延續「三星AMOLED歷年專利數量、技術分類與研發網絡」一文,可以知道,參與三星AMOLED研發工作的機構,包括三星本身及其關係企業、學術機構,以及其他企業。本文繼續從其分工狀況進行分析。
基本上,AMOLED研發工作主要還是以三星本身及其關係企業為主,佔所有專利的98%。從歷年來獲得美國專利權的狀況來看,Samsung SDI與Samsung OLED是最先投入相關技術研發的機構,從2004年開始陸續取得專利權。不過,後者卻像曇花一現般,僅在2004年取得相關技術的專利權,之後就一直都沒有看到再出現與AMOLED相關的專利。一直到2010年之後,第二波則由Samsung Mobile Display與Samsung Electronics接手,其中,又以後者投入時間較早,從2005~2006年就開始取得美國專利權;Samsung Mobile Display則是從2008年之後才開始,而且每一年都有大量專利陸續出現。整體來看,在其他機構專利量都呈現向下趨勢之下,第三波則很有可能放在Samsung Display上,因為從2012到今年 (2013) 5月31日止,就已經開始出現明顯專利(量)上增趨勢。
圖一 三星本身及其關係企業投入AMOLED研發活動歷年狀況
在第一波攻勢中,三星在AMOLED研發上,主要集中在「用電發光面板」(G09G 3/30;23篇)這類技術,其次是「螢光屏;外殼上發光塗層材料之選擇」(H01J 1/62;18篇) 與「按其晶體結構而區分者,例如:多晶者,立方體者,晶面特殊取向者;12篇」(H01L 29/04)這兩個分類。
表一 三星第一波投入AMOLED研發TOP 10技術分類
IPC |
說明 |
G09G003/30 |
用電發光面板 |
H01J001/62 |
螢光屏;外殼上發光塗層材料之選擇 |
H01L029/04 |
按其晶體結構而區分者,例如:多晶者,立方體者,晶面特殊取向者 |
G09G005/00 |
通用於陰極射線指示器或其他視覺指示器的視覺指示控制裝置或電路 |
H01J063/04 |
有發光塗層之管殼;塗層材料之選擇 |
G09G003/32 |
半導體者,如二極體 |
H05B033/00 |
場致發光光源 |
G09G003/10 |
用氣體管 |
G09G003/36 |
使用主動矩陣液晶顯示者 |
H01L033/00 |
至少有一個電位能障或表面能障之適用於光發射,如紅外線發射之半導體裝置;製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有之方法或設備;此等光導體裝置之零部件 |
從件數來看,第二波攻勢則明顯增強許多,成長比例高達3~4倍。其中,又以「螢光屏;外殼上發光塗層材料之選擇」(H01J 1/62;79篇) 最多,其次是「用電發光面板」 (G09G 3/30;76篇)。另外,與第一波攻勢不同、新增加的技術分類則有「適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備」(H01L 21/00;49篇)、「使用有機材料或其與其他材料的組合務作為主動部分的固態裝置;專門適用於處理這些元件或其部件的技術方法或設備」(H01L 51/00;22篇),以及「包括有對紅外輻射,光,較短波長之電磁輻射或較短波長之微粒子輻射,或者微粒輻射敏感者,並且適用於將此種輻射能轉換為電能,或適用於經由此種輻射控制電能之半導體元件者」(H01L 27/14;18篇)、「以其晶體結構或以結晶面之特殊取向為特徵者」(H01L 31/036;18篇)。
表二 三星第二波投入AMOLED研發TOP 10技術分類
IPC |
說明 |
H01J001/62 |
螢光屏;外殼上發光塗層材料之選擇 |
G09G003/30 |
用電發光面板 |
H01L021/00 |
適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備 |
H01J063/04 |
有發光塗層之管殼;塗層材料之選擇 |
H01L029/04 |
按其晶體結構而區分者,例如:多晶者,立方體者,晶面特殊取向者 |
G09G003/32 |
半導體者,如二極體 |
G09G003/36 |
使用主動矩陣液晶顯示者 |
H01L051/00 |
使用有機材料或其與其他材料的組合務作為主動部分的固態裝置;專門適用於處理這些元件或其部件的技術方法或設備 |
H01L027/14 |
包括有對紅外輻射,光,較短波長之電磁輻射或較短波長之微粒子輻射,或者微粒輻射敏感者,並且適用於將此種輻射能轉換為電能,或適用於經由此種輻射控制電能之半導體元件者 |
H01L031/036 |
以其晶體結構或以結晶面之特殊取向為特徵者 |
目前,Samsung Display在AMOLED相關技術的研發上,則集中在G09G 3/30 (15篇),其次是 H01J 1/62 (12篇)。其他與前二波不同的技術分類,則是專門用於光發射,例如有機發射二極體(OLED)或聚合物發光裝置(PLED)「元件的零部件」(H01L 51/52;6篇)。
表三 三星第三波投入AMOLED研發TOP 10技術分類
IPC |
說明 |
G09G003/30 |
用電發光面板 |
H01J001/62 |
螢光屏;外殼上發光塗層材料之選擇 |
H01L021/00 |
適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備 |
H01L029/04 |
按其晶體結構而區分者,例如:多晶者,立方體者,晶面特殊取向者 |
H01L051/00 |
使用有機材料或其與其他材料的組合務作為主動部分的固態裝置;專門適用於處理這些元件或其部件的技術方法或設備 |
G09G003/32 |
半導體者,如二極體 |
H01J063/04 |
有發光塗層之管殼;塗層材料之選擇 |
H01L051/52 |
元件的零部件 |
G09G005/00 |
通用於陰極射線指示器或其他視覺指示器的視覺指示控制裝置或電路 |
H01L027/14 |
包括有對紅外輻射,光,較短波長之電磁輻射或較短波長之微粒子輻射,或者微粒輻射敏感者,並且適用於將此種輻射能轉換為電能,或適用於經由此種輻射控制電能之半導體元件者 |
在學術機構及其他企業的部份,基本上,專利量都不多,在1至3篇之間。Samyang EMS最早參與,再來是Korea Advanced Institute of S&T、Seoul National University與Hanyang University,第三波則是Younsei University。其中,三星與Hanyang University間的合作最頻繁,其次是Seoul National University。
圖三 學術機構及其他企業參與三星AMOLED研發活動歷年狀況
在與學研機構合作這部份,專利件數並不多。其中,又以 G09G 3/30、G09G 3/32 與G09G 3/36 最多,不過也僅各有2篇。技術落點與表一至表三中所述分類,則有些許差異,包括「利用可移動或可變形的光學元件以控制光之強度,顏色,相位,偏振與方向之光學器件或裝置,如開關,選通,調變」 (G02B 26/00)、「基於電色元件者」 (G02F 1/15),以及「半導體材料於基片上之沉積,如磊晶成長」 (H01L 21/20、H01L 21/36) 等分類,都不是三星及其關係企業在AMOLED研發上TOP 10的技術分類。
表四 三星與學研機構合作投入AMOLED研發TOP 10技術分類
IPC |
說明 |
G09G003/30 |
用電發光面板 |
G09G003/32 |
半導體者,如二極體 |
G09G003/36 |
使用主動矩陣液晶顯示者 |
G02B026/00 |
利用可移動或可變形的光學元件以控制光之強度,顏色,相位,偏振與方向之光學器件或裝置,如開關,選通,調變 |
G02F001/15 |
基於電色元件者 |
H01L021/00 |
適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備 |
H01L021/20 |
半導體材料於基片上之沉積,如磊晶成長 |
H01L021/36 |
半導體材料於基片上之沉積,如磊晶成長 |
H01L021/84 |
基板為半導體以外者,例如絕緣體者 |
H01L027/14 |
包括有對紅外輻射,光,較短波長之電磁輻射或較短波長之微粒子輻射,或者微粒輻射敏感者,並且適用於將此種輻射能轉換為電能,或適用於經由此種輻射控制電能之半導體元件者 |
小結
由表五可以清楚看出來,三星及其關係企業在第一波到第三波主攻技術分類的遷移狀態。同時,與學研機構間的分工也十分明顯。從第一波到第三波的技術落點來看,「用電發光面板、螢光屏;外殼上發光塗層材料之選擇」、「按其晶體結構而區分者,例如:多晶者,立方體者,晶面特殊取向者」、「有發光塗層之管殼;塗層材料之選擇」,以及「半導體者,如二極體」等,一直都是三星在AMOLED技術研發上的基調。
