2018年半導體資本支出預測首次超過1000億美元
科技產業資訊室 (iKnow) - 李宜諺 發表於 2018年5月24日
圖、全球半導體資本支出趨勢(2000-2018F)
儘管，三星表示今年還未公布全年的資本支出預測，但它確實表示2018年半導體資本支出相比2017年將花費“更少”些，2017年約242億美元。但是截至1Q18，其資本支出為67.2億美元，略高於前三季的平均。這個數字幾乎是公司兩年前1Q16花費的4倍! 過去四個季度，三星為其半導體集團斥資266億美元的資本支出。
IC Insights預測今年三星半導體集團資本支出將達到200億美元，比2017年減少42億美元。不過鑒於今年的開支開始強勁，目前看來該預測仍存在更大的下降趨勢。
由於DRAM和NAND快閃記憶體市場仍然非常強勁，SK海力士(SK Hynix)今年的資本支出預計將增至115億美元，比2017年的81億美元成長42％。SK海力士今年增加的支出將主要集中在線上的兩個大型記憶體廠M15，一家位於韓國清州的3D NAND快閃記憶體製造廠，以及其在中國無錫擴建的大型DRAM工廠。清州工廠在今年年底前開放。無錫晶圓廠也計劃在今年年底前開放，比原計劃的2019年初，早幾個月。(408字；圖1)
參考資料：
Semi Capex Forecast to Exceed $100B for the First Time in 2018. IC Insights, 2018/5/22.
本站相關文章：
1.半導體設備資本支出2017年估達809億美元、晶圓代工28%、快閃記憶體24%
2.SEMI預測2018全球晶圓廠設備支出成長11%達630億美元
3. SEMI：全球晶圓設備廠支出2017年550億美金創新高
4.DRAM帶動，預估2018年IC成長率從8%調高至15%
5.McClean預測：2017年DRAM、NAND驅動IC整體市場
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1.科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述，僅為提供更多訊息，也不構成任何投資建議。
2.著作權所有，非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載，本中心保留一切法律追訴權利。
|