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工研院在美再控LG智慧型手機等產品侵害液晶面板專利

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科技產業資訊室 (iKnow) - SYL 發表於 2013年9月5日

2013年8月29日,我國之財團法人工業技術研究院(Industrial Technology Research Institute (ITRI),下稱工研院),向美國加州南區聯邦地院提起專利侵權告訴,控告韓國電子大廠樂金公司(LG Electronics Inc.)及其美國子公司LG Electronics U.S.A., Inc.(營業處所設在紐澤西州)與LG Electronics MobileComm U.S.A., Inc.(營業處所設在加州聖地牙哥,前述共同被告以下統稱LG),其所製造販售並輸入美國境內的消費電子裝置產品,例如但不限於智慧型手機產品LG Optimus G,侵害工研院所擁有之平面轉換(in-plain switching, IPS)液晶顯示面板專利權利。

本案系爭專利為美國專利編號US 6,163,355,名稱為「平面轉換TFT-LCD陣列設計,其中一電極位於絕緣體層之同一邊且較源極與漏極為薄(In-plane switching array of TFT liquid crystal display in which an electrode on the same side of an insulating layer is made thinner than the source and drain)」,於2000年12月19日核發,共同發明人為張世昌(Shih-Chang Chang)、陳志宏(Jr-Hong Chen)與劉秉德(Biing-Der Liu),其專利家族包括我國專利公告號546505 (公告日為2003年8月11日)。

工研院可說是在美國積極針對LG主張其專利權利。工研院於2010年11月26日向美國德州東區聯邦地院針對LG提起4起專利侵權告訴,而其中3起分別控告LG之空調、液晶電視、藍光播放器等家電產品構成專利侵權的訴訟,被法院裁定移送到被告LG Electronics U.S.A., Inc.營業處所在之紐澤西州聯邦地院(3起訴訟案號分別為2:12-cv-00929-JLL-MAH、2:12-cv-00948-CCC-JAD、2:12-cv-00949-ES-CLW),而控告LG之行動電話產品侵權的訴訟,則是被裁定移送到LG Electronics MobileComm U.S.A., Inc.營業處所在之本案相同法院(案號為3:12-cv-00393-IEG-JMA)。工研院亦在2012年5月31日向紐澤西州聯邦地院起訴,控告LG之液晶電視產品、其所內含之晶片侵害其IC封裝散熱技術專利權利(案號為2:12-cv-03282-KSH-PS)。目前前述訴訟案件均仍在繫訟中。

工研院亦透過向美國國際貿易委員會(ITC)請求調查來對LG主張其專利權利,但結果似乎不符其期待:針對LG顯示設備產品之背光模組所提的告訴,被ITC判定未構成侵權(案號為Inv. No. 337-TA-805);而針對提供多重散熱通道之IC晶片封裝所提的告訴,則是工研院撤回告訴來收場(案號為Inv. No. 337-TA-851)。(926字;表2)

表一、請求項解析

US 6,163,355 請求項1
1. An in-plane switching liquid crystal display comprising:
一種平面轉換(IPS)液晶顯示面板,包含
a gate (FIG.2 - 102) of a thin-film transistor and a first electrode formed on a glass substrate (FIG.2 - 101);
一薄膜晶體管(TFT)之閘(gate)及一形成於玻璃基板上之第一電極
an insulating layer above said gate, said first electrode and said substrate;
一絕緣體層,位於上述之第一電極及玻璃基板上
a device structure including a source (FIG.2 - 109) and a drain (FIG.2 - 110) of said thin-film transistor formed above said insulating layer, said source and said drain comprising a first conductive layer; and
一構成第一層導體之元件結構,其係形成於上述之絕緣體層之上,包含有源極(source)及漏極(drain)
a second electrode formed by a conductive layer above said insulating layer, said second electrode being formed at a position horizontally different from the position of said first electrode for providing in-plane switching;
一第二電極,其係形成於上述之絕緣體層之上,為一導體層構成,該電極以水平方式放置於和上述之第一電極不一同位置,以提供一IPS結構
wherein said second electrode is sufficiently thinner than said first conductive layer of said drain and said source for allowing uniform rubbing.
此第二電極之厚度比前述包含有源極(source)及漏極(drain)之第一導體層更薄,使之能符合正常磨光過程
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2013/09

表二、專利訴訟案件基本資料:工研院控告LG

訴訟名稱 Industrial Technology Research Institute v. LG Electronics Inc. et al
提告日期 2013年8月29日
原告 Industrial Technology Research Institute(工研院)
被告 LG Electronics Inc.
LG Electronics U.S.A., Inc.
LG Electronics Mobilecomm U.S.A., Inc.
案號 3:13-cv-02016-GPC-NLS
訴訟法院 the U.S. District Court for the Southern District of California
系爭專利 US 6,163,355
系爭產品 LG的Optimus G智慧型手機產品,
http://www.lg.com/us/cell-phones/lg-E980-optimus-g-pro
http://www.lg.com/us/cell-phones/lg-E970-optimus-g
http://www.lg.com/us/cell-phones/lg-LS970-optimus-g (最後瀏覽日:2013/09/05)
訴狀下載 download.gif

Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2013/09


 
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