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我國工業技術研究院控告韓國三星電子專利侵權

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科技產業資訊室 (iKnow) - 交通大學科技法律研究所劉尚志教授團隊 發表於 2010年2月24日

一、訴訟案件概述

台灣工業技術研究院(簡稱:工研院),分別於2009年6月19日以及2009年10月19日向美國阿肯色州西部聯邦地方法院,對三星電子(Samsung Electronics) 提起七件訴狀,共19項專利侵權訴訟。

訴狀中指出,Samsung公司侵害由工研院所擁有關於半導體、顯示器、手機電話之專利,並且詳細指出i607、D520、SPH-A940、SPH-M220、SPH-M320、SGH-D307手機型號侵害US 6,459,413以及US 5,208,472兩項專利。除了控告專利侵權之外,並主張Samsung是故意侵害(willful infringement)工研院所擁有的專利。

【表一】專利訴訟案件基本資料彙整
原告 Industrial Technology Research Institute Industrial Technology Research Institute Industrial Technology Research Institute Industrial Technology Research Institute Industrial Technology Research Institute Industrial Technology Research Institute Industrial Technology Research Institute
被告 Samsung Electronics America, Inc.
Samsung Telecommunications America, LLC
Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics America, Inc.
Samsung Telecommunications America, LLC
Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics America, Inc.
Samsung Telecommunications America, LLC
Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics America, Inc.
Samsung Telecommunications America, LLC
Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics America, Inc.
Samsung Telecommunications America, LLC
Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics America, Inc.
Samsung Telecommunications America, LLC
Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics America, Inc.
Samsung Telecommunications America, LLC
Samsung Electronics Co., Ltd.
法院 United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院 United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院 United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院 United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院 United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院 United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院 United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院
提告日期 2009年6月19日 2009年6月19日 2009年10月19日 2009年10月19日 2009年10月19日 2009年10月19日 2009年10月19日
案號 4:09-cv-04063 4:09-cv-04064 4:09-cv-04110 4:09-cv-04111 4:09-cv-04112 4:09-cv-04113 4:09-cv-04114
相關產品 手機i607D520 手機SPH-A940, SPH-M220, SPH-M320SGH-D307 半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件 半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件 半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件 半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件 半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件

系爭專利

US 5,208,472

US 6,459,413

US6411357

US6642983

US7339197

US6768526

US6883932

US7250719

US7387858

US6074069

US6164791

US7270457

US7125141

US7217010

US6043478

US6324150

US7119429

US5710459

 

 

US5597754

Source: 鄭猷超,科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2010/02


二、系爭專利申請年與技術分類狀況

系爭之專利,主要是國際分類號F21V 8/00(光導之使用,例如照明裝置或系統中之光導纖維裝置、LED光導照明裝置)之技術項有四件;另外在G02F 1/13(基於液晶者,如單位液晶顯示管)也有三件專利,主要是利用於手機面板的顯示與照明。

【圖一】專利技術分類分布

系爭之專利群,多數是近期的專利,以獲得專利權10年以內的專利為主,主要集中於2000年以及2006~2008年的專利。

【圖二】專利申請年分布

三、主要專利分析

(1) US5710459

其中工研院另外一件專利US6188578 (Integrated circuit package with multiple heat dissipation paths)亦引用到該件專利,但並未在此次的訴狀之中呈現,後續是否會加入對於Samsung的訴訟,值得觀察。

(2)US5597754

工研院所擁有US5597754共有71件前引證(Forward Citation),其中值得注意的是,本次被告三星後續所申請的專利之中,就有13件引用到工研院的該件專利。有此可知,工研院該技術已經被廣泛的應用到Samsung後續技術研發之中。

【表二】US5597754專利被Samsung專利引用一覽表

專利號碼

專利名稱

US5943570

Methods of forming capacitor electrodes containing HSG semiconductor layers therein

US6238968

Methods of forming integrated circuit capacitors having protected layers of HSG silicon therein

US6876029

Integrated circuit capacitors having doped HSG electrodes

US6385020

Methods of forming HSG capacitors from nonuniformly doped amorphous silicon layers and HSG capacitors formed thereby

US5854095

Dual source gas methods for forming integrated circuit capacitor electrodes

US5963805

Method for forming integrated circuit capacitors including dual layer electrodes

US6403455

Methods of fabricating a memory device

US6624069

Methods of forming integrated circuit capacitors having doped HSG electrodes

US6806183

Methods for forming capacitors on semiconductor substrates

US6218260

Methods of forming integrated circuit capacitors having improved electrode and dielectric layer characteristics and capacitors formed thereby

US6238973

Method for fabricating capacitors with hemispherical grains

US6689668

Methods to improve density and uniformity of hemispherical grain silicon layers

EP874393

Methods of forming integrated circuit capacitors having improved electrode and dielectric layer characteristics and capacitors formed thereby | Herstellungsverfahren von Kondensatoren fur integrierte Schaltungen mit verbesserten Charakteristiken von Elektroden- und Dielektricumschichten sowie so hergestllete Kondensatoren | Procede de fabrication de condensateurs pour circuits integres ayant des caracteristiques ameliorees d'electrode et de dielectrique et condensateurs ainsi obtenus

 

四、訴訟案號暨系爭專利名稱

(1)4:09-cv-04064

專利號碼

專利名稱

US 5,208,472

Double spacer salicide MOS device and method

(2)4:09-cv-04063

專利號碼

專利名稱

US 6,459,413

Multi-frequency band antenna

(3)4:09-cv-04110

專利號碼

專利名稱

US6411357

Electrode structure for a wide viewing angle liquid crystal display

US6642983

Multi-domain liquid crystal display having concave virtual bump structures

US7339197

Light emitting diode and fabrication method thereof

US6768526

Time-sequential color separator and liquid crystal projector using the same

US6883932

Apparatus for improving uniformity used in a backlight module

US7250719

Organic light emitting diode with brightness enhancer

US7387858

Reflective display based on liquid crystal materials

US6074069

Backlight source device with circular arc diffusion units

US6164791

Backlight source device

US7270457

Light source device and projector using the same

US7125141

Apparatus for homogeneously distributing lights

US7217010

Reflector with negative focal length

(4)4:09-cv-04111

專利號碼

專利名稱

US6043478

Active pixel sensor with shared readout structure

(5)4:09-cv-04112

專利號碼

專利名稱

US6324150

Optical pickup head using multiple laser sources

(6)4:09-cv-04113

專利號碼

專利名稱

US7119429

3-D stackable semiconductor package

US5710459

Integrated circuit package provided with multiple heat-conducting paths for enhancing heat dissipation and wrapping around cap for improving integrity and reliability

(7)4:09-cv-04114

專利號碼

專利名稱

US5597754

A   Increased surface area for DRAM, storage node capacitors, using a novel polysilicon deposition and anneal process

 

五、糾紛進展

目前雙方尚在談判過程之中,尚待進一步消息之揭露。

(1286字;表:2;圖:2)


 
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