意法半導體全球首家採用8吋晶圓製造SiC，有助於降低成本帶來競爭力
科技產業資訊室 (iKnow) - Kyle 發表於 2021年8月2日
圖、意法半導體全球首家採用8吋晶圓製造SiC，有助於降低成本帶來競爭力
根據意法半導體表示，首批8吋SiC晶圓片在品質上，受晶片良率和晶體差排缺陷非常少。意法半導體之所以能取得低缺陷率，主要原因2019年其收購Norstel公司，讓其在SiC錠生長技術開發方面獲得深厚積累的經驗。除了晶圓片滿足嚴格的品質標準外，SiC晶圓升級到8吋還需要對製造設備和整體支援生態系統進行升級更換。意法半導體正在與供應鏈上下游技術廠商合作開發自己的製造設備和製程。
意法半導體量產的STPOWER SiC是在義大利的Catania和新加坡的宏茂橋兩家6吋晶圓廠完成，後端的組裝與測試則是在中國的深圳和摩洛哥的Bouskoura兩家封測廠進行。未來隨著8吋廠建廠完成，將能進入更先進的、且具高成本效益的階段。意法半導體希望到2024年SiC晶圓升級到8吋之前，能夠在SiC基板上建立新廠，並超過40%是由內部生產而得。
未來幾年，汽車和工業市場正在加快推進系統和產品電動化進程，因而讓SiC晶圓升級到8吋將會它們在汽車和工業領域帶來優勢。畢竟，在整個製造鏈中，透過內部SiC生態系統積累深厚的專業知識很重要之外，其必須擴大產量，並採取規模經濟戰略，讓其在製造靈活性，以及更有效地控制晶圓片的良率和品質獲得一定平衡。
根據ReportLinker研究指出，2020年全球碳化矽（SiC）功率半導體市場規模達6.2872億美元，預計到2026年將達47.0871億美元，從2021至2026年之間的年複合成長率將達42.41%。尤其隨著電動車和工業製造過程中，SiC功率的應用比例不斷提高，這給意法半導體搶奪市場帶來新的競爭力。
根據專家表示，與6吋晶圓相比，8吋晶圓可增加產能，亦可將製造積體電路可用面積擴大1倍之多，因此可運作晶片產量是6吋晶圓的1.8至1.9倍。
以成本角度來看，近年來許多競爭者正透過新的SiC設計來滿足電動車日益增長的高功率要求。然而，SiC仍然比矽貴得多，而且矽技術也在不斷進步，如果意法半導體能夠透過8吋晶圓廠製造，這能夠完成系統設計總體成本的降低，就成為勝出的關鍵了。（760字）
參考資料：
STMicroelectronics Manufactures First 200mm Silicon Carbide Wafers. Globe Newswire, 2021/7/27
The global silicon carbide power semiconductor market was valued at USD 628.72 million in 2020, and it is expected to reach USD 4708.71 million by 2026, registering a CAGR of 42.41% during the period 2021-2026. Globe Newswire, 2021/7/20
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