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三維結構記憶體產品侵權爭議,Elm 3DS控告三星

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科技產業資訊室 (iKnow) - 倪君凱 發表於 2014年12月8日
2014年11月21日,Elm 3DS Innovations, LLC 在美國德州地方法院(Delaware District Court)向三星電子公司(Samsung Electronics Co., Ltd.)及其美國子公司以及相關企業包括 Samsung Semiconductor, Inc., Samsung Electronics America, Inc., Samsung Telecommunications America, LLC, 以及 Samsung Austin Semiconductor, LLC等等(以下合稱為三星公司) 提出專利訴訟,指控三星侵害其所持有的九件專利。
 
Elm 3DS公司設立於美國德州,目前主要從事技術研發以及專利授權、訴訟等業務。而三星電子為全球第二大半導體生產商,產品涵蓋面極廣,從消費型電子產品到半導體元件都有,為全球深具影響力的公司。
 
原告Elm 3DS公司在訴狀中所引述的九件系爭專利,包括有:
  • 美國第7,193,239號專利「Three dimensional structure integrated circuit (三維結構積體電路)」,獲准公告日2007年3月20日,專利申請號US 10/614,067,申請日2003年7月3日。
  • 美國第7,504,732號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2009年3月17日,專利申請號US 10/222,816,申請日2002年8月19日。
  • 美國第8,035,233號專利「Adjacent substantially flexible substrates having integrated circuits that are bonded together by non-polymeric layer(具有由非聚合層連接起來的整合電路的彈性基板)」,獲准公告日2011年10月11日,專利申請號US 10/379,820,申請日2003年3月3日。
  • 美國第8,410,617號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2013年4月2日,專利申請號US 12/497,655,申請日2009年7月4日。
  • 美國第8,629,542號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2014年1月14日,專利申請號US 12/405,234,申請日2009年3月17日。
  • 美國第8,653,672號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2014年2月18日,專利申請號US 12/788,618,申請日2010年5月27日。
  • 美國第8,796,862號專利「Three dimensional memory structure(三維記憶體結構) 」,獲准公告日2014年8月5日,專利申請號US 13/963,164,申請日2013年8月9日。
  • 美國第8,824,159號專利「Three dimensional structure memory(三維結構記憶體)」,獲准公告日2014年9月2日,專利申請號US 12/414,749,申請日2009年3月31日。
  • 美國第8,841,778號專利「Three dimensional memory structure(三維記憶體結構) 」,獲准公告日2014年9月23日,專利申請號US 13/963,149,申請日2013年8月9日。
 
上述九件專利均屬於同一專利家族,皆主張美國第5,915,167號專利的1997年4月4日優先權日期,且發明人皆為Elm 3DS公司的創辦人Glenn J Leedy。其中,7,193,239、7,504,732、8,035,233與8,410,617的原專利權人為Elm 3DS公司。其餘的系爭專利原專利權人則為Glenn J Leedy,後來以排他性授權的方式,授權給Elm 3DS公司進行訴訟。
 
上述系爭專利主要界定了一種三維結構(3DS)記憶體的製作方法,能夠將記憶體電路和控制邏輯在物理結構上分離到不同的堆疊層上,如此可以對各個堆疊層分別進行優化。幾個記憶體電路分別共用一個控制邏輯,從而降低了成本。3DS記憶體製造方法所製造出來的成品,可將記憶體電路減薄到厚度小於50微米以及將電路整合到電路疊層,同時仍然呈晶片襯底形式,其並採用了細粒高密度層間垂直匯流排互連。所述3DS記憶體製造方法使得能夠實現幾種性能和物理尺寸效能,並且是用現有的半導體工藝技術實現的。
 
原告Elm 3DS在訴狀中展示了三星公司在其記憶體產品(如NAND Flash 記憶體)上運用了多層堆棧式記憶體結構設計,因而在未經授權的情況下使用了上述系爭專利中所界定的技術,如下圖所示:
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原告Elm 3DS稱,這些涉及侵權的記憶體產品,廣泛地被使用在包括Apple MacBook ProAmazon Fire PhoneMicrosoft Surface以及Google Chromebook等等知名消費型電腦產品上。

Elm 3DS公司向法院請求判予損害賠償以及相關訴訟費用。

Elm 3DS公司除了向三星公司提出訴訟之外,在同一日,也同時向SK海力士半導體公司以及美光科技公司提出告訴。(1288字;表2)

 

表一、專利訴訟案件基本資料:
訴訟名稱 Elm 3DS Innovations LLC v. Samsung Electronics Co. Ltd. et al
提告日期 2014/11/21
原告 Elm 3DS Innovations LLC
被告 Samsung Electronics Co. Ltd., Samsung Semiconductor Inc., Samsung Electronics America Inc., Samsung Telecommunications America LLC and Samsung Austin Semiconductor LLC
案號 1:14-cv-01430
訴訟法院 Delaware District Court
系爭專利 US7,193,239、US7,504,732、US8,035,233、US8,410,617、US8,629,542、US8,653,672、US8,796,862、US8,824,159、US8,841,778
訴狀下載 download.gif
Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2014/12/6
 
 
表二、相關專利訴訟表:
訴訟日期 訴訟主體 案號
11/21/2014 Elm 3DS Innovations LLC v. SK Hynix America Incorporated et al 1:14-cv-01431
11/21/2014 Elm 3DS Innovations LLC v. Micron Technology Inc. et al 1:14-cv-01431
Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2014/12/6
 
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