發展第三代半導體產業，英國正建立GaN無晶圓設計與晶圓代工產業
科技產業資訊室 (iKnow) - Gloria 發佈於 2021年2月22日
圖、發展第三代半導體產業，英國正建立GaN無晶圓設計與晶圓代工產業
英國政府的英國研發和創新機構於2021年2月初宣布，將支持化合物半導體中心（CSC）和Newport晶圓廠（NWF）開發8吋氮化鎵（GaN）HEMT代工製程專案，期望能夠在8吋晶圓平台上提供代工等級的650V矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN-on-Si HEMT)製程。
CSC認為GaN最初的目標市場是在電動車市場，例如：電動車馬達逆變器（traction inverters）；未來隨著技術不斷進步，其希望提供客製化代工產品，以解決包括行動/可攜式電腦之快速充電器和能源儲存逆變器。
CSC中心成立於2015年，是卡迪夫大學和IQE plc的合資企業。 NWF一直希望其成為矽複合材料主要製造商，預計這一8吋晶圓的生產目標是每週8,000片晶圓起跳，之後擴大到14,000片產能。
英國除了建立GaN晶圓代工產業之外，也有無晶圓半導體公司正投入該領域。由英國劍橋大學分割出來的Cambridge GaN Devices（CGD）公司，於2021年2月18日宣布獲得950萬美元（約780萬歐元）的A輪融資。這一筆資金將可用來擴大其具節能效率之功率設備的產品組合，並將其團隊規模擴大一倍之多。
CGD是由Florin Udrea教授和Giorgia Longobardi博士於2016年創立的無晶圓廠半導體新創公司。其主要是以開發功率器件中的技術。它的核心業務是使用最節能的材料GaN設計、開發和商業化功率電晶體和積體電路，也就是說，除了改善性能與降低成本之外，也期望達到減少排放的目標。 此外，該公司目前正在帶領一個由歐洲資助的1000萬美元（約820萬歐元）專案– GaNext。該專案與歐洲的13個工業和學術單位進行合作。其目標是設計和開發出適用於低功率和高功率應用的下一代GaN功率模組，且這一模組具備高效能、高緊密度特性。
根據Fortune Business Insights研究，2027年GaN器件市場規模達到284億美元。CGD則是認為功率器件市場的價值超過300億美元（約248億歐元），如果CGD能夠研發出節能的GaN器件，其就具有很大優勢搶占很大的佔有率。目前CGD正在開發一系列GaN電晶體，這些GaN電晶體是針對諸如消費和工業開關模式電源（SMPS）、照明、數據中心和混合動力 / 電動車等市場的關鍵應用。
除最近的一輪融資外，CGD已經獲得了來自於iUK，BEIS和歐洲資助的GaNext專案等四個專案的資金，這也說明其未來積極搶佔GaN器件的優勢。（745字）
參考資料：
Cambridge GaN Devices closes $9.5m Series A. Business Weekly, 2021/2/18
GaN Systems sees EVs making up 60% of GaN growth in coming years. Fierce Electronic, 2021/2/15
UKRI support for 200mm Gallium Nitride HEMT foundry process. New Electronics, 2021/2/4
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