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新墨西哥大學STC.UNM控告台積電與三星,提請ITC 337調查

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科技產業資訊室 (iKnow) - Philip C.F. Wen 發表於 2010年6月25日
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2010年6月23日美國新墨西哥大學STC.UNM(STC, University of New Mexico,以下稱STC),向美國國際貿易委員會(International Trade Commitment)對台灣半導體公司台灣積體電路(TSMC)以及韓國電子大廠三星電子(Samsung),依美國ITC 337條款提起訴訟,控告這兩家公司進口或在美國本土販賣具有侵權行為之產品,要求美國國際貿易委員會(ITC)展開調查,並提起永久禁止進口之訴。

STC.UNM係屬於新墨西哥大學附屬的專利移轉及授權機構,將大學研發智財向產業擴散。

根據STC提出的訴訟中,指出台積電以及三星電子的侵權爭議,在於STC公司所擁有的專利US6,042,998 “Method and apparatus for extending spatial frequencies in photolithography images”。訴訟中指出,台積電在幫客戶生產的28奈米製程中,所採用的技術侵犯了STC所擁有的微影製程技術( lithography),意指採用台積電先進製程客戶:Altera以及賽靈思(Xilinx),同時也是FPGA大廠,這兩家皆採用STC所宣稱的低於38奈米製程,皆涉及侵權。

而三星電子方面,STC在訴訟書中指出三星電子在幫蘋果電腦iPad生產的NAND FLASH中,亦包含了38奈米以下的製程而侵犯了STC所擁有的專利技術。

STC所說的6,042,998專利,是指在製造半導體晶圓的過程中,在微影電路印刷時所採用的一種方法稱為Double Patterning方式做模型,以達到製造體積縮小的功能,進而運用更先進更微小的製程。其專利說明在晶圓的製造過程中,會遭受光阻的干擾,在做微影顯像( lithography)時,每一層都會有一定的頻率光阻,而STC則是利用其雙光阻的型式特徵,克服這個困難,進而將製成提升到38奈米以下。

STC說,專利US6,042,998是STC非常重要的資產之一,目前已經有許多家廠商與STC合作,並進行了28次的技術轉移,而STC也致力於維護此項專利,包括一個12人小組,負責開發、維護、推廣以及技術支援此項專利。

早在2009年之時,STC曾以這相同專利向日本半導體大廠東芝(TOSHIBA)提告侵權,其案最後的結果以東芝支付專利權利金而和解收場。 (702字;表一)

表一、專利訴訟案件基本資料:STC.UNM控告台積電與三星

訴訟名稱

STC.UNM v. TSMC & Samsung

提告日期

2010 年 6 月 13 日

原告

STC.UNM

被告

  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (台積電)
  • SAMSUNG ELECTRONICS(三星電子)

案號

337-TA-

訴訟法院

US ITC

系爭專利

US6,042,998 

Method and apparatus for extending spatial frequencies in photolithography  images

訴狀下載

Source: 科技政策研究與資訊中心 — 科技產業資訊室整理, 2010/06

 


 
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