資料中心市場。

全世界在2013年一共創造出4.4 ZettaBytes資料,約等同於4.4兆GB,英特爾預估到了2020年將成長10倍達到44 ZettaBytes,也就是44兆GB。因此提高記憶體存取速度是當務之急。為了應付需求,英特爾與美光開發出新架構的3D XPoint技術,其能在數奈秒之內,將龐大的數據轉化成有用的資訊。

3D XPoint並不像DRAM記憶體需要電晶體才能執行讀寫,所以結構上較為近似3D NAND型快閃記憶體。可是3D XPoint又不像NAND型快閃記憶體是以電荷將資訊儲存於元件,而其是將資料儲存在架構中字組線(word line)與位元線(bit line)的交叉點上,系統因此得以單獨存取每個儲存單元,這讓其讀寫速度更快。

簡單來說,3D XPoint將可大幅降低處理器與資料之間的延遲現象,使得未來有很多嶄新的應用,包含:即時追蹤疾病、即時辨識金融交易的詐騙模式以及超擬8K遊戲等。例如:醫療研究人員能夠即時處理與分析龐大的數據,並進行基因分析與疾病監控;其一旦應用到個人電腦之上,使得消費者開關機以及社群媒體互動上變得更為即時,甚至應用在遊戲上,可獲得更為逼真的體驗。此外,當裝置電源關閉之後,資料並不會因此就消失,同時兼顧DRAM與快閃記憶體的優點。換句話說,這種新類別非揮發性記憶體將可以為記憶體與儲存解決方案帶來顛覆性的效能,以及嶄新的應用。

根據IM Flash聲稱,其晶圓廠已經開始生產3D XPoint記憶體,未來價格將介於DRAM與NAND型快閃記憶體之間。預估2016年產能開出之後,將可進入市場,並對785億美元價值的記憶體市場產生衝擊。(776字)

圖一、3D XPoint技術
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Source : Intel,2015年7月

參考資料:
  1. Joel Hruska(2015),Intel, Micron reveal Xpoint, a new memory architecture that could outclass DDR4 and NAND. Extreme Tech,2015/06/28. at http://www.extremetech.com/extreme/211087-intel-micron-reveal-xpoint-a-new-memory-architecture-that-claims-to-outclass-both-ddr4-and-nand
  2. Intel, Micron Fast Chip Set for Slow Adoption. Barron’s,2015/07/29. at http://online.barrons.com/articles/intel-micron-fast-chip-set-for-slow-adoption-1438196267





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