中國『十四五規劃』投入10兆人民幣拚第三代半導體自主
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發佈於 2020年9月4日
圖、 中國『十四五規劃』狠砸10兆人民幣拚第三代半導體自主
所謂第三代半導體係指材料以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）及硒化鋅等寬能隙半導體為主，有別於第一代的矽（Si）、第二代的砷化鎵（GaAs）之半導體材料。
半導體晶片關乎未來新興產業發展，從自駕車、5G/6G、太空、AI、量子高速運算等等。未來三年，隨著中國新基建計畫的國內國際"雙循環"相互拉動，期望第三代半導體產業將有超40%的市場增速，特別在新能源汽車、新一代通訊5G/6G、軍用雷達、數據中心等領域啟動規模應用。
由於，面對美國及其同盟國家以半導體及晶片領域管制出口以圍堵中國的科技發展，中國大陸必須有破釜沉舟之心來突圍。大陸將正在規劃「十四五（第14個五年）規劃」納入半導體策略重點發展，預計2020年10月提出相關關鍵技術領域投注約人民幣10兆元，力求發展第三代半導體產業完全自主能力。
中國大陸業者對第三代半導體產業的投資建設也正在加碼，例如：三安光電近年來布局砷化鎵、碳化矽等產品且出貨，今年(2020) 7月20日，投資人民幣160億元、占地面積1000畝的「三安光電第三代半導體產業園」，在長沙高新區啟動開工建設。還有，華為旗下哈勃科技投資出手投資了大陸第三代半導體材料碳化矽企業。
據市場分析機構賽迪顧問統計，2019年在射頻元件領域氮化鎵占比超過30%，氮化鎵市場規模約5.6億美元；到2025年，氮化鎵在射頻元件領域占比有望超過50%，市場規模有望衝破30億美元。碳化矽方面，2019年全球碳化矽市場規模約5.4億美元，在2025年有望達到30億美元，其中，汽車市場將成為碳化矽市場規模增長的重要驅動力。其實，碳化矽、氮化鎵的市場潛力還未被全部挖掘。
事實上，半導體技術發展需要人才、資金及技術的長久累積，中國要發展出完全自主技術的困難度很高，可能沒有10多年功夫也很難有所成果。然而，中國大陸認為直接切入第三代半導體材料以碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）為主，或許有機會解除美國去中國化的金箍咒，讓中國的半導體產業自主化。中國追求半導體技術自主仍將是以IC設計為主軸，採用開源架構為重點方向，進行物聯網相關晶片開發，以達成完全自主目標的發展策略。其中，朝向RISC-V開放CPU架構結合物聯網是選項之一，以降低美國牽制風險。
美中兩大強權競爭關乎未來世界霸權老大地位，所以，打壓中國將成為美國長期國家戰略，短期間不會落幕。(624字；圖1)
參考資料：
第三代半導體產業將寫入十四五規畫。鳳凰網，2020/9/3。
美國箝制中國大陸在半導體產業發展的最後底線？科技產業資訊室 (iKnow)，2020/8/28。
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