2012年2月13日, 美國加州原子層沉積 (Atomic Layer Deposition, ALD) 技術服務公司Atomic Precision System, Inc. (下稱APS)於美國加州北區地方法院控告韓國ALD設備商Juaung Engineering Co., Ltd.與其美國子公司Jusung America, Inc.所生產、銷售的原子層沉積產品(atomic layer deposition product)侵犯其專利權。又由於Juaung的客戶Intel、Micro、IBM也使用了侵權產品，因此亦侵犯了APS的專利權。
本案系爭專利為US6,812,157，名稱為「原子層化學氣相沈積設備(Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition)」。該專利係於2000年6月23日由APS的負責人Prasad Gadgil, Ph.D向世界專利合作條約(PCT)提出首次申請，再於2002年5月20日向美國專利商標局(USPTO)提出申請，最後於2004年11月2日取得美國專利權。
該專利的技術特徵係以注射管(injection tube)依序噴射第一反應氣體、惰性氣體、第二反應氣體、惰性氣體進入反應艙(chamber)，且該注射管係繞著該反應艙中旋轉，以使得放置於該反應艙中的一個基版(substrate)能夠完整且平均地被噴出氣體包覆。目前，ALD被視為先進半導體製程技術的發展關鍵環節之一。
根據訴狀，APS指出2006年8月Juaung曾經向APS表示希望取得本案爭議專利的授權，隨即雙方針對該授權議題進行協商，但最後Juaung並未獲得授權。然而，明知APS擁有該專利技術的情況下，Jusung的ALD工具氣旋線(Cyclone line of ALD tool)依然使用該專利之技術，並出售產品給其下游客戶(Intel、Micro、IBM)。由此可知Juaung、Intel、Micro、IBM均侵犯了APS的專利權，因此APS請求法院判決被告們支付賠償並停止惡意侵害。
原子層沈積技術(ALD)乃利用製程氣體與材料表面進行化學吸附反應，使得每一次進氣循環的過程，僅形成厚度為一層原子的薄膜，此項特性讓控制鍍膜厚度的精確性可達原子級(約十分之一奈米)的尺度，使薄膜具高階梯覆蓋率及極佳的厚度均勻性。
本案雖為APS成立以來第一件訴訟案件，但由於APS在原子層沈積技術(ALD)領域頗富盛名，因此本案在該產業已引起相當討論。又原子層沈積技術被預期將廣泛應用於半導體製程中，因此本案將引起半導體代工或設備商加以關注。
目前ALD市場主要供應商包括應用材料(Applied Materials)、ASMI、Aviza、Genus、Hitachi Kokusai、IPS、Novellus、TEL、Veeco等。(695字；表1)
表一、專利訴訟案件基本資料：
Atomic Precision System指控Jusung等4間廠商的侵犯其原子層沉積技術
| 訴訟名稱 |
Atomic Precision Systems, Inc. v. Jusung Engineering Co., LTD. et al |
| 提告日期 |
2012年2月13日 |
| 原告 |
Atomic Precision Systems, Inc. |
| 被告 |
Jusung Engineering Co., LTD.,
Jusung America, Inc.,
Intel Corporation,
Micron Technology Inc.
International Business Machines Corporation |
| 案號 |
4:2012cv00697 |
| 訴訟法院 |
California Northern District Court |
| 爭議專利 |
US6,812,157
Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition |
| 系爭產品 |
ALD工具氣旋線
(Cyclone line of ALD tool) |
| 訴狀下載 |
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Source：科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2012/02
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