韓國欲藉由次世代記憶體來拯救正在傾倒的半導體帝國

根據韓國半導體業者表示，DRAM製程如要更加精細的話，Cell和電容器的大小也要跟著縮小，薄膜厚度也得跟者變薄，但現在使用的High-K材料在物理性質上已經到達極限，無法再更細薄。

因此，韓國半導體業者開始研發能夠取代DRAM的新記憶體。其中，可以藉由電阻驅動的RRAM和MRAM立即成為次世代記憶體的當紅炸子雞，畢竟和現階段的DRAM相比，RRAM和MRAM不僅讀寫速度快、耐久性更高達數十至數百倍之多，還具有關掉電源後資料不會消失的非揮發特性（如圖一）。若再加上內部構造相對簡單的極紫外光源設備（Extreme Ultraviolet，EUV）的話，就理論上而言，製程可精細到2奈米等級，耗電量也會更低。

儘管截至目前為止，MRAM仍處於90奈米製程的階段，但預計很快就能進展到20奈米製程，而MRAM的進階產品「STT-MRAM（自旋磁性傳輸記憶體）」是一種能在特定薄膜調整電子自旋方向，進而控制電流的新式記憶體，因為具備DRAM最重要的「高速轉換」性質，卻比DRAM結構單純，相對DRAM而言更容易做到10奈米以下的製程，且比其他次世代記憶體的可靠度高。所以受到三星電子、SK海力士和美光等全球前三大半導體企業視為次世代策略型記憶體產品。然而相關研發尚在早期階段，要達到商用化階段仍有相當長的距離，以及大容量等困難需要克服。

韓國證券分析師認為，韓國半導體企業早在10多年前就開始進行MRAM、RRAM的相關研究，只是DRAM和NAND Flash仍相當具有市場競爭力，使業者無法專注在新產品的開發上。然而，儘管不是全力投入但在經過多年的努力之下，MRAM與RRAM的前期研究的理論驗證已經完成。現階段的目標是要取得大容量和量產的技術，後續還要針對製程、可靠度的提高再去做進一步的研究開發，預計要到2018年以後才能問世。

近來頻頻受到中國威脅的韓國半導體產業能否搶得次世代記憶體技術先機，將成為能否繼續稱霸全球半導體龍頭的關鍵點。(857字；圖1)

圖二、Memory半導體的特性比較

資料來源：Digital Times

資料來源：

1. 메모리 반도체 ‘세대교체’… M램·Re램 시대 열린다。Digital Times，2015/06/16。網址：http://www.dt.co.kr/contents.html?article_no=2015061602100351794001
2. [무너지는 한국반도체 R&D]<2>차세대 STT-M램 상용화 앞당기는 신뢰성 연구 절실。電子新聞，2015/10/20。網址：http://www.etnews.com/20151019000206

1. 韓國政府將扶植智慧保健產業發展
2. 韓國2016年科技產業扶植預算小幅減少 達到143.3億美元
3. 韓國砸下1億仍無法改變新創企業的命運
4. 韓國三星集團積極投入汽車與工業機器人之觀察
5. 韓國打造濟州島成為第13家創造經濟創新中心