即使武漢弘芯解散，中國發展半導體的目標不受任何影響
科技產業資訊室 (iKnow) - Kyle & May 發表於 2021年3月8日
圖、即使武漢弘芯解散，中國發展半導體的目標不受任何影響
武漢弘芯（HSMC）於2021年3月5日正式解散，這是一場鬧劇或中國發展半導體的典型代表。但是，中國發展半導體的決心不會因此而退縮！
武漢弘芯成立於2017年且於2020年開始研發7奈米製程，原計劃從中國政府和國有企業獲得1,280億人民幣（約200億美元）的投資，且從台積電和其他半導體公司聘請高階人員與人才，但最後其實際從政府中獲得的資金不到23億美元，遠低於預期。
尤其，半導體技術受制於美國管制出口限制，中國半導體發展的腳步變得緩慢，甚至許多中國半導體企業最後面臨解體的命運。儘管，代表性半導體公司倒閉的衝擊，但中國半導體產業仍是在成長階段，尤其是外資在中國擴建半導體廠，例如：三星擴建西安廠，台積電南京廠16奈米擴建。
目前，中國政府聚焦於實現邏輯和記憶體半導體自給自足生產的計劃。首先，長江存儲於2020年宣布開發出128層3D NAND，現今已經實現大量生產，良率也達到75%以上。該公司於2021年1月底，又宣布最新研發的192層堆疊的NAND快閃記憶體，將會2021年進行試產。在NAND產能上，預計在2021年下半年開始，每月記憶體晶片產能將翻一番，最終實現10萬片晶圓的產能，約佔全球7%的佔有率。未來還將進一步突破至30萬片產能，期望能夠超越美光的每月18萬片晶圓目標。
其次，長鑫存儲最近已從中國政府獲得大量投資。該公司正在製造19奈米DRAM，產能為每月4萬片晶圓。計劃在不久的將來可以將17奈米DRAM帶入量產階段。長鑫存儲更是預計到2021年底，其總產量將增至每月7萬，大約佔全球DRAM總產量的5%。
最後，中芯國際公告終於2021年3月1日獲得美國政府的供貨許可，讓其可獲得部分成熟製程的DUV設備，至於14奈米EUV關鍵設備仍未獲通過許可。為了因應全球晶片緊缺，中芯國際決定對成熟製程擴大投資，因而預計2021年資本支出為43億美元，其中大部分用於成熟製程擴產，小部分用於先進製程、北京新合資項目土建及其他。並計畫，於2021年將用於成熟製程的12吋晶圓廠產能擴產至1萬片，8吋晶圓產線擴產不少於4.5萬片。
現在看起來，長江存儲（YMTC）將專攻NAND型快閃記憶體，而長鑫存儲（CXMT）將專攻DRAM，中芯國際將專攻晶圓代工製造，成為中國半導體發展的鐵三角。尤其，中國在北斗衛星、超級電腦等領域，已有能力生產自主晶片。（810字）
參考資料：
Semiconductor Industry: Chinese Semiconductor Industry Not Going Away. BusinessKorea, 2021/3/3
China's top maker of memory chips plans to double output in 2021. Nikkei Asia, 2021/1/12
China’s most important chipmaker SMIC could be a big winner from the global semiconductor shortage. CNBC, 2021/3/1
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