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專利不侵權確認之訴TSMC提告Zond

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科技產業資訊室 (iKnow) - Viola 發表於 2014年6月13日


2014年6月6日,TSMC Technology, Inc., INC., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited以及TSMC North America Corp.(以下合稱TSMC)在美國達拉威聯邦地方法院(The District Court for the District of Delaware)提起專利侵權確認之訴。TSMC指稱,其並未侵害Zond, LLC(以下稱Zond)所擁有的US6,806,651 (以下稱’651專利)、US6,896,773 (以下稱’773專利)、US6,896,775 (以下稱’775專利)、US6,903,511 (以下稱’511專利)、US7,095,179 (以下稱’179專利)、US7,446,479 (以下稱’479專利)六項美國專利。

Zond成立於2002年,是一家高密度電漿技術研發公司,在美國已取得25項相關技術專利權。Zond旗下設有子公司Zpulser, LLC,專門製造、銷售利用其專利技術之特殊高功率電漿產生器(unique high-power plasma generators)相關產品。

本案系爭如下,六項專利發明人都是Zond公司的共同創辦人及總裁Chistyakov,專利技術皆是與強電離電漿生成、強離子化電漿之濺鍍以及利用強離子化電漿來形成微小節點相關技術:

’651專利名稱「高密度電漿源(High-density plasma source)」

’773專利名稱「高沉積速率濺鍍(High deposition rate sputtering)」

’775專利名稱「高功率脈衝磁控增強電漿處理程序(High-power pulsed magnetically enhanced plasma processing)」

’511專利名稱「均勻分布之電漿生成(Generation of uniformly-distributed plasma)」

’179專利名稱「在游離不穩定性下產生強離子化電漿之方法和裝置Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities」

’479專利名稱「高密度電漿源(High-density plasma source)」,

TSMC指稱,從2013年7月起,Zond開始在美國麻州聯邦地方法院發動專利侵權訴訟,控告磁控濺鍍式設備之使用者專利侵權,該設備之使用者多為半導體產品之製造商。在Zond所發動的七件侵權訴訟中,即有六件是針對半導體製造商而來,TSMC亦是該七件侵權訴訟被告之ㄧ。

Zond選擇控告使用磁控濺鍍式設備之半導體製造商,而非生產販賣該設備之製造商,其目的無非是為了取得更多授權或和解金。且Zond用了相同的專利與訴狀提告該六個半導體製造商,亦被其中一訴訟案之法官指為其所見過最為薄弱之專利侵權訴訟案件(Zond, LLC v. Fujitsu Semiconductor Limited et al., 1:13- 11634-WGY (D. Mass. Nov. 26, 2014) (Hearing Trans. at 6:9-11))。但由於該些訴訟之系爭專利同時在USPTO被提起專利雙方復審程序(inter partes),因此在等待專利審判暨上訴委員會(PTAB)做出最後決定之前,訴訟程序已暫時停止。惟於2014年6月5日,TSMC收到Zond之警告函,Zond表示將提起另一訴訟,控告TSMC專利侵權,亦即侵害本案六項系爭專利。鑒於Zond可能立即對TSMC所造成的實際傷害與威脅,TSMC提起專利不侵權確認之訴,請求法院判決TSMC未直接、幫助與教唆侵害系爭六項專利權,且Zond需負擔本訴訟之訴訟與律師費用。(1055字;表2)

 

表一、系爭專利資料

專利名稱 High-density plasma source High deposition rate sputtering
公告號 US6,806,651 US6,896,773
出版類型 授權 授權
申請書編號 10/249,595 10/065,739
發佈日期 2004年10月91日 2005年5月24日
申請日期 2003年4月22日 2002年11月14日
優先權日期
發明人 Chistyakov; Roman Chistyakov; Roman
原專利權人 Zond, Inc. Zond, Inc.
圖示 pclass_14_A205a.gif pclass_14_A205b.gif

 

專利名稱 High-power pulsed magnetically enhanced plasma processing Generation of uniformly-distributed plasma
公告號 US6,896,775 US 6,903,511
出版類型 授權 授權
申請書編號 10/065,551 10/249,774
發佈日期 2005年5月24日 2005年6月7日
申請日期 2002年10月29日 2003年5月6日
優先權日期
發明人 Chistyakov; Roman Chistyakov; Roman
原專利權人 Zond, Inc. Zond, Inc.
圖示 pclass_14_A205c.gif pclass_14_A205d.gif

 

專利名稱 Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities High-density plasma source
公告號 US7,095,179 US7,446,479
出版類型 授權 授權
申請書編號 09/907,076 10/553,893
發佈日期 2006年8月22日 2008年11月4日
申請日期 2004年2月22日 2004年4月7日
優先權日期
發明人 Chistyakov; Roman Chistyakov; Roman
原專利權人 Zond, Inc. Zond, Inc.
圖示 pclass_14_A205e.gif  

Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2014/06

 

表二、專利訴訟案件基本資料:

訴訟名稱 TSMC Technology, Inc., INC., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited, TSMC North America Corp. v. Zond, LLC
提告日期 2014年6月6日
原告 TSMC Technology, Inc., INC., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited, TSMC North America Corp.
被告 Zond, LLC
案號 1:14-cv-00721
訴訟法院 The District Court for the District of Delaware
系爭專利 US6,806,651、US6,896,773、US6,896,775、US6,903,511、US7,095,179、US7,446,479
系爭產品  
訴狀下載 download.gif

Source: 科技政策研究與資訊中心 — 科技產業資訊室整理,2014/06


 
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