2013年8月29日，我國之財團法人工業技術研究院(Industrial Technology Research Institute (ITRI)，下稱工研院)，向美國加州南區聯邦地院提起專利侵權告訴，控告韓國電子大廠樂金公司(LG Electronics Inc.)及其美國子公司LG Electronics U.S.A., Inc.(營業處所設在紐澤西州)與LG Electronics MobileComm U.S.A., Inc.(營業處所設在加州聖地牙哥，前述共同被告以下統稱LG)，其所製造販售並輸入美國境內的消費電子裝置產品，例如但不限於智慧型手機產品LG Optimus G，侵害工研院所擁有之平面轉換(in-plain switching, IPS)液晶顯示面板專利權利。
本案系爭專利為美國專利編號US 6,163,355，名稱為「平面轉換TFT-LCD陣列設計，其中一電極位於絕緣體層之同一邊且較源極與漏極為薄(In-plane switching array of TFT liquid crystal display in which an electrode on the same side of an insulating layer is made thinner than the source and drain)」，於2000年12月19日核發，共同發明人為張世昌(Shih-Chang Chang)、陳志宏(Jr-Hong Chen)與劉秉德(Biing-Der Liu)，其專利家族包括我國專利公告號546505 (公告日為2003年8月11日)。
工研院可說是在美國積極針對LG主張其專利權利。工研院於2010年11月26日向美國德州東區聯邦地院針對LG提起4起專利侵權告訴，而其中3起分別控告LG之空調、液晶電視、藍光播放器等家電產品構成專利侵權的訴訟，被法院裁定移送到被告LG Electronics U.S.A., Inc.營業處所在之紐澤西州聯邦地院(3起訴訟案號分別為2:12-cv-00929-JLL-MAH、2:12-cv-00948-CCC-JAD、2:12-cv-00949-ES-CLW)，而控告LG之行動電話產品侵權的訴訟，則是被裁定移送到LG Electronics MobileComm U.S.A., Inc.營業處所在之本案相同法院(案號為3:12-cv-00393-IEG-JMA)。工研院亦在2012年5月31日向紐澤西州聯邦地院起訴，控告LG之液晶電視產品、其所內含之晶片侵害其IC封裝散熱技術專利權利(案號為2:12-cv-03282-KSH-PS)。目前前述訴訟案件均仍在繫訟中。
工研院亦透過向美國國際貿易委員會(ITC)請求調查來對LG主張其專利權利，但結果似乎不符其期待：針對LG顯示設備產品之背光模組所提的告訴，被ITC判定未構成侵權(案號為Inv. No. 337-TA-805)；而針對提供多重散熱通道之IC晶片封裝所提的告訴，則是工研院撤回告訴來收場(案號為Inv. No. 337-TA-851)。(926字；表2)
表一、請求項解析
| US 6,163,355 請求項1 |
1. An in-plane switching liquid crystal display comprising:
一種平面轉換(IPS)液晶顯示面板，包含 |
a gate (FIG.2 - 102) of a thin-film transistor and a first electrode formed on a glass substrate (FIG.2 - 101);
一薄膜晶體管(TFT)之閘(gate)及一形成於玻璃基板上之第一電極 |
an insulating layer above said gate, said first electrode and said substrate;
一絕緣體層，位於上述之第一電極及玻璃基板上 |
a device structure including a source (FIG.2 - 109) and a drain (FIG.2 - 110) of said thin-film transistor formed above said insulating layer, said source and said drain comprising a first conductive layer; and
一構成第一層導體之元件結構，其係形成於上述之絕緣體層之上，包含有源極(source)及漏極(drain) |
a second electrode formed by a conductive layer above said insulating layer, said second electrode being formed at a position horizontally different from the position of said first electrode for providing in-plane switching;
一第二電極，其係形成於上述之絕緣體層之上，為一導體層構成，該電極以水平方式放置於和上述之第一電極不一同位置，以提供一IPS結構 |
wherein said second electrode is sufficiently thinner than said first conductive layer of said drain and said source for allowing uniform rubbing.
此第二電極之厚度比前述包含有源極(source)及漏極(drain)之第一導體層更薄，使之能符合正常磨光過程 |
 |
Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2013/09
表二、專利訴訟案件基本資料：工研院控告LG
Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2013/09
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------