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三星宣布2018-2020半導體工藝路線圖、將導入GAA於3奈米製程

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科技產業資訊室 - May 發表於 2018年9月6日

圖 三星2018-2020半導體工藝路線圖

三星電子剛於2018年9月4日在東京舉辦了“2018三星晶圓代工論壇(SFF Japan 2018)”。自2017年,三星晶圓代工部門與三星電子的系統LSI業務分割後,成為獨立的基礎業務部門後,每年舉辨的論壇,今年是第二次在日本舉行,來自日韓半導體製造商和生態系統合作夥伴等60多家公司約300人參加。
 
以下摘述論壇主題演講簡報的內容:
 
三星晶圓代工部門總裁兼業務經理ES Jung表示,最受外界矚目的3奈米製程,2020年將首度導入閘極全環(GAA)電晶體,這是下世代電晶體架構,同時搭配極紫外光(EUV)微影技術,來突破物理限制極限。
 
依據三星公布的半導體工藝路線圖,預計今年(2018)年底前,導入EUV於7奈米製程,啟動8LPP的改進版本(8nm的超低功耗)“8LPU”的生產,FinFET的5nm / 4nm在EUV在2019年,在2020年執行生產3nm的導入EUV於新材料GAA。
 
對於5奈米和4奈米,針對FinFET進行了優化(距離最初的7奈米),該公司表示,4奈米將成為最後一個採用FinFET製造的工藝。
 
對於7奈米,三星以EUV技術導入的半導體製程,預計2018年下半年投產;2019年將進一步推出7奈米優化版,即5奈米和4奈米製程。(440字;圖1)
 
 
參考資料:
Samsung、2020年にEUV露光による半導体量産を開始. PC Watch, 2018/9/4.
 

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