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Atomic Precision System指控Jusung等4家廠商侵犯其原子層沉積技術

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科技產業資訊室 (iKnow) - YKH 發表於 2012年2月23日

2012年2月13日, 美國加州原子層沉積 (Atomic Layer Deposition, ALD) 技術服務公司Atomic Precision System, Inc. (下稱APS)於美國加州北區地方法院控告韓國ALD設備商Juaung Engineering Co., Ltd.與其美國子公司Jusung America, Inc.所生產、銷售的原子層沉積產品(atomic layer deposition product)侵犯其專利權。又由於Juaung的客戶Intel、Micro、IBM也使用了侵權產品,因此亦侵犯了APS的專利權。

本案系爭專利為US6,812,157,名稱為「原子層化學氣相沈積設備(Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition)」。該專利係於2000年6月23日由APS的負責人Prasad Gadgil, Ph.D向世界專利合作條約(PCT)提出首次申請,再於2002年5月20日向美國專利商標局(USPTO)提出申請,最後於2004年11月2日取得美國專利權。

該專利的技術特徵係以注射管(injection tube)依序噴射第一反應氣體、惰性氣體、第二反應氣體、惰性氣體進入反應艙(chamber),且該注射管係繞著該反應艙中旋轉,以使得放置於該反應艙中的一個基版(substrate)能夠完整且平均地被噴出氣體包覆。目前,ALD被視為先進半導體製程技術的發展關鍵環節之一。

根據訴狀,APS指出2006年8月Juaung曾經向APS表示希望取得本案爭議專利的授權,隨即雙方針對該授權議題進行協商,但最後Juaung並未獲得授權。然而,明知APS擁有該專利技術的情況下,Jusung的ALD工具氣旋線(Cyclone line of ALD tool)依然使用該專利之技術,並出售產品給其下游客戶(Intel、Micro、IBM)。由此可知Juaung、Intel、Micro、IBM均侵犯了APS的專利權,因此APS請求法院判決被告們支付賠償並停止惡意侵害。

原子層沈積技術(ALD)乃利用製程氣體與材料表面進行化學吸附反應,使得每一次進氣循環的過程,僅形成厚度為一層原子的薄膜,此項特性讓控制鍍膜厚度的精確性可達原子級(約十分之一奈米)的尺度,使薄膜具高階梯覆蓋率及極佳的厚度均勻性。

本案雖為APS成立以來第一件訴訟案件,但由於APS在原子層沈積技術(ALD)領域頗富盛名,因此本案在該產業已引起相當討論。又原子層沈積技術被預期將廣泛應用於半導體製程中,因此本案將引起半導體代工或設備商加以關注。

目前ALD市場主要供應商包括應用材料(Applied Materials)、ASMI、Aviza、Genus、Hitachi Kokusai、IPS、Novellus、TEL、Veeco等。(695字;表1)

表一、專利訴訟案件基本資料:
Atomic Precision System指控Jusung等4間廠商的侵犯其原子層沉積技術

訴訟名稱 Atomic Precision Systems, Inc. v. Jusung Engineering Co., LTD. et al
提告日期 2012年2月13日
原告 Atomic Precision Systems, Inc. 
被告 Jusung Engineering Co., LTD.,
Jusung America, Inc.,
Intel Corporation,
Micron Technology Inc.
International Business Machines Corporation
案號 4:2012cv00697
訴訟法院 California Northern District Court
爭議專利 US6,812,157
Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition
系爭產品 ALD工具氣旋線
(Cyclone line of ALD tool)
訴狀下載 download.gif

Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2012/02


 
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