圖、Intel推出新晶片封裝技術：Co-EMIB、ODI、MDIO
英特爾於2019年7月9日SEMICON West會議上展示了新封裝技術，包括崁入式多晶片互連橋接(Embedded Multi-Die Interconnect Bridge, EMIB)和Foveros結合的新用途、以及全新的全方向互連(Omni-Directional Interconnect, ODI)技術。
封裝技術是允許多個製程共同參與於各種計算引擎當中，儘管其性能參數類似單個晶片，但該平台卻可以超越其尺寸的限制。因此，英特爾的產品涵蓋了2D和3D的方式。
英特爾在SEMICON West公布的三種新技術，包括：
- Co-EMIB：結合2D和3D堆疊技術，可能會首次用作連接Aurora超級計算機中CPU和GPU核心的方式。利用高密度互連技術將EMIB和Foveros結合，實現低功耗的高頻寬，以及更好的I / O密度。Co-EMIB允許兩個或更多個Foveros元件互連，而基本上具備的是單個晶片的性能。除此之外，亦可連結極低功耗的記憶體。
- ODI：是一種70mm厚的垂直鏈路，用於為晶片供電。透過全方向互連的技術，使得頂部的晶片可以如同EMIB一般，與其他小晶片水平通訊，甚至還可以與下方基板中的矽通孔(through-silicon vias, TSVs)，用類似Foveros的方式進行垂直通訊。ODI的垂直通孔比傳統TSV大的多，如此一來，電阻將會更低。在提供更強的電力傳輸時，亦減少了基板晶片所需的TSV數量，間接釋放更多的面積，優化晶片的尺寸。
- MDIO(Management Data Input/Output)：是下一代英特爾的先進介面匯流排(AIB)，用於堆疊小晶片的物理接口。建構在英特爾的先進介面匯流排(Advanced Interface Bus, AIB)端口物理層(Port Physical Layer, PHY)上的技術，MDIO透過晶片級知識產權資料庫設計出的模塊化方法，使其能夠提供更高的功效，而且是AIB提供的網路傳輸速度(pin speed)和頻寬密度(bandwidth density)兩倍多。
英特爾已經出貨多達100萬個CPU / GPU整合模塊，採用EMIB技術於Stratix X FPGA和Kaby Lake G。明年(2020)將推出Lakefield，預計將成為首款使用Foveros整合晶片的筆記型電腦。
英特爾表示，未來會遇到幾個障礙。首先在20-35mm之間，必須克服從焊接過渡到非焊接互連；還有目前某些晶片堆疊的產量低至20％，這是一個更大的挑戰。所以，英特爾為其自主開發的晶片測試儀設計了一個新模塊，可以使單晶片更確定在模塊中的性能，使8晶片堆疊的產量超過70％。(745字)
YouTube影片：Co-EMIB, Intel’s EMIB and Foveros Tech Together, Delivers High Bandwidth at Low Power
YouTube影片：Intel's Omni-Directional Interconnect Allows Communication among Chiplets
參考資料：
Intel Shows Next Steps in Packaging. EE Times. 07.09.19
Intel Unveils New Tools in Its Advanced Chip Packaging Toolbox. Intel. July 9, 2019
本站相關資料：
1. SEMI：TSMC及Intel先進3D IC封裝技術
2. 英特爾未來三年獲利僅小幅成長、2021年推7奈米晶片
3. 英特爾開發出全新3D堆疊封裝技術Foveros
4. 蔡司針對先進半導體封裝推出3D X-ray成像解決方案
5. 2019年300毫米(12吋)IC晶圓廠新增9座，全球總數量達121座
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------