英特爾訂購下一代High-NA EUV微影機 期望在2025年實現量產
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2022年1月22日
圖、英特爾訂購下一代High-NA EUV微影機 期望在2025年實現量產
英特爾有望在2025年採用艾司摩爾 (ASML) 0.55 High-NA EUV 極紫外光微影 (Lithography) 技術。 TWINSCAN EXE:5200系統 一種具有高數值孔徑和每小時200多片晶圓的極紫外 (EUV) 大批量生產系統。
由於，英特爾在第一代極紫外 (EUV) 微影技術方面，明顯落後於其競爭對手台積電和三星，因此肯定希望率先採用具有0.55 NA (或High-NA) 的下一代EUV工具，以提供更高的分辨率和生產力。英特爾宣布已從ASML訂購了第二款實驗性High-NA工具。
英特爾宣布計劃從2025年開始採用ASML的High-NA Twinscan EXE微影儀，進行大批量製造 (HVM)，屆時該公司打算開始使用其18A (~1.8nm) 製造技術。其實，英特爾自2018年獲得ASML的High-NA EUV (Twinscan EXE:5000) 以來，一直在試驗High-NA工具，這是業界首款具有0.55數值孔徑的EUV微影儀。接著，2022年該公司訂購了ASML的下一代高數值孔徑工具Twinscan EXE:5200。據ASML總裁兼首席技術官表示，該型EUV與當前的EUV系統相比，擴展EUV路線圖提供了持續改進，降低了晶片擴展所需的複雜性、成本、週期時間和能量。
High- NA EUV工具對於實現更小晶體管和更高晶體管密度的更高分辨率 (<8nm vs~20nm for 0.33 NA EUV) 至關重要。除了完全不同的光學設計外，高數值孔徑微影儀還承諾提供顯著更快的掩模版和晶圓級以及更高的生產率。例如，ASML Twinscan EXE:5200的生產率超過200片/小時 (WPH)。相比之下，ASML的頂級0.33 NA EUV機器Twinscan NXE:3600D以13.5nm的光波長產生約160 WPH。
就像採用0.33 NA EUV並沒有消除深紫外 (DUV) 的使用一樣，0.55 NA EUV也不會取代現代晶圓廠中現有的DUV和EUV工具。事實上，ASML計劃在未來幾年繼續開發更先進的DUV和0.33 NA EUV微影儀。同時，High-NA EUV技術將成為縮小電晶體管尺寸和提高晶體管密度的關鍵技術。
艾司摩爾 (ASML) 是EUV獨家供應商，邁向2奈米競爭下世代EUV設備再飆上新天價。據知，下世代High-NA EUV設備因為精密度更高、設計零件更多，售價更高達約3億美元，來自英特爾、三星、台積電這三大主要客戶，截至去年第4季訂單已有五台。其中，最新款機種「EXE:5200」由英特爾率先搶下，報價逾3.4億美元，再創歷史新高價。目前ASML第一代High-NA EUV，稱為EXE：5000，吞吐量可達185 wph，計劃於2022年推出。至於更快版本的EXE：5200是預計於2024年推出，而英特爾推遲到2025年量產。
下世代EUV設備飆漲，也大舉拉高台積電今年 (2022) 資本支出，總金額上看440億美元，年增幅33%，相關支出多數用於先進製程，業界認為，先進製程朝2奈米推進，下世代EUV設備扮演關鍵角色。(766字；圖1)
參考資料：
Intel and ASML strengthen their collaboration to drive High-NA into manufacturing in 2025. ASML, 2022/1/19.
Intel Orders Second High-NA EUV Scanner: On-Track for Mass Production in 2025. Tom's Hardware, 2022/1/20.
英特爾調整2025年製程和封裝技術藍圖──拋棄節點命名、採用兩大開創性技術。科技產業資訊室(iKnow)，2021/7/28。
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