摩爾定律大突破、EUV助1.5奈米於2030年開出
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2018年5月23日
圖、先進半導體製程與EUV導入時間表
圖片來源：ASML, 2018
摩爾定律出現重大突破。半導體設備廠艾斯摩爾（ASML）確認1.5奈米製程的發展性，支撐摩爾定律延續至2030年。摩爾定律未亡，至少EUV微影技術還可用15年。半導體製造技術進入10nm之後，難度越來越大。為此，Intel多次調整了產品策略，10nm的產品推遲到2019年，以致於很多人認為摩爾定律將死。當7nm製程節點將開始採用ASML開發EUV微影技術，這將會支持未來15年半導體製造業。ASML表示，部分客戶已經在討論2030年的1.5nm製程路線圖了。
所謂摩爾定律是指半導體製程每18個月，就會推進一個世代。由於電晶體愈做愈小、電路線寬愈來愈窄，幾乎已達到物理極限，一度引起業界憂心半導體先進製程，將面臨無法繼續升級的問題。半導體晶片製造過程，光刻是非常關鍵的一步，決定了晶片的技術水平。目前使用的是沉浸式微影技術，未來則是EUV（極紫外光機）。不過EUV機台設備成本很高昂，一部約1.2億美金。
當中美貿易戰引發中興禁售令發布後，中芯隨即向ASML訂購EUV機台。這是中芯首次採購EUV設備，預定2019年出貨。據了解，台積電訂購了10台EUV機台、三星訂購6台、英特爾3台、GlobalFoundries訂1台。只不過，中芯以目前28nm傾國家資本之力追趕國際大廠，在挖來粱孟松協助搶攻14nm技術發展，目標訂2019年底量產。不知採購EUV機台之後，是否有助於中芯朝10nm以下邁進？
EUV技術未來也會升級，ASML將在3奈米與更先進製程採用高數值孔徑（NA）光學系統；去年艾斯摩爾為發展NA系統，20億美金收購德國卡爾蔡司子公司蔡司半導體。現在的EUV工藝數值孔徑還是0.33，可用兩三代工藝，結合蔡司技術後，將合作開發0.5孔徑的EUV技術，還可以再支撐兩三代，不過這樣的EUV機要等到2024年才能問世。
半導體晶圓新一輪軍備競賽將開打，台積電與三星並以製程領先的台積電勝算較大。台積電規劃，導入極紫外光（EUV）的7奈米強化版會於明年(2019)量產；全數採用極紫光外光的5奈米，則會在2020年量產，3奈米預計2022年開出。(700字；圖1)
參考資料：
Enabling Semiconductor Innovation and Growth：EUV lithography drives Moore’s law well into the next decade. ASML, 2018/3/14.
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