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專利授權公司Tela控告台積電侵害其閘極長度偏壓調整專利

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科技產業資訊室 (iKnow) - SYL 發表於 2014年1月8日

2013年12月23日,營業處所設於加州的專利授權公司Tela Innovations, Inc.(下稱Tela,相關背景資訊請參見本網站過往報導《Tela Innovations對HTC等手機大廠提起337調查及IC專利侵權訴訟》),向美國德拉瓦州聯邦地院提起專利侵權告訴,控告我國半導體大廠台積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited,TSMC)及其美國子公司TSMC North America,其所生產銷售之標準元件(standard cells)、標準元件庫(standard cell libraries)、測試晶圓、工程晶圓、半導體、積體電路等裝置產品,直接侵害Tela所擁有的閘極長度偏壓調整方法(gate-length biasing methodology)相關之專利權利。Tela亦主張,台積電提供其顧客使用的半導體設計規範(design rules)或標準元件庫,就系爭專利構成間接侵權。同一天,Tela Innovations也在美國ITC提起337調查。

本案系爭專利為美國專利編號US 8,490,043,名稱為「具備被註解閘極長度偏壓調整之電晶體的標準元件(Standard cells having transistors annotated for gate-length biasing)」,於2013年7月16日核發,發明人為Blaze DFM Inc.(於2009年被Tela所併購)的共同創辦人Puneet Gupta與Andrew B. Kahng(兩人目前分別是UCLA的助理教授與UC San Diego的教授)。系爭專利發明所指涉的閘極長度偏壓調整方法,是透過調整閘極長度來減少半導體製造過程之漏電功耗。

Tela在其訴狀中指出,台積電曾為Tela專利技術(包括後來發展成本案系爭專利的專利申請案)的被授權人,所以台積電對系爭專利有所知悉;而台積電在授權期間屆滿且系爭專利被核發後,仍持續提供被控侵權產品之行為則是構成惡意侵權(willful infringement)。

根據台積電在2008年所發布的新聞,當時其取得Blaze DFM Inc.之獨家授權技術,整合Blaze公司的節能最佳化專利技術與台積公司的先進製程技術,為客戶提供最新的降低功耗服務(Power Trim Service),而前述專利授權關係應為Tela在其訴狀中所指涉者。

在2013年10月24日,台積電向美國專利商標局(USPTO)的專利審判暨上訴委員會(Patent Trial and Appeal Board,PTAB)、就本案系爭專利提起進行多方複查程序(Inter Partes Review) 之請求(案號為IPR2014-00094)。而Tela在其訴狀中亦指陳,台積電過往亦針對Tela所擁有之與系爭專利技術相關聯的其他專利,提起進行多方複審(Inter partes reexamination)之請求,例如美國專利編號US 7,441,211(案號為95/001,832)、US 8,127,266(案號為95/002,207)、US 8,185,865(案號為95/002,214)等。而本案訴訟之提起,或代表台積電與Tela之間的專利戰將進入更白熱的階段。(1093字;表2)

表一、請求項解析

US 8,490,043 請求項1
1. A standard cell library stored on a computer readable storage, the standard cell library used by a processor to produce a layout for fabricating at least one aspect of a finished semiconductor device, comprising:
一項儲存在一電腦可讀取儲存裝置上的標準元件庫,前述標準元件庫被一處理器使用來產出、用於製造至少一部分半導體裝置成品之布局,其包括
the standard cell library containing cells wherein at least one transistor in at least one cell is identified by an annotation, and
前述標準元件庫包含元件,其中在至少一個元件中的至少一個電晶體被一註解所識別
the annotation itself also identifies a gate length biasing to be applied to the at least one transistor of the at least one cell when the processor produces the layout,
前述註解本身亦識別出一閘極長度偏壓調整,其被應用在前述至少一個元件中的至少一個電晶體上,當前述處理器要產出前述布局時
wherein the gate length biasing is an amount of change to a gate length of the at least one transistor, the amount of change is defined by the annotation;
其中前述閘極長度偏壓調整為前述至少一個電晶體閘極長度的改變量,前述改變量由前述註解所界定
wherein the amount of change is a sign of positive or negative amount of change of the gate length;
其中前述改變量為閘極長度之正或負改變量的符號
wherein the amount of change is identified as nanometer values between about 1 nanometer and about 5 nanometers;
其中前述改變量以介於約1奈米至約5奈米間之奈米數值來識別
wherein the amount of change represents design-specific directives that require implementation; and
其中前述改變量代表需要被執行的設計特有指令
wherein the amount of change is predefined to allow passage by a design rule checker (DRC) tool.
其中前述改變量被預先設定來通過設計規範驗證(DRC)工具之驗證
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2014/01

表二、專利訴訟案件基本資料:Tela控告台積電

訴訟名稱 Tela Innovations Inc. v. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited et al Tela Innovations Inc. v. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited et al
提告日期 2013年12月23日 2013年12月23日
原告 Tela Innovations Inc. Tela Innovations Inc.
被告 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
TSMC North America
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
TSMC North America
案號 1:13-cv-02087-UNA 337-TA-
訴訟法院 the U.S. District Court for the District of Delaware US ITC
系爭專利 US 8,490,043 US 8,490,043
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2014/01


 
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