我國工業技術研究院控告韓國三星電子專利侵權

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科技產業資訊室 (iKnow) - 交通大學科技法律研究所劉尚志教授團隊發表於 2010年2月24日

一、訴訟案件概述

台灣工業技術研究院(簡稱：工研院)，分別於2009年6月19日以及2009年10月19日向美國阿肯色州西部聯邦地方法院，對三星電子(Samsung Electronics) 提起七件訴狀，共19項專利侵權訴訟。

訴狀中指出，Samsung公司侵害由工研院所擁有關於半導體、顯示器、手機電話之專利，並且詳細指出i607、D520、SPH-A940、SPH-M220、SPH-M320、SGH-D307手機型號侵害US 6,459,413以及US 5,208,472兩項專利。除了控告專利侵權之外，並主張Samsung是故意侵害(willful infringement)工研院所擁有的專利。

【表一】專利訴訟案件基本資料彙整

原告	Industrial Technology Research Institute	Industrial Technology Research Institute	Industrial Technology Research Institute	Industrial Technology Research Institute	Industrial Technology Research Institute	Industrial Technology Research Institute	Industrial Technology Research Institute
被告	Samsung Electronics America, Inc. Samsung Telecommunications America, LLC Samsung Electronics Co., Ltd.	Samsung Electronics America, Inc. Samsung Telecommunications America, LLC Samsung Electronics Co., Ltd.	Samsung Electronics America, Inc. Samsung Telecommunications America, LLC Samsung Electronics Co., Ltd.	Samsung Electronics America, Inc. Samsung Telecommunications America, LLC Samsung Electronics Co., Ltd.	Samsung Electronics America, Inc. Samsung Telecommunications America, LLC Samsung Electronics Co., Ltd.	Samsung Electronics America, Inc. Samsung Telecommunications America, LLC Samsung Electronics Co., Ltd.	Samsung Electronics America, Inc. Samsung Telecommunications America, LLC Samsung Electronics Co., Ltd.
法院	United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院	United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院	United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院	United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院	United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院	United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院	United States District Court for the Western District of Arkansas阿肯色州西部聯邦地方法院
提告日期	2009年6月19日	2009年6月19日	2009年10月19日	2009年10月19日	2009年10月19日	2009年10月19日	2009年10月19日
案號	4:09-cv-04063	4:09-cv-04064	4:09-cv-04110	4:09-cv-04111	4:09-cv-04112	4:09-cv-04113	4:09-cv-04114
相關產品	手機i607D520	手機SPH-A940, SPH-M220, SPH-M320SGH-D307	半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件	半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件	半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件	半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件	半導體、顯示器、手機電話等產品使用的相關零件
系爭專利	US 5,208,472	US 6,459,413	US6411357 US6642983 US7339197 US6768526 US6883932 US7250719 US7387858 US6074069 US6164791 US7270457 US7125141 US7217010	US6043478	US6324150	US7119429 US5710459	US5597754

Source: 鄭猷超，科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2010/02

二、系爭專利申請年與技術分類狀況

系爭之專利，主要是國際分類號F21V 8/00(光導之使用，例如照明裝置或系統中之光導纖維裝置、LED光導照明裝置)之技術項有四件；另外在 G02F 1/13(基於液晶者，如單位液晶顯示管)也有三件專利，主要是利用於手機面板的顯示與照明。

【圖一】專利技術分類分布

系爭之專利群，多數是近期的專利，以獲得專利權10年以內的專利為主，主要集中於2000年以及2006~2008年的專利。

【圖二】專利申請年分布

三、主要專利分析

(1) US5710459

其中工研院另外一件專利US6188578 (Integrated circuit package with multiple heat dissipation paths)亦引用到該件專利，但並未在此次的訴狀之中呈現，後續是否會加入對於Samsung的訴訟，值得觀察。

(2)US5597754

工研院所擁有US5597754共有71件前引證(Forward Citation)，其中值得注意的是，本次被告三星後續所申請的專利之中，就有13件引用到工研院的該件專利。有此可知，工研院該技術已經被廣泛的應用到Samsung後續技術研發之中。

【表二】US5597754專利被Samsung專利引用一覽表

專利號碼	專利名稱
US5943570	Methods of forming capacitor electrodes containing HSG semiconductor layers therein
US6238968	Methods of forming integrated circuit capacitors having protected layers of HSG silicon therein
US6876029	Integrated circuit capacitors having doped HSG electrodes
US6385020	Methods of forming HSG capacitors from nonuniformly doped amorphous silicon layers and HSG capacitors formed thereby
US5854095	Dual source gas methods for forming integrated circuit capacitor electrodes
US5963805	Method for forming integrated circuit capacitors including dual layer electrodes
US6403455	Methods of fabricating a memory device
US6624069	Methods of forming integrated circuit capacitors having doped HSG electrodes
US6806183	Methods for forming capacitors on semiconductor substrates
US6218260	Methods of forming integrated circuit capacitors having improved electrode and dielectric layer characteristics and capacitors formed thereby
US6238973	Method for fabricating capacitors with hemispherical grains
US6689668	Methods to improve density and uniformity of hemispherical grain silicon layers
EP874393	Methods of forming integrated circuit capacitors having improved electrode and dielectric layer characteristics and capacitors formed thereby \| Herstellungsverfahren von Kondensatoren fur integrierte Schaltungen mit verbesserten Charakteristiken von Elektroden- und Dielektricumschichten sowie so hergestllete Kondensatoren \| Procede de fabrication de condensateurs pour circuits integres ayant des caracteristiques ameliorees d'electrode et de dielectrique et condensateurs ainsi obtenus

四、訴訟案號暨系爭專利名稱

(1)4:09-cv-04064

專利號碼	專利名稱
US 5,208,472	Double spacer salicide MOS device and method

(2)4:09-cv-04063

專利號碼	專利名稱
US 6,459,413	Multi-frequency band antenna

(3)4:09-cv-04110

專利號碼	專利名稱
US6411357	Electrode structure for a wide viewing angle liquid crystal display
US6642983	Multi-domain liquid crystal display having concave virtual bump structures
US7339197	Light emitting diode and fabrication method thereof
US6768526	Time-sequential color separator and liquid crystal projector using the same
US6883932	Apparatus for improving uniformity used in a backlight module
US7250719	Organic light emitting diode with brightness enhancer
US7387858	Reflective display based on liquid crystal materials
US6074069	Backlight source device with circular arc diffusion units
US6164791	Backlight source device
US7270457	Light source device and projector using the same
US7125141	Apparatus for homogeneously distributing lights
US7217010	Reflector with negative focal length

(4)4:09-cv-04111

專利號碼	專利名稱
US6043478	Active pixel sensor with shared readout structure

(5)4:09-cv-04112

專利號碼	專利名稱
US6324150	Optical pickup head using multiple laser sources

(6)4:09-cv-04113

專利號碼	專利名稱
US7119429	3-D stackable semiconductor package
US5710459	Integrated circuit package provided with multiple heat-conducting paths for enhancing heat dissipation and wrapping around cap for improving integrity and reliability

(7)4:09-cv-04114

專利號碼	專利名稱
US5597754	A Increased surface area for DRAM, storage node capacitors, using a novel polysilicon deposition and anneal process

五、糾紛進展

目前雙方尚在談判過程之中，尚待進一步消息之揭露。

(1286字；表：2；圖：2)

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