圖、 長江存儲推出128層QLC快閃X2-6070，預計2020下半年量產
2020年4月13日，中國大陸長江存儲科技(YMTC)宣布其128層QLC 3D NAND快閃晶片（型號： X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。號稱業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。同時發布，128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存晶片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。128 層QLC 版本將率先應用於消費級SSD ，並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域，以滿足未來5G 、AI 時代多元化數據存儲需求。
長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND。長江存儲在短短3 年時間實現了從32 層到64 層再到128 層的跨越。
Xtacking ® 2.0
圖、Xtacking產品優勢
在長江存儲128層系列產品中，Xtacking ®已全面升級至2.0，進一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數據傳輸速率。由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造工藝，CMOS電路可選用更先進的製程，同時在晶片面積沒有增加的前提下Xtacking ® 2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。
X2-6070 充分發揮QLC 技術特點
QLC是繼TLC（3 bit/cell）後3D NAND新的技術形態，具有大容量、高密度等特點，適合於讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存晶片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數據，共提供1.33 Tb的存儲容量。如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當於提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
由於，QLC 降低了NAND 閃存單位字節（Byte ）的成本，更適合作為大容量存儲介質。隨著主流消費類SSD 容量邁入512GB 及以上，QLC SSD 未來市場增量將非常可觀。
尤其，與傳統HDD 相比，QLC SSD 更具性能優勢。在企業級領域，QLC SSD 將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲，使其更適用於AI 計算，機器學習，實時分析和大數據中的讀取密集型應用。在消費類領域，QLC 將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD 中普及。
結語
長江存儲128層QLC快閃X2-6070有望在今年(2020)下半年開始製造128層產品。三星電子和SK海力士去年(2019)也生產了第一批128層NAND快閃記憶體產品，一旦長江存儲按計劃生產其128層產品，南韓和中國公司之間的技術差距可能縮小到僅領先兩年之內。
中國大陸政府積極扶植半導體產業自主化，從技術門檻相對低的NAND切入，再攻DRAM技術。當長江存儲位於COVID-19疫情震央的武漢，在武漢的長江存儲工廠照常運轉。這沒有中國政府的協助是不可能的。而且，中國政府支持這些扶植企業直到它們實現規模經濟，儘管他們製造產品精度仍不如國際大廠，但仍要求中國下游業者盡量使用這些扶植公司的DRAM和NAND快閃晶片。(720字；圖)
參考資料：
長江存儲推出128層QLC閃存，單顆容量達1.33TB。長江存儲，2020/4/10。
China Becoming Increasingly Aggressive in Semiconductor Industry. Business Korea, 2020/4/16.
長江存儲啟動64層3D NAND量產。科技產業資訊室(iKnow)，2019/9/3。
相關文章：
1. 美光推出新QLC固態硬碟，加快資料中心取代傳統硬碟
2. 全球96層3D NAND產量將自2019第二季開始擴大
3. 長江存儲暗示2019年底大規模量產64層3D NAND
4. 三星電子計劃150億在西安建第二工廠、生產第五代V-NAND
5. 三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------