第二波之後,開始重視「適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備」、「使用有機材料或其與其他材料的組合務作為主動部分的固態裝置;專門適用於處理這些元件或其部件的技術方法或設備」,與「包括有對紅外輻射,光,較短波長之電磁輻射或較短波長之微粒子輻射,或者微粒輻射敏感者,並且適用於將此種輻射能轉換為電能,或適用於經由此種輻射控制電能之半導體元件者」等相關技術。
與學研機構間的合作,除了強化原本三星在AMOLED研發工作上的基調項目外,也協助三星在其他項目上的研發工作,包括「針對利用可移動或可變形的光學元件以控制光之強度,顏色,相位,偏振與方向之光學器件或裝置,如開關,選通,調變」、「基於電色元件者」、「半導體材料於基片上之沉積,如磊晶成長」,以及「基板為半導體以外者,例如絕緣體者」等相關技術。(1813字)
表五 三星AMOLED研發網絡技術分工落點
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三星及其關係企業
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學研機構
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其他
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第一波
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第二波
|
第三波
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用電發光面板 |
V
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V
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V
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V
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|
螢光屏;外殼上發光塗層材料之選擇 |
V
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V
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V
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|
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按其晶體結構而區分者,例如:多晶者,立方體者,晶面特殊取向者 |
V
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V
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V
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通用於陰極射線指示器或其他視覺指示器的視覺指示控制裝置或電路 |
V
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V
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有發光塗層之管殼;塗層材料之選擇 |
V
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V
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V
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半導體者,如二極體 |
V
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V
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V
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場致發光光源 |
V
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用氣體管 |
V
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使用主動矩陣液晶顯示者 |
V
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V
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V
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至少有一個電位能障或表面能障之適用於光發射,如紅外線發射之半導體裝置;製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有之方法或設備;此等光導體裝置之零部件 |
V
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|
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適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備 |
|
V
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V
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V
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V
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使用有機材料或其與其他材料的組合務作為主動部分的固態裝置;專門適用於處理這些元件或其部件的技術方法或設備 |
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V
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V
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|
包括有對紅外輻射,光,較短波長之電磁輻射或較短波長之微粒子輻射,或者微粒輻射敏感者,並且適用於將此種輻射能轉換為電能,或適用於經由此種輻射控制電能之半導體元件者 |
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V
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V
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V
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|
以其晶體結構或以結晶面之特殊取向為特徵者 |
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V
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元件的零部件 |
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V
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利用可移動或可變形的光學元件以控制光之強度,顏色,相位,偏振與方向之光學器件或裝置,如開關,選通,調變 |
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V
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基於電色元件者 |
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V
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半導體材料於基片上之沉積,如磊晶成長 |
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V
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基板為半導體以外者,例如絕緣體 |
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V
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