德州儀器於美國猶他州舉行全新 12 吋半導體晶圓廠動土典禮

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德州儀器新聞稿發表於 2023年11月7日

圖、德州儀器於美國猶他州舉行全新 12 吋半導體晶圓廠動土典禮，
德州儀器總裁兼執行長 Haviv Ilan（左四）、猶他州州長 Spencer Cox（右四）以及公司和社區領導者

2023 年 11 月 6 日德州儀器（TI）位於猶他州 Lehi 的全新 12 吋半導體晶圓廠正式動土。TI 總裁兼執行長 Haviv Ilan 慶祝展開新晶圓廠 LFAB2 建設的第一階段，猶他州州長 Spencer Cox、州立與地方民選官員以及社區領導者亦連袂參與；LFAB2 將與TI 目前位於 Lehi 現有的 12 吋晶圓廠相連。完工後，TI 於猶他州的兩座晶圓廠於全面投產時，每日可製造數以千萬計的類比與嵌入式處理晶片。
Ilan 表示：「今天，我們 TI 在猶他州拓展製造規模的旅程中，踏出了重要的一步。這座新晶圓廠是我們在 12 吋晶圓製造長遠藍圖的一部分，以期望打造符合客戶未來數十年需求的產能。在 TI，我們抱持著以半導體讓電子產品更加經濟實惠的熱情，打造更美好的世界。我們很自豪能作為猶他州社區中持續茁壯的成員，並在此製造對近乎所有類型的電子系統而言，不可或缺的類比與嵌入式處理半導體。」

在 2 月，TI 宣佈其位於猶他州的 110 億美元投資案計畫，創下該州史上規模最大的經濟投資。LFAB2 將創造約 800 個 TI 新職缺及數千個間接的就業機會，最早將於 2026 年首度投產。

猶他州州長 Spencer Cox 表示：「TI 逐漸擴大在猶他州的製造規模，其將能為本州帶來變革，並為猶他州居民提供數百個具有薪資優勢的工作機會，負責製造重要的科技產品。我們非常驕傲由猶他州人在猶他州所製造的半導體，將可推動奠定美國經濟和國家安全基礎的創新技術。」

圖一、德州儀器於猶他州 Lehi 的第二座 12 吋半導體晶圓廠 LFAB2 的早期計畫渲染圖

建立強大的社區
在教育層面，TI 承諾將對高山（Alpine）學區投資 900 萬美元，開發該州第一個科學、技術、工程與數學（STEM）學習社群，從幼稚園到高中 3 年級（K-12）的所有學生都適用。這項多年計畫會更深入將 STEM 概念根植於該區 85,000 位學生的課程中，並且為該區教師和行政人員提供 STEM 導向的專業發展。這項全區計畫可讓學生習得必要的 STEM 技能，例如批判性思考、協作，以及透過創意方式解決問題等，使其更有機會在畢業後獲取成功。

高山（Alpine）學區教育長 Shane Farnsworth 博士表示：「我們很高興這段合作關係將可協助學生發展必要知識與技能，讓他們能做好準備，在生活以及可能的科技業職涯中，獲得成功。在 Lehi 市、德州儀器以及我們的學校共同努力之下，這段合作投資關係將可為學生及其家人帶來正面影響，並而且能延續至未來數代之久。」

以永續發展的方式建置
TI 長久以來始終承諾以負責任且可永續發展的方式製造。LFAB2 將會是 TI 最具環保效益的晶圓廠之一，其設計符合建築認證的結構效率與永續性之高級評等，也就是能源與環境設計領導認證 LEED v4 金級認證。

LFAB2 的目標為 100% 採用再生能源電力供電，且 Lehi 先進的 12 吋設備與製程將可進一步減少廢棄物、用水與能源消耗。事實上，相較於 TI 在 Lehi 的現有晶圓廠，LFAB2 的預期回收水率可達將近兩倍。

創造半導體製造業的新紀元
LFAB2 將可與 TI 現有的 12 吋晶圓廠相輔相成，包括 LFAB1（猶他州 Lehi）、DMOS6 （德州達拉斯）以及 RFAB1 和 RFAB2（均位於德州 Richardson）。TI 亦正於德州 Sherman 建造四座新的 12 吋晶圓廠（SM1、SM2、SM3 和 SM4），預計第一座晶圓廠最早將於 2025 年投產。

隨著 TI 擴大製造規模，以及預期可透過《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）獲得的支援，可望實現穩定的類比與嵌入式處理產品供應。TI 對製造與技術所挹注的投資，說明我們對長期產能規劃所做的承諾。(1254字；圖2)

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