電子穿隧發光效率提高到2％
科技產業資訊室 (iKnow) - 黃松勳 發表於 2018年8月9日
圖、電子穿隧發光效率提高到2％
這種微小的金屬/絕緣體/金屬(銀/PVP/銀)結點是主要發生作用的地方，當奈米晶體的電極允許將電壓施加到元件上，電子從銀奈米晶體的一角，穿越過微小的PVP勢壘時，能量將傳送到表面電漿極化子，沿著金屬/絕緣體界面傳遞電磁波，然後再將能量轉換成光子。
這種特殊的結點，在非彈性穿隧電子方面更有效的原因，是因為其幾何形狀和極小的尺寸。藉由將兩個銀單晶的角落處連接在一起，中間有一個微小的絕緣屏障，創造了一種具有局部高密度光學狀態的高品質光學天線，因而能夠更有效地將電子能量轉換為光。過去的裝置只有很小一部分電子可以非彈性地穿隧，所以發光效率通常很低，最多只有幾個百分之幾。研究人員將效率提高到大約2％，雖然還不夠實用，但這是新型光源的第一步。
這項研究工作使電漿子研究更接近於實現在高速光學數據處理和其它在光子晶片上應用的超緊湊光源。(456字；圖1
參考資料：
Nanocrystals emit light by efficiently 'tunneling' electrons. Science Daily，2018/7/23
Efficient light generation from enhanced inelastic electron tunnelling. Nature Photonics，2018/7/23
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