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3D NAND型Flash將成為眾多廠商布局的重點

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科技產業資訊室 (iKnow) - Kyle 發表於 2014年5月26日

全球第二大NAND型快閃記憶體廠商東芝,計畫與全球記憶卡龍頭新帝(SanDisk)合作,在日本三重縣四日市半導體工廠內興建新廠房,於2016年開始量產3D NAND型快閃記憶體,其容量可擴增至現行產品16倍之多。


根據新帝的研究顯示,到了2016年全球NAND型快閃記憶體,在每年8%的年複合成長率帶動下,將可獲取市場規模(Total Addressable Market)達380億美元,比起當年傳統硬碟(HDD)的可獲取市場規模360億美元還要高出20億美元,主要原因就在於智慧型手機、平板電腦與企業級固態硬碟的需求帶動。

根據DRAMeXchange研究,2014年NAND型快閃記憶體位元需求年成長率達39%,產值成長率為5%,達到252億美元,其中,3D NAND型快閃記憶體生產比重只有占所有NAND型快閃記憶體的2%,因此未來成長空間仍舊非常之大,這也迫使三星、東芝、新帝、海力士與美光都正在加緊腳步往3D NAND型快閃記憶體產業前進,並競相擴充其產能。

3D NAND型快閃記憶體之所以重要,就在於其將改變未來產業面貌,例如:在智慧型手機中,其可儲存約50個小時的4K畫質影像。此外,3D NAND 型快閃記憶體能在2D NAND型相同容量下,讓產品變得更小又更輕薄,使其更容易內建在智慧眼鏡與智慧手錶等穿戴式裝置之上,有助於穿戴式裝置未來的發展。

不同於三星,東芝與新帝在NAND型快閃記憶體是以技術領先見長,所以雙方共同營運的四日市工廠內的閒置廠房改建成3D NAND型快閃記憶體專用廠房,投資規模高達5千億日圓,期望能夠在技術與量產上保持領先。

東芝更投資4千億日圓在15奈米製程NAND型快閃記憶體,期望透過全球最先端的製程,拉開與三星及其他業者之間的距離。根據東芝先前公布,其已經研發出全球首見的15奈米製程2-bit-per-cell 128-gigabit(相當於16 gigabytes)NAND型快閃記憶體產品,並計劃於2014年第二季量產採用15奈米製程的3-bit- per-cell NAND型快閃記憶體產品。

三星電子於2014年5月初宣布,於中國大陸西安建立的一座記憶體晶片製造廠正式啟用,旗下先進NAND型快閃記憶體「3D V-NAND」將在該廠進行投產,未來將應用在企業級固態硬碟市場。(792字)

圖一、2016年NAND Flash將超越HDD之可獲取市場規模

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參考資料:Forbes, EETimes


 
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