SK海力士預計下一代開發出比現今標準性能更快30%的HBM
科技產業資訊室 - 友子 發表於 2024年8月26日
圖、SK海力士預計下一代開發出比現今標準性能更快30%的HBM
高頻寬記憶體(HBM)市場正在經歷與整個AI產業相同的爆炸性成長，因為所有高階AI加速器都使用HBM記憶體。因此，每家生產這種記憶體的公司都投入數十億美元用於未來HBM產品的研發。為此，SK海力士在近期會議上表示，正在開發下一代HBM，其性能較現有標準提升高達30%。
AI晶片產業中的輝達Blackwell和超微第二代MI325X系列加速器將在未來產品中移轉至採用HBM3e。SK海力士在2024年5月在一次產業活動中表示，它可能會在2025年率先推出下一代HBM4。
雖然SK海力士於這一次宣告「性能比目前HBM標準強約20到30倍」的HBM，但卻沒有清楚表明其他HBM型號細節，但根據專家判斷很可能是HBM4的變體或未來世代產品。
根據SemiAnalysis報告，SK海力士擁有領先的HBM市場佔有率，其中，HBM3的市場佔有率超過85%，整體HBM市場佔有率超過70%。如今除了美光加緊腳步推出HBM3e產品之外，三星於今年將為HBM提供3D封裝服務，隨後於2025年推出自己的HBM4產品。
如今全球DRAM製造商中，僅剩SK海力士、三星和美光3家廠商擁有製造HBM的能力。因為HBM需要先進的封裝，且需要中介層，但能夠做到這一點的公司並不多。從本質上講，台積電在HBM和中介層的CoWoS封裝中佔據主導地位。這也是SK海力士尋求和台積電合作的關鍵。
SK海力士的目標是透過在其產品中整合先進功能來主導HBM領域，這意味著該公司正走在HBM4產品預期巨大創新的正軌上。透過和台積電合作，HBM4 將能在單一封裝中使用邏輯和記憶體半導體技術。SK海力士聲稱，採用更新的方法對於未來的HBM發展至關重要，考慮到HBM4具有的潛在功能，它將為未來定下基調，成為未來HBM發展的方向。
一般相信HBM4將是SK海力士和三星正奪記憶體王座的關鍵。兩家公司都計劃在2025年中或年底之前發佈各自的HBM4產品，以便即時整合到下一代輝達Rubin和其他架構中。
另外不能忽視的是英特爾，其現今與所有主要HBM供應商合作，尤其是美光。畢竟，先進封裝是英特爾系統晶圓代工方法的關鍵支柱之一，其在先進封裝的技術也是其他HBM廠商所不能忽視的力量。只不過，英特爾與台積電仍略有不同，英特爾希望整合來自任何代工廠的Tile，而不僅僅是英特爾自己的本身的而已。
總之，即使美光和三星在HBM能力不斷提升，但SK海力士聲稱它受到AI市場主要科技公司的極大興趣，包括：蘋果、微軟、谷歌 、亞馬遜、輝達、Meta和特斯拉等七家公司。SK海力士如今正在滿足這些公司的客製化工程需求，透過這一點，這家韓國巨頭將於未來一至兩年仍保持市場領先地位。（1100字；圖1）
參考資料：
SK hynix to Develop HBM with 30x Performance Increase. Business Korea, 2024/08/20.
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