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歐盟啟動晶片聯合計劃,支持歐洲半導體產業發展
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全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件
(
Fully Depleted Silicon-on-Insulator
;
FD-SOI
);
先進製程
;
先進封裝
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寬能隙半導體
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科技產業資訊室 - 林昱均 發佈於 2023年12月14日
圖、歐盟啟動晶片聯合計劃,支持歐洲半導體產業發展
《歐洲晶片法案》(預計至 2030年總預算為158億歐元)的一個關鍵支柱是「歐洲晶片計劃」,旨在大規模提高最先進晶片的技術能力和創新。歐洲晶片計畫將匯集來自歐盟、其成員國、與歐盟計畫相關的第三國以及企業利益相關者的資源,該計劃將主要透過「晶片聯合計劃(Chips Joint Undertaking, Chips JU)」來推動。
今年11月,歐盟執委會正式啟動「晶片聯合計劃」,這將加強歐洲半導體生態系統和歐洲的技術領先地位,促進知識從實驗室到工廠的轉移、彌合研究、創新和工業活動之間的差距,以及促進歐洲產業(包括新創公司和企業)創新技術的商業化。而晶片聯合計劃將透過管理由歐盟和參與國預計至2030年提供近110億歐元的預算來加強歐洲的半導體生態系統和經濟安全,並支持整個價值鏈的擴大和創新。
歐洲晶片計畫的主要行動為四項:
一、建立試商用的創新試驗路線,提供業界最先進的設施來測試、實驗和驗證半導體技術和系統設計概念;
二、為歐盟各地的設計公司部署基於雲端的設計平台;
三、支援量子晶片先進技術和工程能力發展;
四、建立能力中心網路並促進技能發展。
為了發起第一批創新試驗計畫,晶片聯合計劃將提供16.7億歐元,呼籲希望在成員國建立試驗路線的組織(通常是研究和技術組織)參與,就以下方面提出建議:
7 奈米的全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(Fully Depleted Silicon-on-Insulator, FD-SOI):這種電晶體架構是歐洲的創新,對於高速和節能應用具有明顯的優勢。7 奈米路線圖將為下一代高性能、低功耗半導體裝置提供一條道路。
2奈米以下尖端技術:將重點開發2奈米及以下先進半導體的尖端技術,該技術將在從計算到通訊設備、運輸系統的各種應用中發揮重要作用和關鍵基礎設施。
異質系統整合和封裝:異質整合對於創新和提高性能來說是一種越來越有吸引力的技術,它利用先進的封裝技術和新穎的技術將半導體材料、電路或元件組合成一個緊湊的系統。
寬能隙半導體(wide-bandgap semiconductors, WBG):重點在於允許電子設備在比標準矽基設備高得多的電壓、頻率和溫度下運作的材料。寬能隙半導體對於開發高效能電源、更輕的重量、更低的成本和射頻電子產品是必要的。(825字;圖1)
參考資料:
Commission launches Chips Joint Undertaking under the European Chips Act. EU Commission, 2023/11/30
.
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