三星宣布2018-2020半導體工藝路線圖、將導入GAA於3奈米製程

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2018年9月6日

圖三星2018-2020半導體工藝路線圖

三星電子剛於2018年9月4日在東京舉辦了“2018三星晶圓代工論壇（SFF Japan 2018）”。自2017年，三星晶圓代工部門與三星電子的系統LSI業務分割後，成為獨立的基礎業務部門後，每年舉辨的論壇，今年是第二次在日本舉行，來自日韓半導體製造商和生態系統合作夥伴等60多家公司約300人參加。

以下摘述論壇主題演講簡報的內容：

三星晶圓代工部門總裁兼業務經理ES Jung表示，最受外界矚目的3奈米製程，2020年將首度導入閘極全環（GAA）電晶體，這是下世代電晶體架構，同時搭配極紫外光（EUV）微影技術，來突破物理限制極限。

依據三星公布的半導體工藝路線圖，預計今年(2018)年底前，導入EUV於7奈米製程，啟動8LPP的改進版本（8nm的超低功耗）“8LPU”的生產，FinFET的5nm / 4nm在EUV在2019年，在2020年執行生產3nm的導入EUV於新材料GAA。

對於5奈米和4奈米，針對FinFET進行了優化（距離最初的7奈米），該公司表示，4奈米將成為最後一個採用FinFET製造的工藝。

對於7奈米，三星以EUV技術導入的半導體製程，預計2018年下半年投產；2019年將進一步推出7奈米優化版，即5奈米和4奈米製程。(440字；圖1)

參考資料：
Samsung、2020年にEUV露光による半導体量産を開始. PC Watch, 2018/9/4.

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