2013年11月26日，營業處所設在日本東京之黏接著劑相關製品綜合製造商Lintec Corporation (台灣分公司為琳得科先進科技股份有限公司，下稱Lintec)，向營業處所同樣設在東京的精密加工設備工具製造商Disco Corporation(其台灣分公司為迪思科高科技股份有限公司，下稱Disco)、及其營業處所設在德國慕尼黑的歐洲分公司Disco Hi-Tec Europe, GmbH (下稱Disco Hi-Tec)為共同被告，在美國亞歷桑納州聯邦地院提起請求確認之訴，請求法院確認Lintec所擁有之本案系爭專利的發明人之正確性，並宣告Lintec並未負有須將系爭專利權利移轉給Disco、Disco Hi-Tec或其他訴訟當事人之事實上或法律上的義務。
本案背景乃源自於另一件在2013年5月31日向本案相同法院所起訴的訴訟案件Priewasser v. Lintec Corp. & Lintec of America, Inc.(案號為2:13-cv-01109-SRB，下稱Priewasser案)。在Priewasser案中，Disco Hi-Tec的執行副總裁Karl Heinz Priewasser(下稱Priewasser)，請求法院裁定美國專利商標局(USPTO)應依據美國專利法第256條(35 U.S.C. § 256)將本案系爭專利之發明人更正為Priewasser，或裁定將系爭專利權利重新授予給Priewasser。
Priewasser在Priewasser案訴狀中主張，其於2003年6月左右完成了一項「無殘留黏接帶」(non-residue tape)的發明(下稱NRT發明)，其可以在半導體晶圓完成磨削後移除黏接帶時、讓凸塊(bumps)上不會殘留黏接劑，且Priewasser並未公開其NRT發明之內容。而後在同年夏天，Priewasser以Lintec就NRT發明提出專利申請並將Priewasser列為發明人為條件，向Lintec揭露NRT發明之內容，但據Priewasser所主張，Lintec之後所申請並取得的本案系爭專利，其申請專利範圍涵蓋了NRT發明的內容，但其並未將Priewasser列為發明人，且從2010年6月起，Lintec將NRT發明商品化並與一半導體製造廠合作進行測試。基於前述事實主張，Priewasser在Priewasser案中控告Lintec不當使用其營業秘密(trade secret misappropriation)、刻意刪除專利發明人(omission of inventor)、詐欺(fraud)與不當利得(unjust enrichment)，並據以請求法院裁定其應得之損害賠償。
Lintec在Priewasser案中分別對Priewasser與Disco提起反訴，但後者被該案承審法官認為在程序上並不適當，因此Lintec將後者反訴修正成第三人請求(third-party claims，即請求讓有利害關係之第三人參加訴訟)再重新提出。Lintec在本案訴狀中指陳，因其所提第三人請求有可能被法院裁定為程序上不適當，所以其以Disco與Disco Hi-Tec為被告提起本案告訴，但本案提告內容與前述第三人請求內容實質上相同，且Lintec希望其與Priewasser、Disco、Disco Hi-Tec間的訴訟能在單一訴訟程序中進行審理，例如駁回本案起訴而在Priewasser案中進行審理，或將本案與Priewasser案合併審理。
Lintec主張Disco與Disco Hi-Tec應參加其與Priewasser間訴訟之原因為，其相信Priewasser基於僱傭關係而將其所產出之所有發明相關權利移轉給Disco或Disco Hi-Tec之義務，所以Priewasser案訴訟之結果與Disco和Disco Hi-Tec便產生利害關係。
本案系爭專利為美國專利編號US 7,438,631，名稱為「表面護片及半導體晶圓晶面研磨方法(Surface-protecting sheet and semiconductor wafer lapping method)」，於2008年10月21日核發，USPTO公開資料所載之發明人為Koichi Nagamoto (永元公市)、Hitoshi Ohashi (大橋仁)與Kazuhiro Takahashi (高橋和弘)。系爭專利之專利家族包括我國專利公告號I349315(公告日為2011年9月21日)。(1180字；表2)
表一、請求項解析
| US 7,438,631 請求項1 |
1. A surface protective sheet (Fig.1 - 10) used for grinding a back surface of a semiconductor wafer, wherein:
一種表面護片，係施行半導體晶圓的背面磨削時所使用，其中： |
one surface of a base sheet (Fig.1 - 1) is provided with an opening portion having a diameter smaller than an outer diameter of a semiconductor wafer to be stuck, on said opening portion no adhesive layer being formed, and a portion which is provided around the opening portion and on which an adhesive layer is formed, wherein:
在基材片單面上設有較所黏貼之半導體晶圓外徑更小徑且未形成黏接劑層的開口部，以及形成有在該開口部外周所形成之黏接劑層的部分，其中： |
the adhesive layer (Fig.3 - 2) is a double side coated adhesive sheet wherein adhesive layers are provided on both surfaces of a core material film (Fig.3 - 22), wherein:
該黏接劑層為一雙面黏接片，其中該黏接劑層被設在一芯材薄膜之兩面，其中： |
one adhesive layer on the side facing the base sheet is an adhesive (Fig.3 - 23) having strong adhesion strength and other adhesive layer on the side facing the wafer is an energy ray-curable adhesive (Fig.1 - 21) which is cured by irradiation with energy rays to exhibit removability.
面向基材片側的黏接劑層為具有強黏接性的黏接劑，而面向晶圓側之黏接劑層則為能量線硬化型黏接劑，其可透過能量線而硬化來顯現再剝離性 |
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2013/12
表二、專利訴訟案件基本資料：Lintec對Disco提起確認系爭專利發明人之訴
| 訴訟名稱 |
Lintec Corporation v. Disco Corporation et al |
| 提告日期 |
2013年11月26日 |
| 原告 |
Lintec Corporation |
| 被告 |
Disco Corporation
Disco Hi-Tec Europe, GmbH |
| 案號 |
2:13-cv-02434-JWS |
| 訴訟法院 |
the U.S. District Court for the District of Arizona |
| 系爭專利 |
US 7,438,631 |
| 訴狀下載 |
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2013/12
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