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NVRAM記憶體專利訴訟 旺宏向東芝提出337調查

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科技產業資訊室 - 朱子亮 發表於 2017年3月13日

2017年3月7日,台灣記憶體製造大廠旺宏電子(Macronix)及其美國子公司Macronix America,向美國國際貿易委員會(USITC)遞交違反美國關稅法337條訴狀書,控告日本半導體大廠東芝(Toshiba)及其子公司等5家,所進口至美國境內供應販售之多款非揮發性記憶體(non-volatile memory,NVRAM)產品,以快閃記憶體產品(flash memory)為主,惡意侵害其3項記憶體技術相關美國專利,並構成美國關稅法337條所述之不公平貿易競爭行為。據此,旺宏電子要求ITC發佈排除命令,禁止侵權產品進口,並就已在美國境內之侵權產品,發佈停止暨禁止命令,以阻止其供應販售。
 
同日,旺宏電子也於美國加州南區聯邦地方法院,對東芝提起相同惡意侵權指控(Macronix International Co., Ltd. v. Toshiba Corporation et al, 3:17-cv-00462),並要求法院給予專利法284條加重三倍侵權賠償、專利法285條合理律師費等法律救濟。
 
一、系爭專利及產品
本案系爭專利為美國專利編號6,552,360、6,788,602以及8,035,417皆屬旺宏電子自行研發技術,專利發明主要涉及唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體等產品之半導體電路組件等技術:
  • 360專利發明主張一種適用於CMP工藝之半導體晶片襯底電路佈局,
  • 602專利發明主張一種防止虛設單元(dummy cell)受到過度抹除之半導體存儲元件及其操作方法,
  • 417專利發明則主張一種可依據用途、電源電壓和電負載等特性來設置適當驅動強度之輸出緩衝電路。
360及602專利皆有對應之台灣及中國大陸專利。且有授權多家半導體廠商使用之紀錄。本案為360專利第二次使用在關稅法337條訴訟,其餘專利則為首次使用。專利資料、原告所主張之侵權產品及受侵害請求項等資訊,詳見下表一整理。
 
本案系爭產品,以東芝生產販售之快閃記憶體產品為主(屬於NVRAM產品分類),快閃記憶體主要使用在記憶卡、固態存儲硬碟、可穿戴式電子消費產品如影音或攝像儀器等。原告雖列舉部分記憶體型號及其美國進口商,然特別說明,鑒於東芝方面不對外公開所有NVRAM產品型錄,故須仰賴後續事實調查程序來確定所有侵權產品。
 
二、關於旺宏電子
旺宏電子位於新竹科學園區,為NVRAM世界級研發製造大廠,產品以ROM(唯讀記憶體)、 NOR快閃記憶體)與 NAND快閃記憶體為主。目前ROM記憶體市占率為世界第一,NOR快閃記憶體市占則為全球第二。因前述Spansion公司為其主要市場競爭對手,故自2000年到2014年期間,雙方曾爆發激烈專利戰爭,在美國聯邦法院及ITC相互提告(相關資訊可參考「旺宏與Spansion互告侵權案件觀察」介紹Read.aspx?PostID=9849),這些侵權官司,至2015年年初已陸續雙方達成和解而撤銷。
 
旺宏電子自稱持有約5000件各國專利,以及約2000件美國專利,智財實力擠進全球半導體廠商前二十強。專利資料庫查詢顯示,目前旺宏電子持有3,930件美國專利及申請件,較2014年約2,800件已有大幅成長。

 
三、結語 
當公司進行出售或上市前也是遭遇訴訟亂流最多之時,旺宏趁東芝將出售金雞母晶片事業部門忙亂之際,打亂東芝晶片部門出售價格,也示警接手的業者,更是搶東芝的晶片下游客戶。旺宏趁虛而入搶單,一舉多得。(822字;表4;圖1)
 

表一、本案系爭專利資訊

專利名稱 Method and circuit layout for reducing post chemical mechanical polishing defect count
減少化學機械研磨工藝缺陷的電路佈局及其製造方法
公告號 US 6,552,360 B1
對應台灣專利TW531800B(2003/5/11核准)
對應中國大陸專利CN1228846C(2005/11/23核准)
優先權日 2002年1月25日
獲證日 2003年4月22日
過去訴訟紀錄 2013年12月27日,旺宏電子曾以360專利向ITC控告飛索半導體
(Spansion LLC)等美英多家半導體暨電子產品廠商侵權(Certain Non-Volatile Memory Devices And Products Containing Same,Inv. No. 337-TA-909),該案最終以和解收場而未發佈調查結果。
2014年7月21日,Spansion LLC曾向美國專利商標局提交360專利多方複審申請,試圖主張專利無效,最終為PTAB拒絕立案複審。
侵權產品及系爭請求項 原告主張,以快閃記憶體產品為主之東芝NVRAM產品,型號包含但不限於:TC58NVGlS3HTA00、TC58NVG3S0FTA00(Digi-Key Corporation進口);TH58TEG7DCJTA20(Advance Modular Technology Inc.進口);
TC58TEG6DDKTA00、 TH58TEG8DDKTA20(Vyrian Inc.進口);
至少侵害請求項1-12, 16。

Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2017/3
 
表二、本案系爭專利資訊

專利名稱 Memory device and operation thereof
半導體存儲元件及其操作方法,以及半導體存儲陣列
公告號 US 6,788,602 B2
對應台灣專利TW594741B(2004/6/21核准)
對應中國大陸專利CN1474455B(2012/12/26核准)
優先權日 2002年8月9日
獲證日 2004年9月7日
過去訴訟紀錄 本案為首宗侵權訴訟
侵權產品及系爭請求項 原告主張,以快閃記憶體產品為主之東芝NVRAM產品(型號見前述),至少侵害請求項1-8。

Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2017/3
 
表三、本案系爭專利資訊

專利名稱 Output buffer circuit with variable drive strength
具有可調式驅動強度的輸出緩衝電路
公告號 US 8,035,417 B1
優先權日 2010年7月26日
獲證日 2011年10月11日
過去訴訟紀錄 本案為首宗侵權訴訟
侵權產品及系爭請求項 原告主張,以快閃記憶體產品為主之東芝NVRAM產品(型號見前述),至少侵害請求項1-7, 11-15, 16, 18。

Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2017/3
  
表四、專利訴訟案件基本資訊

訴訟名稱 Certain Non-Volatile Memory Devices
提告日期 2017年3月7日
原告 Macronix International Co., Ltd.(旺宏電子)
Macronix America, Inc.
被告 Toshiba Corporation
Toshiba Information Equipment, Inc.
Toshiba America, Inc.
Toshiba America Electronic Components, Inc.
Toshiba America Information Systems, Inc.
訴訟案號 337-TA- (尚未立案)
訴訟法院 美國國際貿易委員會
爭議專利 US 6,552,360 B1
US 6,788,602 B2
US 8,035,417 B1
爭議產品 東芝進口美國供應販售之非揮發性記憶體產品(NVRAM),以快閃記憶體產品為主,型號包含但不限於:TC58NVGlS3HTA00、TC58NVG3S0FTA00、TH58TEG7DCJTA20、TC58TEG6DDKTA00、 TH58TEG8DDKTA20
訴狀下載  

Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2017/3

 

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