美光控告聯電侵害營業秘密 我國二審判聯電罰金2000萬
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2022年1月27日
圖、美光控告聯電侵害營業秘密 我國二審判聯電罰金2000萬
聯電公司原未設置光罩下線組及離子植入專業人員，因被告王永銘提供美光DR25nmS設計規則製程予聯電公司後，開發F32 DRAM設計規則，略過光學近階干擾修正、蝕刻及黃光等過程測試，將設計規則完成，交由晶片設計廠商進行下一階段設計，降低製作設計規則所需時間、金錢、設備及人力成本。
美光科技2017年控告晶圓代工大廠聯電，主張聯電透過挖角美光前員工，竊取美光的營業祕密，並協助福建晉華開發動態隨機存取記憶體DRAM製程，何建廷、王永銘等美光前主管更帶槍投靠跳槽至聯電，因此在2017年下半年，分別在台中地方法院檢察署與美國司法部控告聯電侵害營業秘密。後來雙方2021年11月達成全球和解協議。
原先，台中地院2020年一審依營業秘密罪嫌判處：
- 戎樂天6年6月徒刑，併科罰金600萬元；
- 王永銘4年6月，併科罰金400萬元；
- 何建廷5年6月徒刑，併科罰金500萬元，另外聯電則被處罰金1億元。
現在，智慧財產法院改判：
- 戎樂天涉嫌違反營業秘密部分，公訴不受理；
- 王永銘6月徒刑，併科罰金200萬元，緩刑2年，緩刑期間內付保護管束，並提供100小時義務勞務；
- 何建廷1年徒刑，併科罰金100萬元，緩刑4年，並提供200小時義務勞務；聯電被處罰金2000萬元，緩刑2年。
智慧財產法院指出，美光公司與員工簽訂有聘僱合約與保密及智慧財產合約，何建廷、王永銘與美光公司簽有保密及智慧財產權合約，應已知悉公司保護營業秘密相關規範，但2人卻為轉職利益，分別由何建廷不為刪除、銷毀美光公司營業秘密進而重製、使用，另外王永銘也擅自重製美光公司營業秘密，提供DR25nmS設計規則參數數值，洩漏給聯電主管戎樂天，影響美光公司權益甚大。
另外，戎樂天雖知悉王永銘持有美光公司DR25nmS設計規則及其離子植入等參數跳槽，並將該資料轉為推動聯電公司開發F32奈米DRAM技術用途，不過智財法院認為，戎樂天並未參與聯電與晉華兩家公司議約與合作過程，尚不足認戎樂天有於中國大陸地區使用本案營業秘密意圖。
智財法院認為，聯電和美光已達成和解，美光已具狀對本案撤回告訴，對於非告訴乃論部分，對被告從輕量刑判決結果無意見，且何建廷、王永銘已認罪，聯電也積極謀求補償，故認三者應知所警惕，而無再犯之虞，因此都給予緩刑。(963字；圖1)
參考資料：
智慧財產及商業法院109年度刑智上重訴字第4號違反營業秘密法案件新聞稿。智慧財產及商業法院，2022/1/27。
聯電認罪「竊美光營業秘密」美判罰6000萬美元、聯電啟動併購擴大代工。科技產業資訊室(iKnow)，20210/10/29。
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