︿
Top

隨著Imec突破GaN技術,加劇GaN與SiC在高電壓應用競爭

瀏覽次數:6357| 歡迎推文: facebook twitter wechat twitter twitter

科技產業資訊室 (iKnow) - Gloria 發表於 2021年5月10日

圖、隨著Imec突破GaN技術,加劇GaN與SiC在高電壓應用競爭
 
功率電子和汽車的需求不斷成長,使得化合物半導體的前景逐步看俏。畢竟,SiC與GaN在較少的功率消耗下,具有較高的效率,已經成為航空太空、軍事和國防,以及汽車等領域,趨之若鶩的技術。

基本上,SiCGaN半導體已開始用於車載充電、EV變頻器、和太陽能變頻器之中。但是,SiCGaN貴,並且具有耐高壓的能力,因此SiC主要是用於電動車中有高附加值的應用領域。到目前為止,電動車等高電壓(1200V)應用只能使用SiC技術。

但是隨著,半導體研究所Imec和設備製造商Aixtron已成功製造了適用於8吋晶圓的1200V應用的GaN緩衝層之後,這一情況將改觀。

Imec是比利時研究實驗室,於2019年營收總計為6.4億歐元。而Aixtron是領先的GaN半導體製程的MOCVD設備供應商。

基本上,8吋晶圓的GaN-on-Si技術要獲得650V以上工作電壓,一直是一種挑戰,因為要在8吋的矽晶片上生長足夠厚的GaN緩衝層很困難。這一次Imec採用Aixtron的設備,已經開發了適用於Qromis QST基板上1200V應用的GaN緩衝層外延生長,從而能夠實現與常規CMOS類似的處理。展望未來,基於GaN的技術應可在20V至1200V的範圍內應用。

基本上,採用了比SiC便宜的GaN技術,這使得高性能化合物半導體的生產,將變得更加活躍且具商機。GaN半導體製程中,用於GaN層沉積的MOCVD設備非常重要。目前MOCVD設備主要由美國的Veeco和德國的Aixtron製造。這樣的發展將對相關產業將產生影響。

根據Verified Market Research的數據,2020年全球GaN半導體器件市場的價值為16.3億美元,預計到2028年將達到55.3億美元,從2021年到2028年的年平均複合成長率為16.53%。如果未來GaN能夠拓展更多應用領域,其成長潛能將會加大。

2020年1月,Qromis獲得了由日本SPARX的未公開投資,其中很大一部分資金是來自於豐田汽車。此外,Qromis還與日本信越化學簽署了專利授權協定,信越負責生產QST基板和GaN-on-QST外延晶圓;而信越將借助QST基板擴充其現有的GaN-on-Si產品陣容。

由於,Qromis主要代工合作夥伴是Vanguard國際半導體(VIS),將關鍵技術授權給台積電。這給GaN晶片大量生產,進而挑戰SiC地位帶來了希望。畢竟,具價格優勢的GaN,有機會於未來一段期間,逐步打開電動車等高電壓應用的市場大門。(779字)


參考資料:
Semiconductor Industry: High Voltage (1200V) GaN Technology Development. Business Korea, 2021/5/4
Epitaxial growth of GaN buffer layers demo-ed at Imec. Electronics Weekly, 2021/5/3
 
 
相關文章:
1. 電動車電子元件材料GaN和SiC相互競逐
2. 第三代半導體SiC發展應用於電動車
3. SiC是下一代電動車性能提升的關鍵
4. 從2021年起將全面採用GaN和SiC半導體、台積電代工扮要角
5. 加速投資第三代半導體SiC與GaN,台積電專攻GaN代工,其他大廠與南韓聚焦SiC
6. GaN和SiC半導體2021年市場迅速增長

 
歡迎來粉絲團按讚!
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1.科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述,僅為提供更多訊息,也不構成任何投資建議。
2.著作權所有,非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載,本中心保留一切法律追訴權利。