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三維結構記憶體產品侵權爭議,Elm 3DS控告三星

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科技產業資訊室 (iKnow) - 倪君凱 發表於 2014年12月8日
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2014年11月21日,Elm 3DS Innovations, LLC 在美國德州地方法院(Delaware District Court)向三星電子公司(Samsung Electronics Co., Ltd.)及其美國子公司以及相關企業包括 Samsung Semiconductor, Inc., Samsung Electronics America, Inc., Samsung Telecommunications America, LLC, 以及 Samsung Austin Semiconductor, LLC等等(以下合稱為三星公司) 提出專利訴訟,指控三星侵害其所持有的九件專利。
 
Elm 3DS公司設立於美國德州,目前主要從事技術研發以及專利授權、訴訟等業務。而三星電子為全球第二大半導體生產商,產品涵蓋面極廣,從消費型電子產品到半導體元件都有,為全球深具影響力的公司。
 
原告Elm 3DS公司在訴狀中所引述的九件系爭專利,包括有:
  • 美國第7,193,239號專利「Three dimensional structure integrated circuit (三維結構積體電路)」,獲准公告日2007年3月20日,專利申請號US 10/614,067,申請日2003年7月3日。
  • 美國第7,504,732號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2009年3月17日,專利申請號US 10/222,816,申請日2002年8月19日。
  • 美國第8,035,233號專利「Adjacent substantially flexible substrates having integrated circuits that are bonded together by non-polymeric layer(具有由非聚合層連接起來的整合電路的彈性基板)」,獲准公告日2011年10月11日,專利申請號US 10/379,820,申請日2003年3月3日。
  • 美國第8,410,617號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2013年4月2日,專利申請號US 12/497,655,申請日2009年7月4日。
  • 美國第8,629,542號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2014年1月14日,專利申請號US 12/405,234,申請日2009年3月17日。
  • 美國第8,653,672號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2014年2月18日,專利申請號US 12/788,618,申請日2010年5月27日。
  • 美國第8,796,862號專利「Three dimensional memory structure(三維記憶體結構) 」,獲准公告日2014年8月5日,專利申請號US 13/963,164,申請日2013年8月9日。
  • 美國第8,824,159號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2014年9月2日,專利申請號US 12/414,749,申請日2009年3月31日。
  • 美國第8,841,778號專利「Three dimensional memory structure(三維記憶體結構) 」,獲准公告日2014年9月23日,專利申請號US 13/963,149,申請日2013年8月9日。
 
上述九件專利均屬於同一專利家族,皆主張美國第5,915,167號專利的1997年4月4日優先權日期,且發明人皆為Elm 3DS公司的創辦人Glenn J Leedy。其中,7,193,239、7,504,732、8,035,233與8,410,617的原專利權人為Elm 3DS公司。其餘的系爭專利原專利權人則為Glenn J Leedy,後來以排他性授權的方式,授權給Elm 3DS公司進行訴訟。
 
上述系爭專利主要界定了一種三維結構(3DS)記憶體的製作方法,能夠將記憶體電路和控制邏輯在物理結構上分離到不同的堆疊層上,如此可以對各個堆疊層分別進行優化。幾個記憶體電路分別共用一個控制邏輯,從而降低了成本。3DS記憶體製造方法所製造出來的成品,可將記憶體電路減薄到厚度小於50微米以及將電路整合到電路疊層,同時仍然呈晶片襯底形式,其並採用了細粒高密度層間垂直匯流排互連。所述3DS記憶體製造方法使得能夠實現幾種性能和物理尺寸效能,並且是用現有的半導體工藝技術實現的。
 
原告Elm 3DS在訴狀中展示了三星公司在其記憶體產品(如NAND Flash 記憶體)上運用了多層堆棧式記憶體結構設計,因而在未經授權的情況下使用了上述系爭專利中所界定的技術,如下圖所示:
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原告Elm 3DS稱,這些涉及侵權的記憶體產品,廣泛地被使用在包括Apple MacBook ProAmazon Fire PhoneMicrosoft Surface以及Google Chromebook等等知名消費型電腦產品上。

Elm 3DS公司向法院請求判予損害賠償以及相關訴訟費用。

Elm 3DS公司除了向三星公司提出訴訟之外,在同一日,也同時向SK海力士半導體公司以及美光科技公司提出告訴。(1288字;表2)

 

表一、專利訴訟案件基本資料:
訴訟名稱 Elm 3DS Innovations LLC v. Samsung Electronics Co. Ltd. et al
提告日期 2014/11/21
原告 Elm 3DS Innovations LLC
被告 Samsung Electronics Co. Ltd., Samsung Semiconductor Inc., Samsung Electronics America Inc., Samsung Telecommunications America LLC and Samsung Austin Semiconductor LLC
案號 1:14-cv-01430
訴訟法院 Delaware District Court
系爭專利 US7,193,239、US7,504,732、US8,035,233、US8,410,617、US8,629,542、US8,653,672、US8,796,862、US8,824,159、US8,841,778
訴狀下載 download.gif
Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2014/12/6
 
 
表二、相關專利訴訟表:
訴訟日期 訴訟主體 案號
11/21/2014 Elm 3DS Innovations LLC v. SK Hynix America Incorporated et al 1:14-cv-01431
11/21/2014 Elm 3DS Innovations LLC v. Micron Technology Inc. et al 1:14-cv-01431
Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2014/12/6
 
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